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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
TZ240N36KOFHPSA1	373.9200	RFQ	5138	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TZ240N36				单身的		下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3				300 MA													3.6 kV	700 a	1.5 v	6100A @ 50Hz	250 MA	240 a										1 scr
BFP450E6327	-	RFQ	1849年	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343				450MW		PG-SOT343-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1						15.5db																												5V	100mA							NPN		60 @ 50mA，4V	24GHz			1.25dB @ 1.8GHz
BDP953H6327XTSA1	0.5094	RFQ	5006	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BDP953			5 w		PG-SOT223-4-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																		100 v	3 a						100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 200mA，2a	100 @ 500mA，1V	100MHz
IRF9540NPBF	1.6300	RFQ	8	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9540		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道				100 v	23A（TC）	10V	117mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	97 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	140W（TC）
TZ740N20KOFHPSA3	-	RFQ	7326	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TZ740N				单身的		下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				500 MA													2 kV	1500 a	2 v	30000A @ 50Hz	250 MA	819 a										1 scr
IRF7478QTRPBF	-	RFQ	7405	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道				60 V	7a（ta）		26mohm @ 4.2A，10V	3V @ 250µA	31 NC @ 4.5 V		1740 pf @ 25 V	-
BCR183SE6327BTSA1	-	RFQ	1928年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR183			250MW		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																		50V	100mA						-	2 PNP-）	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	200MHz	10KOHMS	10KOHMS
Auxhafr6215	-	RFQ	4047	Infineon技术	-	管子	过时的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1								-
BSL314PEH6327XTSA1	-	RFQ	3466	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL314		MOSFET （金属 o化物）	500MW		PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）						30V	1.5a		140MOHM @ 1.5A，10V	2V @ 6.3µA	2.9nc @ 10V		294pf @ 15V	逻辑级别门，4.5V驱动器
IRF3708	-	RFQ	5225	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3708S	Ear99	8541.29.0095	50			n通道				30 V	62A（TC）	2.8V，10V	12mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±12V	2417 PF @ 15 V	-	87W（TC）
BAV99SE6433HTMA1	-	RFQ	7794	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BAV99		标准			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																					2对系列连接	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
IRFB42N20D	-	RFQ	8807	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB42N20D	Ear99	8541.29.0095	50			n通道				200 v	44A（TC）	10V	55mohm @ 26a，10v	5.5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	3430 pf @ 25 V	-	2.4W（ta），330W（tc）
BC846SH6727XTSA1	0.0990	RFQ	5629	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC846			250MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																		65V	100mA						15NA（icbo）	2 NPN （双）	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	250MHz
SPB07N60C3	-	RFQ	1041	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道				600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
IRF3707ZSTRL	-	RFQ	8042	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道				30 V	59A（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 21a，10V	2.25V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	57W（TC）
IRGP6650D-EPBF	-	RFQ	1218	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		306 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001549702	Ear99	8541.29.0095	25					400V，35a，10ohm，15V																						50 ns						-	600 v	80 a	105 a	1.95V @ 15V，35a	（300µJ）（630µJ）off）	75 NC	40NS/105NS
63-9019	-	RFQ	5942	Infineon技术	-	大部分	过时的	-	-	-	-	-				-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					-																												-				-	-		-
BAS3020BH6327XTSA1	-	RFQ	8275	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BAS3020		肖特基			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						30 V		600 mv @ 2 a		200 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	2a	70pf @ 1V，1MHz
DZ950N36KHPSA1	889.1200	RFQ	9839	Infineon技术	-	托盘	过时的		底盘安装	模块	DZ950N36		标准			模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						3600 v		1.78 V @ 3000 A		100 ma @ 3600 V	-40°C〜150°C	950a	-
IPB067N08N3GATMA1	2.7800	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB067		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				80 V	80A（TC）	6V，10V	6.7MOHM @ 73A，10V	3.5V @ 73µA	56 NC @ 10 V	±20V	3840 pf @ 40 V	-	136W（TC）
BSC027N04LSGATMA1	1.5800	RFQ	51	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC027		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				40 V	（24A）（TA），100A （TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 50A，10V	2V @ 49µA	85 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 20 V	-	2.5W（ta），83W（tc）
IDP40E65D2XKSA1	2.5600	RFQ	298	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	IDP40E65		标准			TO-220-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						650 v		2.3 V @ 40 A	75 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	40a	-
BSC072N08NS5ATMA1	1.8300	RFQ	53	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC072		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				80 V	74A（TC）	6V，10V	7.2MOHM @ 37A，10V	3.8V @ 36µA	29 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 40 V	-	2.5W（TA），69w（tc）
IPA65R225C7XKSA1	3.0200	RFQ	25	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA65R225		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				650 v	7A（TC）	10V	225MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 240µA	20 nc @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 V	-	29W（TC）
BSL207NL6327	-	RFQ	3507	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL207		MOSFET （金属 o化物）	500MW		PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,124	2 n 通道（双）						20V	2.1a		70MOHM @ 2.1a，4.5V	1.2V @ 11µA	2.1nc @ 4.5V		419pf @ 10V	逻辑级别门
BSC022N04LS6ATMA1	1.8200	RFQ	3	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC022		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				40 V	27a（27A），100A（tc（TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 50a，10v	2.3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 20 V	-	（3W）（ta），79w（tc）
auirfs8408-7trl	5.2200	RFQ	800	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB	AUIRF8408		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7-900	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道				40 V	240a（TC）	10V	1MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	315 NC @ 10 V	±20V	10250 pf @ 25 V	-	294W（TC）
IPSA70R360P7SAKMA1	1.3000	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPSA70		MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道				700 v	12.5A（TC）	10V	360MOHM @ 3A，10V	3.5V @ 150µA	16.4 NC @ 400 V	±16V	517 PF @ 400 V	-	59.5W（TC）
IPB120P04P404ATMA1	3.9200	RFQ	5	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB120		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道				40 V	120A（TC）	10V	3.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 340µA	205 NC @ 10 V	±20V	14790 pf @ 25 V	-	136W（TC）
T600N95TOFXPSA1	-	RFQ	9158	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	夹紧	TO-200AC	T600N				单身的		下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				350 MA													9.5 kV	930 a	2.5 v	12800a @ 50Hz	350 MA	830 a										1 scr

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²