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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SPI11N60S5	1.0700	RFQ	368	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	n通道			600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 500µA	54 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SMBTA14E6327XT	0.1000	RFQ	30	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆		PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,112																						30 V	300 MA						100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
SPD1305NL	0.1900	RFQ	75	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	2,500
SMBT 3904 E6433	1.0000	RFQ	7611	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6				330兆		PG-SC74-6	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	10,000																						40 V	200 ma						50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
SPI07N65C3XKSA1	0.9000	RFQ	22	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	n通道			650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
SMBTA14E6327	0.1000	RFQ	210	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆		PG-SOT23-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,112																						30 V	300 MA						100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
SMBTA06	0.0500	RFQ	6	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆		PG-SOT23-3-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	6,000																						80 V	500 MA						100NA		250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
SPB02N60S5	1.0000	RFQ	6983	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	n通道			600 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	5.5V @ 80µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	25W（TC）
SPI07N65C3	0.8300	RFQ	500	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	n通道			650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
SPD50N03S2L-06G	1.0000	RFQ	8072	Infineon技术	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1
SPB02N60C3	0.5100	RFQ	11	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道			600 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	3.9V @ 80µA	12.5 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	25W（TC）
SPI15N60CFD	1.7400	RFQ	11	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	n通道			600 v	13.4A（TC）	10V	330mohm @ 9.4a，10v	5V @ 750µA	84 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 25 V	-	156W（TC）
SPD50N03S2L	0.3500	RFQ	1	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道			30 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.4mohm @ 50a，10v	2V @ 85µA	68 NC @ 10 V	±20V	2530 pf @ 25 V	-	136W（TC）
SKA06N06	-	RFQ	6222	Infineon技术	*	大部分	积极的				SKA06N						-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1
SGB30N60	-	RFQ	5148	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SGB30	标准		250 w		pg-to263-3-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			400V，30a，11ohm，15V																		npt	600 v	41 a	112 a	2.4V @ 15V，30a	1.29mj	140 NC	44NS/291NS
SPB04N60C3	-	RFQ	2049	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道			600 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SIPC19N80C3	-	RFQ	9533	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0040	1
BCR158E6327	1.0000	RFQ	6105	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR158			200兆		PG-SOT23-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																						50 V	100 ma						100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
ttw3c115n16lof	107.4700	RFQ	381	Infineon技术	-	大部分	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块					桥梁，三相 -scr		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	1		200 ma												1.6 kV	75 a	2.5 v	720a @ 50Hz	150 ma		6 scr
SN7002NE6327	-	RFQ	4665	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23-3-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道			60 V	200ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	1.8V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	45 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
IPB093N04LG	0.3500	RFQ	17	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			PG至263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	n通道			40 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 50a，10v	2V @ 77µA	28 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 20 V	-	47W（TC）
SGB20N60E3045A	0.7700	RFQ	15	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SGB20N	标准		179 w		pg-to263-3-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000			400V，20a，16ohm，15V																		npt	600 v	40 a	80 a	2.4V @ 15V，20A	（440µJ）（在330µJ上）	100 NC	36NS/225NS
BCR166E6327	1.0000	RFQ	3452	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR166			200兆		PG-SOT23-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	1																						50 V	100 ma						100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	160 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
TTB6C95N16LOF	102.7900	RFQ	239	Infineon技术	-	大部分	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块					桥梁，三相 -scr		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	1		200 ma												1.6 kV	75 a	2.5 v	720a @ 50Hz	150 ma	130 a	6 scr
SPU01N60C3	0.4200	RFQ	147	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	n通道			600 v	800mA（TC）	10V	6ohm @ 500mA，10v	3.9V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	100 pf @ 25 V	-	11W（TC）
BSS88	1.0000	RFQ	3605	Infineon技术	-	大部分	积极的				BSS8						下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
BSP373L6327	-	RFQ	8832	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道			100 v	1.7A（TA）	10V	300MOHM @ 1.7A，10V	4V @ 1mA		±20V	550 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BSP88L6327	-	RFQ	3665	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	n通道			240 v	350mA（ta）	2.8V，10V	6ohm @ 350mA，10v	1.4V @ 108µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	95 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
SN7002WL6327	-	RFQ	3648	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT323-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	6,000	n通道			60 V	230ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 230mA，10v	1.8V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	45 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
IPI65R190C	2.0000	RFQ	500	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道			650 v	20.2A（TC）	10V	190MOHM @ 7.3A，10V	3.5V @ 730µA	73 NC @ 10 V	±20V	1620 PF @ 100 V	-	151W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²