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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BSC600N25NS3GATMA1	3.5900	RFQ	1710	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC600		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		250 v	25A（TC）	10V	60mohm @ 25a，10v	4V @ 90µA	29 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 100 V	-	125W（TC）
BSD816SNL6327HTSA1	-	RFQ	2703	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		20 v	1.4a（ta）	1.8V，2.5V	160MOHM @ 1.4A，2.5V	950mv @ 3.7µA	0.6 NC @ 2.5 V	±8V	180 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
BSF083N03LQ g	-	RFQ	3051	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-wdson			MOSFET （金属 o化物）		MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		30 V	（13a）（ta），53a （TC）	4.5V，10V	8.3mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1800 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），36W （TC）
BSO080P03NS3GXUMA1	-	RFQ	1628年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO080		MOSFET （金属 o化物）		PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		30 V	12a（12a）	6V，10V	8mohm @ 14.8A，10V	3.1V @ 150µA	81 NC @ 10 V	±25V	6750 PF @ 15 V	-	1.6W（TA）
BSO301SPHXUMA1	2.1200	RFQ	3	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO301		MOSFET （金属 o化物）		PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		30 V	12.6a（ta）	4.5V，10V	8mohm @ 14.9a，10V	2V @ 250µA	136 NC @ 10 V	±20V	5890 pf @ 25 V	-	1.79W（TA）
BSO303Phxuma1	-	RFQ	4185	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO303		MOSFET （金属 o化物）	2W	PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）				30V	7a		21mohm @ 8.2a，10v	2V @ 100µA	49nc @ 10V		2678pf @ 25V	逻辑级别门
BSO303SPHXUMA1	-	RFQ	3035	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		30 V	7.2A（ta）	4.5V，10V	21mohm @ 9.1a，10v	2V @ 100µA	54 NC @ 10 V	±20V	2330 PF @ 25 V	-	1.56W（TA）
BSP52H6327XTSA1	0.2819	RFQ	1667年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP52			1.5 w	PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000																							80 V	1 a						10µA	npn-达灵顿	1.8V @ 1mA，1a	2000 @ 500mA，10V	200MHz
BSS159NH6906XTSA1	0.7800	RFQ	35	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS159		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		60 V	230ma（ta）	0V，10V	3.5OHM @ 160mA，10v	2.4V @ 26µA	2.9 NC @ 5 V	±20V	44 pf @ 25 V	耗尽模式	360MW（TA）
BSZ180P03NS3EGATMA1	0.8200	RFQ	9911	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ180		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000			P通道		30 V	（9A）（ta），39.5A（TC）	6V，10V	18mohm @ 20a，10v	3.1V @ 48µA	30 NC @ 10 V	±25V	2220 PF @ 15 V	-	2.1W（ta），40W（TC）
BSZ520N15NS3GATMA1	1.6900	RFQ	8	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ520		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		150 v	21a（TC）	8V，10V	52MOHM @ 18A，10V	4V @ 35µA	12 nc @ 10 V	±20V	890 pf @ 75 V	-	57W（TC）
IDB18E120ATMA1	-	RFQ	7113	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IDB18		标准		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1200 v	2.15 V @ 18 A	195 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	31a	-
IDB30E120ATMA1	2.4300	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IDB30E120		标准		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1200 v	2.15 V @ 30 A	243 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	50a	-
IDD03E60BUMA1	-	RFQ	1689年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IDD03E60		标准		pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v	2 V @ 3 A	62 ns	50 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	7.3a	-
IDP04E120	-	RFQ	7974	Infineon技术	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-2	IDP04		标准		PG-TO220-2-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1200 v	2.15 V @ 4 A	115 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	11.2a	-
IDP12E120XKSA1	2.4400	RFQ	193	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	IDP12E220		标准		PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1200 v	2.15 V @ 12 A	150 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	28a	-
IDP15E60XKSA1	1.2031	RFQ	7436	Infineon技术	-	管子	上次购买		通过洞	TO-220-2	IDP15		标准		PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v	2 V @ 15 A	87 ns	50 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	29.2a	-
IDP18E120XKSA1	2.8300	RFQ	435	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	IDP18E120		标准		PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1200 v	2.15 V @ 18 A	195 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	31a	-
IDP23E60	-	RFQ	9456	Infineon技术	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-2	IDP23E		标准		PG-TO220-2-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v	2 V @ 23 A	120 ns	50 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	41a	-
IDP30E60XKSA1	1.2518	RFQ	3281	Infineon技术	-	管子	上次购买		通过洞	TO-220-2	IDP30		标准		PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v	2 V @ 30 A	126 ns	50 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	52.3a	-
IDP45E60XKSA1	1.5687	RFQ	1720年	Infineon技术	-	管子	上次购买		通过洞	TO-220-2	IPD45		标准		PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v	2 V @ 45 A	140 ns	50 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	71a	-
IDV04S60CXKSA1	-	RFQ	6861	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	过时的		通过洞	TO-220-2完整包	IDV04S60		SIC （碳化硅）		pg-to220-2完整包	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）													600 v	1.9 V @ 4 A	0 ns	50 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	4a	130pf @ 1V，1MHz
IDV05S60CXKSA1	-	RFQ	6510	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	过时的		通过洞	TO-220-2完整包	IDV05S60		SIC （碳化硅）		pg-to220-2完整包	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）													600 v	1.7 V @ 5 A	0 ns	70 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	5a	240pf @ 1V，1MHz
IDW75E60FKSA1	3.0100	RFQ	175	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	IDW75E60		标准		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v	2 V @ 75 A	121 ns	40 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	120a	-
IGA03N120H2XKSA1	1.8352	RFQ	9032	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IGA03	标准		29 W	pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500				800V，3A，82OHM，15V																		-	1200 v	3 a	9 a	2.8V @ 15V，3A	290µJ	8.6 NC	9.2NS/281NS
IGD01N120H2BUMA1	0.8552	RFQ	4564	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IGD01	标准		28 W	PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500				800V，1A，241OHM，15V																		-	1200 v	3.2 a	3.5 a	2.8V @ 15V，1A	140µJ	8.6 NC	13NS/370NS
IGP50N60TXKSA1	5.7200	RFQ	9063	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IGP50N60	标准		333 w	pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50				400V，50a，7ohm，15V																		沟渠场停止	600 v	100 a	150 a	2V @ 15V，50a	2.6MJ	310 NC	26NS/299NS
IGW08T120FKSA1	3.6300	RFQ	240	Infineon技术	Trechstop®	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IGW08T120	标准		70 W	PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30				600V，8a，81ohm，15V																		NPT，沟渠场停止	1200 v	16 a	24 a	2.2V @ 15V，8a	1.37MJ	53 NC	40NS/450NS
IGW40T120FKSA1	7.2900	RFQ	240	Infineon技术	Trechstop®	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IGW40T120	标准		270 w	PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30				600V，40a，15ohm，15V																		NPT，沟渠场停止	1200 v	75 a	105 a	2.3V @ 15V，40a	6.5MJ	203 NC	48NS/480NS
IHD06N60RA	-	RFQ	3414	Infineon技术	Trechstop®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		88 w	PG-TO252-3-11	下载		3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500				400V，6A，14.7OHM，15V																		沟	600 v	12 a	18 a	1.9V @ 15V，6A	150µJ	42 NC	25NS/125NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²