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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	电流 -最大	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	trr）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f
IPW65R150CFDFKSA2	5.2300	RFQ	2547	Infineon技术	CoolMos™CFD2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R150		MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240	n通道				650 v	22.4a（TC）	10V	150MOHM @ 9.3a，10V	4.5V @ 900µA	86 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 100 V	-	195.3W（TC）
SPI11N60S5BKSA1	-	RFQ	4453	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI11N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道				600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 500µA	54 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IMW65R027M1HXKSA1	25.7200	RFQ	4354	Infineon技术	COOLSIC™M1	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IMW65R027		sicfet （碳化硅）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道				650 v	47A（TC）	18V	34mohm @ 38.3a，18v	5.7V @ 11mA	62 NC @ 18 V	+23V，-5V	2131 PF @ 400 V	-	189W（TC）
SIPC26N50C3X1SA2	-	RFQ	3919	Infineon技术	-	大部分	积极的				SIPC26						-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP000956996		0000.00.0000	1						-
AUIRF6218S	-	RFQ	2588	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道				150 v	27a（TC）	10V	150mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IRFR4104TRRPBF	-	RFQ	1464	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR4104		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道				40 V	42A（TC）	10V	5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
TT61N16KOFKHPSA1	-	RFQ	3611	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TT61N				普通阴极 -scr		下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	15			200 ma												1.6 kV	120 a	1.4 v	1550a @ 50Hz	120 MA	76 a			2 scr
SIPC06N60C3	-	RFQ	9481	Infineon技术	*	大部分	过时的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP000013362	Ear99	8541.29.0040	1
DD25DS2016KKHPSA1	-	RFQ	7817	Infineon技术	*	托盘	过时的				DD25DS						-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
BTS244ZNKSA1	-	RFQ	9725	Infineon技术	tempfet®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-5-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道				55 v	35A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 19a，10v	2V @ 130µA	130 NC @ 10 V	±20V	2660 pf @ 25 V	温度传感二极管	170W（TC）
BSP373L6327HTSA1	-	RFQ	6233	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道				100 v	1.7A（TA）	10V	300MOHM @ 1.7A，10V	4V @ 1mA		±20V	550 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IRF6604TR1	-	RFQ	4463	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MQ			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MQ	下载		3（168））	到达不受影响	SP001525412	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道				30 V	（12A）（ta），49a （TC）	4.5V，7V	11.5MOHM @ 12A，7V	2.1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±12V	2270 pf @ 15 V	-	2.3W（ta），42W（（（TC）
IRF7416TRPBF	1.2100	RFQ	28	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7416		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	P通道				30 V	10a（10a）	4.5V，10V	20mohm @ 5.6a，10v	1V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
BAT6202WH6327XTSA1	-	RFQ	6095	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）		SC-80	BAT62					SCD-80	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		20 ma												100兆								0.6pf @ 0v，1MHz										肖特基 -单身	40V		-
IRF6601	-	RFQ	4777	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	DirectFet™等距MT			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MT	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800	n通道				20 v	26A（26A），85A （TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 26a，10v	2.2V @ 250µA	45 NC @ 4.5 V	±20V	3440 pf @ 15 V	-	3.6W（ta），42W（（（TC）
BSS126 E6906	-	RFQ	4081	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道				600 v	21ma（ta）	0V，10V	500ohm @ 16mA，10v	1.6V @ 8µA	2.1 NC @ 5 V	±20V	28 PF @ 25 V	耗尽模式	500MW（TA）
BFN38E6327HTSA1	-	RFQ	8719	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.5 w		PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																									300 v	200 ma								100NA（ICBO）		NPN	500mv @ 2mA，20mA	30 @ 30mA，10v	70MHz
TT310N20KOFHPSA1	458.4500	RFQ	2608	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TT310N20				系列连接 -scr		下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2			300 MA												2 kV	700 a	1.5 v	10000a @ 50Hz	250 MA	446 a			2 scr
AUIRF7416QTR	-	RFQ	8954	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	P通道				30 V	10a（10a）	4.5V，10V	20mohm @ 5.6a，10v	2.04V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IPA65R190C6XKSA1	-	RFQ	3325	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	ipa65r		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO220-3-111	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道				650 v	20.2A（TC）	10V	190MOHM @ 7.3A，10V	3.5V @ 730µA	73 NC @ 10 V	±20V	1620 PF @ 100 V	-	34W（TC）
IRF9410	-	RFQ	7452	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9410	Ear99	8541.29.0095	95	n通道				30 V	7a（ta）	4.5V，10V	30mohm @ 7a，10v	1V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
BBY 56-02W E6127	-	RFQ	8952	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-80	BBY 56					SCD-80	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000																						12.1pf @ 4V，1MHz										单身的	10 v							3.3	C1/C3	-
IPD22N08S2L50ATMA1	1.3000	RFQ	5376	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD22N08		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道				75 v	27a（TC）	5V，10V	50MOHM @ 50a，10v	2V @ 31µA	33 NC @ 10 V	±20V	630 pf @ 25 V	-	75W（TC）
irf6631tr1pbf	-	RFQ	6794	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™SQ	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道				30 V	（13a）（ta），57A（tc）	4.5V，10V	7.8mohm @ 13a，10v	2.35V @ 25µA	18 nc @ 4.5 V	±20V	1450 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
BSS119NH6327XTSA1	0.4200	RFQ	61	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS119		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道				100 v	（190ma ta）	4.5V，10V	6ohm @ 190mA，10v	2.3V @ 13µA	0.6 NC @ 10 V	±20V	20.9 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
IRF9530NL	-	RFQ	1328	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9530NL	Ear99	8541.29.0095	50	P通道				100 v	14A（TC）	10V	200mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），79w（tc）
IRG4IBC30KDPBF	-	RFQ	8225	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		45 W		TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000				480V，16a，23ohm，15v																	42 ns			-	600 v	17 a	34 a	2.7V @ 15V，16a	600µJ（在）上，580µJ降低）	67 NC	60NS/160NS
BSP88H6327XTSA1	0.6200	RFQ	39	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP88H6327		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道				240 v	350mA（ta）	2.8V，10V	6ohm @ 350mA，10v	1.4V @ 108µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	95 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IRG4PC40UDPBF	-	RFQ	9586	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400				480V，20A，10欧姆，15V																	42 ns			-	600 v	40 a	160 a	2.1V @ 15V，20A	（710µJ）（在350µJ上）	100 NC	54NS/110NS
IKB40N65EF5ATMA1	5.0200	RFQ	8020	Infineon技术	Trenchstop™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IKB40N65	标准		250 w		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，40a，15ohm，15V																	83 ns			沟渠场停止	650 v	74 a	160 a	2.1V @ 15V，40a	420µJ（在）上，100µJ（OFF）	95 NC	22NS/160NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²