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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IRFC9034NB	-	RFQ	5000	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死			MOSFET （金属 o化物）		死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC9034NB	过时的		1			-		55 v	19a	10V	100mohm @ 19a，10v	-		-		-	-
IRFC120NB	-	RFQ	9144	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死			MOSFET （金属 o化物）		死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC120NB	过时的		1			-		100 v	9.4a	-	210MOHM @ 9.4a，10V	-		-		-	-
IRFC7313B	-	RFQ	1320	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死			MOSFET （金属 o化物）		死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC7313B	过时的		1			-		30 V	-	-	-	-		-		-	-
IRFC250NB	-	RFQ	4149	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死			MOSFET （金属 o化物）		死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC250NB	过时的		1			-		200 v	-	-	-	-		-		-	-
IRFC3315B	-	RFQ	8380	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死			MOSFET （金属 o化物）		死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC3315B	过时的		1			-		150 v	23a	10V	70MOHM @ 23A，10V	-		-		-	-
IRFC4568EB	-	RFQ	2403	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死			MOSFET （金属 o化物）		死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1			n通道		150 v	171a（ta）	-	-	-		-		-	-
SPP02N80C3	-	RFQ	6644	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		800 v	2A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.2A，10V	3.9V @ 120µA	16 NC @ 10 V	±20V	290 pf @ 100 V	-	42W（TC）
TDB6HK180N16RRB21BOSA1	130.0000	RFQ	6817	Infineon技术	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.30.0080	2
BSC200P03LSG	0.4300	RFQ	13	Infineon技术	Optimos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			P通道		30 V	9.9a（ta），12.5a tc）	10V	20mohm @ 12.5a，10v	1V @ 100µA	48.5 NC @ 10 V	±25V	2430 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），63W（tc）
SKP04N60	0.9500	RFQ	3	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SKP04N	标准		50 W	pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				400V，4A，67OHM，15V													180 ns					npt	600 v	9.4 a	19 a	2.4V @ 15V，4A	131µJ	24 NC	22NS/237NS
BSR302KL6327	0.0900	RFQ	4943	Infineon技术	-	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
BSZ0908NDXTMA1	-	RFQ	8235	Infineon技术	Optimos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	BSZ0908		MOSFET （金属 o化物）	（700MW）（860MW）	PG-Wison-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）				30V	4.8a（ta），7.6a（ta）		18mohm @ 9a，10v，9mohm @ 9a，10v	2V @ 250µA	3NC @ 4.5V，6.4NC @ 4.5V		340pf @ 15V，730pf @ 15V	逻辑级别门，4.5V驱动器
IPI60R385CP	1.0300	RFQ	78	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		600 v	9A（TC）	10V	385MOHM @ 5.2A，10V	3.5V @ 340µA	22 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 100 V	-	83W（TC）
BCR48PNH6327	-	RFQ	6621	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR48			250MW	PG-SOT363-6-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50V	70mA						100NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	100MHz	47KOHM，2.2KOHM	47kohms
BSZ042N04NS	0.2900	RFQ	4367	Infineon技术	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	2156-BSZ042N04NS	Ear99	8541.29.0095	1
BSS119NH7796	0.0400	RFQ	8	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT23-3-5	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道		100 v	（190ma ta）	4.5V，10V	6ohm @ 190mA，10v	2.3V @ 13µA	0.6 NC @ 10 V	±20V	20.9 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
BST113A	0.9100	RFQ	500	Infineon技术	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
SPD30N03S2L-07 g	0.5200	RFQ	1	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-313	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		30 V	30A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 30a，10v	2V @ 85µA	68 NC @ 10 V	±20V	2530 pf @ 25 V	-	136W（TC）
SPI07N65C3IN	-	RFQ	4300	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
IDP09E120XKSA1	0.7700	RFQ	5	Infineon技术	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			标准		pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1200 v	2.15 V @ 9 A	140 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	23a	-
SPP11N65C3	-	RFQ	6767	Infineon技术	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
SPP24N60CFD	2.4200	RFQ	500	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		600 v	21.7A（TC）	10V	185mohm @ 15.4a，10v	5V @ 1.2mA	143 NC @ 10 V	±20V	3160 pf @ 25 V	-	240W（TC）
SPI20N65C3	-	RFQ	6796	Infineon技术	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
IPI65R420CFD	0.8200	RFQ	10	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		650 v	8.7A（TC）	10V	420MOHM @ 3.4A，10V	4.5V @ 300µA	31.5 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 100 V	-	83.3W（TC）
SPA07N60C2	0.5600	RFQ	1	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-31	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	5.5V @ 350µA	35 NC @ 10 V	±20V	970 pf @ 25 V	-	32W（TC）
IPI80N03S4L-04	-	RFQ	9104	Infineon技术	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	374
BCR562E6327	-	RFQ	2755	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR562			330兆	PG-SOT23-3-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	500 MA						100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	60 @ 50mA，5V	150 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
IPI045N10N3 g	-	RFQ	9594	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		100 v	137a（TC）	6V，10V	4.5MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 150µA	117 NC @ 10 V	±20V	8410 PF @ 50 V	-	214W（TC）
BCR583	0.0600	RFQ	954	Infineon技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,792
BSS223PWL6327	-	RFQ	4062	Infineon技术	Optimos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT323-3-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		20 v	390mA（ta）	2.5V，4.5V	1.2OHM @ 390mA，4.5V	1.2V @ 1.5µA	0.62 NC @ 4.5 V	±12V	56 pf @ 15 V	-	250MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²