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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
BF2040WH6814XTSA1	-	RFQ	1018	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	SC-82A，SOT-343		BF2040		800MHz	MOSFET		PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		40mA		15 ma	-	23dB														1.6dB										5 v
BF 5030R E6327	-	RFQ	3326	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	SOT-143R		BF 5030		800MHz	MOSFET		PG-SOT-143R-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		25mA		10 MA	-	24dB														1.3dB										3 V
BFP650H6327XTSA1	0.6100	RFQ	240	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343		BFP650				500MW	PG-SOT343-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							10.5db〜21.5dB																	4.5V	150mA							NPN	110 @ 80mA，3v	37GHz	0.8db〜1.9dB @ 1.8GHz〜6GHz
BG3123H6327XTSA1	-	RFQ	7714	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BG3123		800MHz	MOSFET		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		25mA，20mA		14 ma	-	25DB														1.8dB										5 v
BG3123RH6327XTSA1	-	RFQ	8524	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BG3123		800MHz	MOSFET		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		25mA，20mA		14 ma	-	25DB														1.8dB										5 v
BG3130RH6327XTSA1	-	RFQ	8239	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BG3130		800MHz	MOSFET		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		25mA		14 ma	-	24dB														1.3dB										5 v
SKB06N60HSATMA1	-	RFQ	8253	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		SKB06N	标准			68 w	pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，6A，50OHM，15V																		100 ns	npt	600 v	12 a	24 a	3.15V @ 15V，6A	190µJ	33 NC	11NS/196NS
SKB15N60HSATMA1	-	RFQ	3871	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		SKB15N	标准			138 w	pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，15a，23ohm，15V																		111 ns	npt	600 v	27 a	60 a	3.15V @ 15V，15a	530µJ	80 NC	13NS/209NS
SKP02N60XKSA1	-	RFQ	3653	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		SKP02N	标准			30 W	pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500				400V，2a，118ohm，15V																		130 ns	npt	600 v	6 a	12 a	2.4V @ 15V，2A	64µJ	14 NC	20N/259NS
SKW30N60FKSA1	7.4959	RFQ	5174	Infineon技术	-	管子	上次购买		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		SKW30N	标准			250 w	PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，30a，11ohm，15V																		400 ns	npt	600 v	41 a	112 a	2.4V @ 15V，30a	1.29mj	140 NC	44NS/291NS
SPD07N20GBTMA1	-	RFQ	1932年	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		SPD07N			MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道									200 v	7A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 1mA	31.5 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SPD30N03S2L07GBTMA1	-	RFQ	2449	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		SPD30N			MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道									30 V	30A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 30a，10v	2V @ 85µA	68 NC @ 10 V	±20V	2530 pf @ 25 V	-	136W（TC）
IRAM136-1060A	-	RFQ	5519	Infineon技术	-	管子	过时的			通过洞	29-Powerssip模块，21个线索，形成铅	IGBT							下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	110	3期							10 a	600 v	2000vrms
IRAM336-025SB3	-	RFQ	9624	Infineon技术	-	管子	过时的			通过洞	19-Powerssip模块，形成的线索	MOSFET							下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001544658	Ear99	8542.39.0001	300	3期							2 a	500 v	-
IRF6706S2TR1PBF	1.1000	RFQ	838	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距S1					MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距S1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道									25 v	（17a）（63a ta）（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 17a，10v	2.35V @ 25µA	20 NC @ 4.5 V	±20V	1810 pf @ 13 V	-	1.8W（TA），26W（tc）
IRF7410GTRPBF	-	RFQ	8741	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）					MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道									12 v	16A（TA）	1.8V，4.5V	7MOHM @ 16a，4.5V	900mv @ 250µA	91 NC @ 4.5 V	±8V	8676 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
IRF7416GTRPBF	-	RFQ	1308	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）					MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道									30 V	10a（10a）	4.5V，10V	20mohm @ 5.6a，10v	1V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRF8910GTRPBF	-	RFQ	3321	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF89			MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）										20V	10a		13.4mohm @ 10a，10v	2.55V @ 250µA	11NC @ 4.5V		960pf @ 10V	逻辑级别门
IRF9317TRPBF	1.0500	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF9317			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道									30 V	16A（TA）	4.5V，10V	6.6mohm @ 16a，10v	2.4V @ 50µA	92 NC @ 10 V	±20V	2820 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRF9333333TRPBF	-	RFQ	8220	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF9333			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道									30 V	9.2a（ta）	4.5V，10V	19.4mohm @ 9.2a，10v	2.4V @ 25µA	38 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRF9362TRPBF	0.9500	RFQ	17	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF9362			MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）										30V	8a		21mohm @ 8a，10v	2.4V @ 25µA	39nc @ 10V		1300pf @ 25V	逻辑级别门
IRFI4019HG-117P	-	RFQ	2372	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5完整包，形成的线索		IRFI4019			MOSFET （金属 o化物）	18W	TO-220-5	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	2 n 通道（双）										150V	8.7a		95MOHM @ 5.2A，10V	4.9V @ 50µA	20NC @ 10V		810pf @ 25V	-
IRFSL4229PBF	-	RFQ	1257	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA					MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001567750	Ear99	8541.29.0095	50		n通道									250 v	45A（TC）	10V	48mohm @ 26a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4560 pf @ 25 V	-	330W（TC）
IRG6IC30UPBF	-	RFQ	9923	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		IRG6IC30	标准			37 W	TO-220AB全盘	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001537372	Ear99	8541.29.0095	50				400V，25a，10ohm																			沟	600 v	25 a		2.88V @ 15V，120a	-	79 NC	20N/160NS
IRG6S320UTRLPBF	-	RFQ	2929	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IRG6S320U	标准			114 W	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800				196V，12a，10ohm																			沟	330 v	50 a		1.65V @ 15V，24a	-	46 NC	24NS/89NS
IRGP4069PBF	-	RFQ	7392	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准			268 w	TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001542388	Ear99	8541.29.0095	25				400V，35a，10ohm，15V																			沟	600 v	76 a	105 a	1.85V @ 15V，35a	（390µJ）（在），632µJ（（（（（（）	104 NC	46NS/105NS
IRGP50B60PD1-EP	-	RFQ	7894	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			标准			390 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001532834	Ear99	8541.29.0095	400				390V，33a，3.3孔，15V																		42 ns	npt	600 v	75 a	150 a	2.85V @ 15V，50a	（255µJ）（在），375µj（（（（（）	205 NC	30NS/130NS
IRGS4086PBF	-	RFQ	5121	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准			160 w	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001533990	Ear99	8541.29.0095	50				196V，25a，10ohm																			沟	300 v	70 a		2.96V @ 15V，120a	-	65 NC	36NS/112NS
IRLML9303TRPBF	0.4900	RFQ	118	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		IRLML9303			MOSFET （金属 o化物）		Micro3™/SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道									30 V	2.3a（ta）	4.5V，10V	165mohm @ 2.3a，10v	2.4V @ 10µA	2 NC @ 4.5 V	±20V	160 pf @ 25 V	-	1.25W（TA）
IRLR024ZTRPBF	-	RFQ	5633	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道									55 v	16A（TC）	4.5V，10V	58mohm @ 9.6a，10V	3V @ 250µA	9.9 NC @ 5 V	±16V	380 pf @ 25 V	-	35W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²