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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
FF450R33T3E3BPSA1	1.0000	RFQ	1	Infineon技术	XHP™3	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FF450R33				1000000 w		标准	AG-XHP100-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			8541.29.0095	1	半桥																																					沟渠场停止	3300 v	450 a		2.75V @ 15V，450a					5 ma	不
IPL60R255P6AUMA1	-	RFQ	7513	Infineon技术	Coolmos™P6	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN		IPL60R			MOSFET （金属 o化物）				PG-VSON-4	下载		2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道										600 v	15.9A（TC）	10V	255mohm @ 6.4a，10V	4.5V @ 530µA	31 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 100 V	-	126W（TC）
FF300R12KE3HOSA1	180.8300	RFQ	8863	Infineon技术	c	托盘	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		FF300R12				1450 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																																					沟渠场停止	1200 v	440 a		2.15V @ 15V，300A					5 ma	不	21 nf @ 25 V
IPI100N04S303MATMA1	-	RFQ	8664	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						IPI100								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000381620		0000.00.0000	1,000
PTF210101M V1	-	RFQ	3217	Infineon技术	Goldmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）				2.17GHz	ldmos				PG-RFP-10	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500				1µA			180 MA	10W	15DB																				-																	28 V
IPW65R041CFDFKSA1	12.0076	RFQ	1670年	Infineon技术	coolmos™	管子	上次购买		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IPW65R041			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道										650 v	68.5A（TC）	10V	41MOHM @ 33.1a，10V	4.5V @ 3.3mA	300 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 100 V	-	500W（TC）
T660N26TOFXPSA1	229.2333	RFQ	2053	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C	夹紧	DO-200AB，B-PUK		T660N26					单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	6					300 MA																		2.6 kV	1500 a	2.2 v	13000a @ 50Hz	250 MA	660 a									1 scr
D921S45TXPSA1	2.0000	RFQ	7158	Infineon技术	-	托盘	积极的			底盘安装	do-200AD		D921S45			标准				-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																												4500 v	2.6 V @ 2500 A		100 ma @ 4500 V	-40°C〜140°C	1630a	-
IPB040N08NF2SATMA1	2.9800	RFQ	800	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB040N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IPB040N08NF2SATMA1DKR	Ear99	8541.29.0095	800			n通道										50 V	107a（TC）	6V，10V	4mohm @ 80a，10v	3.8V @ 85µA	81 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 40 V	-	150W（TC）
IPL60R095CFD7AUMA1	6.1800	RFQ	6190	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN		IPL60R095			MOSFET （金属 o化物）				PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道										600 v	25A（TC）	10V	95MOHM @ 1.4A，10V	4.5V @ 570µA	51 NC @ 10 V	±20V	2103 PF @ 400 V	-	147W（TC）
BSO080P03NS3 g	-	RFQ	3987	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）					MOSFET （金属 o化物）				PG-DSO-8	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道										30 V	12a（12a）	6V，10V	8mohm @ 14.8A，10V	3.1V @ 150µA	81 NC @ 10 V	±25V	6750 PF @ 15 V	-	1.6W（TA）
AUIRFR6215TRL	3.0000	RFQ	1119	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		AUIRFR6215			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道										150 v	13A（TC）	10V	295MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	110W（TC）
SKA06N06	-	RFQ	6222	Infineon技术	*	大部分	积极的						SKA06N								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
BSZ105N04NSGATMA1	-	RFQ	8822	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN					MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道										40 V	（11a）（ta），40a（tc）	10V	10.5MOHM @ 20A，10V	4V @ 14µA	17 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 20 V	-	2.1W（ta），35W（tc）
ISK036N03LM5AULA1	-	RFQ	4852	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powervdfn		ISK036N			MOSFET （金属 o化物）				PG-VSON-6-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-isk036n03lm5aula1dkr	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道										30 V	44A（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	±16V	1400 pf @ 15 V	-	11W（TC）
IRF5803D2TRPBF	-	RFQ	9350	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）					MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道										40 V	3.4a（ta）	4.5V，10V	112MOHM @ 3.4A，10V	3V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）
BSZ100N06LS3GATMA1	1.1600	RFQ	121	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		BSZ100			MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道										60 V	（11a）（ta），20A （TC）	4.5V，10V	10mohm @ 20a，10v	2.2V @ 23µA	45 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 30 V	-	2.1W（ta），50W（TC）
IKW75N60TA	-	RFQ	6488	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准			428 w			pg-to247-3-41	下载					Ear99	8542.39.0001	1						400V，75A，5OHM，15V																										121 ns						沟渠场停止	600 v	80 a	225 a	2V @ 15V，75a	2MJ（在）上，2.5MJ（OFF）	470 NC	33ns/330n
SPD15P10PLGBTMA1	2.2600	RFQ	9	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		SPD15P10			MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道										100 v	15A（TC）	4.5V，10V	200mohm @ 11.3a，10v	2V @ 1.54mA	62 NC @ 10 V	±20V	1490 pf @ 25 V	-	128W（TC）
SPI20N65C3	-	RFQ	6796	Infineon技术	*	大部分	积极的														-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
IRAMX20UP60A-2	-	RFQ	4736	Infineon技术	Imotion™	管子	过时的			通过洞	23-Powersip模块，19条线索，形成铅	IGBT									下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	3期									20 a	600 v	2000vrms
IRG7PG35UPBF	-	RFQ	6490	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		irg7pg	标准			210 w			TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001541454	Ear99	8541.29.0095	25						600V，20a，10ohm，15V																																沟	1000 v	55 a	60 a	2.2V @ 15V，20A	1.06mj（在）（620µJ）上）	85 NC	30NS/160NS
F4200R17N3E4B58BPSA1	371.6300	RFQ	8	Infineon技术	EasyPack™3	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		F4200R				20兆		三相桥梁整流器	ag-econo3b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	完整的桥梁逆变器																																					沟渠场停止	1700 v	200 a		2.3V @ 15V，200a					1 MA	是的	16 NF @ 25 V
D400N16BXPSA1	-	RFQ	4624	Infineon技术	-	大部分	过时的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		D400N			标准				-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																												1600 v			40 mA @ 1600 V	-40°C〜180°C	450a	-
IPI50R399CPXKSA2	-	RFQ	5521	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		IPI50R399			MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道										500 v	9A（TC）	10V	399MOHM @ 4.9A，10V	3.5V @ 330µA	23 NC @ 10 V	±20V	890 pf @ 100 V	-	83W（TC）
SPP80N06S2L-11	-	RFQ	5782	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		SPP80N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道										55 v	80A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 40a，10v	2V @ 93µA	80 NC @ 10 V	±20V	2650 pf @ 25 V	-	158W（TC）
FZ1800R17HP4B29BOSA2	1.0000	RFQ	6478	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		FZ1800				11500 w		标准	AG-IHMB190	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																																					沟渠场停止	1700 v	1800 a		2.25V @ 15V，1.8KA					5 ma	不	145 NF @ 25 V
IRFHM8337TRPBF	-	RFQ	5125	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN					MOSFET （金属 o化物）				8-PQFN （3.3x3.3），Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道										30 V	12a（12a）	4.5V，10V	12.4mohm @ 12a，10v	2.35V @ 25µA	8.1 NC @ 4.5 V	±20V	755 pf @ 15 V	-	2.8W（25W），25W（tc）
IRG4RC10KDTRPBF	-	RFQ	8770	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IRG4RC10	标准			38 w			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000						480V，5A，100OHM，15V																										28 ns						-	600 v	9 a	18 a	2.62V @ 15V，5A	（250µJ）（在140µJ上）	19 nc	49NS/97NS
SIDC06D120H8X1SA2	-	RFQ	7658	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	死		SIDC06D120			标准				锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000527596	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																												1200 v	1.97 V @ 7.5 A		27 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	7.5a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²