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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
SPU04N60S5BKMA1	-	RFQ	9060	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SPU04N			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO251-3-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道							600 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	5.5V @ 200µA	22.9 NC @ 10 V	±20V	580 pf @ 25 V	-	50W（TC）
BC849CWE6327HTSA1	-	RFQ	3259	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC849				250兆			PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																					30 V	100 ma									15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
BSD235NH6327XTSA1	0.4200	RFQ	21	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BSD235			MOSFET （金属 o化物）	500MW			PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）									20V	950mA		350MOHM @ 950mA，4.5V	1.2V @ 1.6µA	0.32NC @ 4.5V		63pf @ 10V	逻辑级别门
TD251N18KOFHPSA1	-	RFQ	2720	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TD251N18					系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3					300 MA															1.8 kV	410 a	2 v	9100A @ 50Hz	200 ma	250 a										1 sc，1二极管
IPA60R600P7SE8228XKSA1	0.7002	RFQ	2876	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R600			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道							600 v	6A（TC）	10V	600MOHM @ 1.7A，10V	4V @ 80µA	9 NC @ 10 V	±20V	363 PF @ 400 V	-	21W（TC）
AUIRF7103Q	-	RFQ	2457	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIRF7103			MOSFET （金属 o化物）	2.4W			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001521578	Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）									50V	3a		130MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	15nc @ 10V		255pf @ 25V	-
IRF9395MTRPBF	-	RFQ	4892	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MC	IRF9395			MOSFET （金属 o化物）	2.1W			DirectFet™MC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001566526	Ear99	8541.29.0095	4,800	2（p 通道（双）									30V	14a		7mohm @ 14a，10v	2.4V @ 50µA	64NC @ 10V		3241pf @ 15V	逻辑级别门
IPB180P04P4L02AUMA1	-	RFQ	6714	Infineon技术	Optimos®-P2	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB180			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-7-3	-					过时的		1			P通道							40 V	180a（TC）	4.5V，10V	2.4MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 410µA	286 NC @ 10 V	+5V，-16V	18700 PF @ 25 V	-	150W（TC）
BFP740FESDH6327XTSA1	0.5700	RFQ	8993	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP740				160MW			4-TSFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000									9db〜31dB																												4.7V	45mA												NPN		160 @ 25mA，3v	47GHz			0.5db〜1.45dB @ 150MHz〜10GHz
BSM35GD120DLCE3224BOSA1	147.3320	RFQ	8226	Infineon技术	-	托盘	上次购买		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM35G				280 w		标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥																																			-	1200 v	70 a		2.6V @ 15V，35a							80 µA	不	2 NF @ 25 V
IPT60R022S7XTMA1	14.0000	RFQ	5246	Infineon技术	CoolMos™S7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT60R022			MOSFET （金属 o化物）				PG-HSOF-8-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道							600 v	23A（TC）	12V	22mohm @ 23a，12v	4.5V @ 1.44mA	150 NC @ 12 V	±20V	5639 PF @ 300 V	-	390W（TC）
IRF7467TRPBF	-	RFQ	2989	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道							30 V	11a（11a）	2.8V，10V	12mohm @ 11a，10v	2V @ 250µA	32 NC @ 4.5 V	±12V	2530 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IKW03N120H2	-	RFQ	9798	Infineon技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			62.5 w			PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1						800V，3A，82OHM，15V																									42 ns					-	1200 v	9.6 a	9.9 a	2.8V @ 15V，3A	290µJ	22 NC	9.2NS/281NS
BFP420FH6327XTSA1	0.4400	RFQ	15	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP420				160MW			4-TSFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000									19.5db																												5.5V	35mA												NPN		60 @ 5mA，4V	25GHz			1.1db @ 1.8GHz
BB833E6327HTSA1	-	RFQ	7945	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	BB833							PG-SOD323-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																																		0.9pf @ 28V，1MHz											单身的	30 V											12.4	C1/C28	-
BAT5404WH6327XTSA1	0.5000	RFQ	88	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	BAT5404			肖特基				PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									1对系列连接	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C （最大）
IRFS3307TRLPBF	-	RFQ	5662	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS3307			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道							75 v	120A（TC）	10V	6.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	200W（TC）
IRG4BC30U-STRRP	-	RFQ	4816	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG4BC30	标准			100 W			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800						480V，12a，23ohm，15V																														-	600 v	23 a	92 a	2.1V @ 15V，12A	160µJ（在）上，200µJ（200µJ）	50 NC	17NS/78NS
IRF3707ZSPBF	-	RFQ	4643	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							30 V	59A（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 21a，10V	2.25V @ 25µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	57W（TC）
IRF7905pbf	-	RFQ	8655	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7905			MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001560078	Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）									30V	7.8a，8.9a		21.8mohm @ 7.8A，10V	2.25V @ 25µA	6.9nc @ 4.5V		600pf @ 15V	逻辑级别门
IRF6728MTR1PBF	-	RFQ	2872	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX				MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							30 V	（23A）（TA），140a （TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 23A，10V	2.35V @ 100µA	42 NC @ 4.5 V	±20V	4110 PF @ 15 V	-	2.1W（ta），75W（tc）
64-9146	-	RFQ	7769	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MT	IRF6691			MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™MT	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道							20 v	32A（TA），180a （TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	71 NC @ 4.5 V	±12V	6580 pf @ 10 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
PTFA260851F V1	-	RFQ	6193	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍线	PTFA260851		2.68GHz	ldmos				H-31248-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				10µA			900 MA	85W	14dB																	-																		28 V
BAV 70 B5003	-	RFQ	1927年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV 70			标准				PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									1对普通阴极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
BCR 108L3 E6327	-	RFQ	1852年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SC-101，SOT-883	BCR 108				250兆			PG-TSLP-3-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																																					50 V	100 ma									100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	170 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
BAT54-06E6327	0.0500	RFQ	163	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT54			肖特基				PG-SOT23-3-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									1对公共阳极	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C
IRG4RC10SDTRRP	-	RFQ	9599	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC10	标准			38 w			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540522	Ear99	8541.29.0095	3,000						480V，8A，100OHM，15V																									28 ns					-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	310µJ（在）上，3.28mj off）	15 NC	76NS/815NS
IPI144N12N3G	-	RFQ	4028	Infineon技术	*	大部分	积极的													下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
AUIRF2804L-313Trl	-	RFQ	6833	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）				TO-262-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道							40 V	195a（TC）	10V	2.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRLIZ24NPBF	-	RFQ	8511	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB全盘	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							55 v	14A（TC）	4V，10V	60mohm @ 8.4a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	26W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²