SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C
IPB45N06S409ATMA1 Infineon Technologies IPB45N06S409ATMA1 -
RFQ
ECAD 8862 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB45N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 45A(TC) 10V 9.1MOHM @ 45A,10V 4V @ 34µA 47 NC @ 10 V ±20V 3785 pf @ 25 V - 71W(TC)
IPB600N25N3GATMA1 Infineon Technologies IPB600N25N3GATMA1 3.2000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB600 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 250 v 25A(TC) 10V 60mohm @ 25a,10v 4V @ 90µA 29 NC @ 10 V ±20V 2350 pf @ 100 V - 136W(TC)
IPB80N06S4L05ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S4L05ATMA1 -
RFQ
ECAD 4621 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB80N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 80A(TC) 4.5V,10V 4.8mohm @ 80a,10v 2.2V @ 60µA 110 NC @ 10 V ±16V 8180 pf @ 25 V - 107W(TC)
IPD25N06S4L30ATMA1 Infineon Technologies IPD25N06S4L30ATMA1 -
RFQ
ECAD 3641 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD25N MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 25A(TC) 4.5V,10V 30mohm @ 25a,10v 2.2V @ 8µA 16.3 NC @ 10 V ±16V 1220 pf @ 25 V - 29W(TC)
IPD60R520C6BTMA1 Infineon Technologies IPD60R520C6BTMA1 -
RFQ
ECAD 5233 0.00000000 Infineon技术 Coolmos™C6 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 ipd60r MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 8.1A(TC) 10V 520MOHM @ 2.8A,10V 3.5V @ 230µA 23.4 NC @ 10 V ±20V 512 PF @ 100 V - 66W(TC)
IPG15N06S3L-45 Infineon Technologies IPG15N06S3L-45 -
RFQ
ECAD 5377 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn IPG15N MOSFET (金属 o化物) 21W PG-TDSON-8-4 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道(双) 55V 15a 45mohm @ 10a,10v 2.2V @ 10µA 20NC @ 10V 1420pf @ 25V 逻辑级别门
IPG20N06S3L-35 Infineon Technologies IPG20N06S3L-35 -
RFQ
ECAD 3757 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn IPG20N MOSFET (金属 o化物) 30W PG-TDSON-8-4 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道(双) 55V 20a 35mohm @ 11a,10v 2.2V @ 15µA 23nc @ 10V 1730pf @ 25V 逻辑级别门
IPI041N12N3GAKSA1 Infineon Technologies IPI041N12N3GAKSA1 6.3500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI041 MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 120 v 120A(TC) 10V 4.1MOHM @ 100A,10V 4V @ 270µA 211 NC @ 10 V ±20V 13800 PF @ 60 V - 300W(TC)
IPI120N06S403AKSA1 Infineon Technologies IPI120N06S403AKSA1 -
RFQ
ECAD 4754 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI120N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 60 V 120A(TC) 10V 3.2MOHM @ 100A,10V 4V @ 120µA 160 NC @ 10 V ±20V 13150 PF @ 25 V - 167W(TC)
IPI147N12N3GAKSA1 Infineon Technologies IPI147N12N3GAKSA1 -
RFQ
ECAD 9789 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI147 MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 120 v 56a(ta) 10V 14.7MOHM @ 56A,10V 4V @ 61µA 49 NC @ 10 V ±20V 3220 PF @ 60 V - 107W(TC)
IPI45N06S4L08AKSA1 Infineon Technologies IPI45N06S4L08AKSA1 -
RFQ
ECAD 9426 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI45N06 MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 60 V 45A(TC) 4.5V,10V 8.2MOHM @ 45A,10V 2.2V @ 35µA 64 NC @ 10 V ±16V 4780 pf @ 25 V - 71W(TC)
IPP065N04N G Infineon Technologies IPP065N04N g -
RFQ
ECAD 4903 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP065N MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 40 V 50A(TC) 10V 6.5MOHM @ 50a,10V 4V @ 200µA 34 NC @ 10 V ±20V 2800 PF @ 20 V - 68W(TC)
IPP120N06S402AKSA1 Infineon Technologies IPP120N06S402AKSA1 -
RFQ
ECAD 9961 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP120N MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 60 V 120A(TC) 10V 2.8MOHM @ 100A,10V 4V @ 140µA 195 NC @ 10 V ±20V 15750 PF @ 25 V - 188W(TC)
IPP120N06S4H1AKSA1 Infineon Technologies IPP120N06S4H1AKSA1 -
RFQ
ECAD 9186 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP120N MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 60 V 120A(TC) 10V 2.4MOHM @ 100A,10V 4V @ 200µA 270 NC @ 10 V ±20V 21900 PF @ 25 V - 250W(TC)
IPP126N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP126N10N3GXKSA1 1.5700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 不适合新设计 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP126 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 58A(TC) 6V,10V 12.3mohm @ 46A,10V 3.5V @ 46µA 35 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 50 V - 94W(TC)
IPP45N06S409AKSA1 Infineon Technologies IPP45N06S409AKSA1 -
RFQ
ECAD 5697 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ipp45n MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 60 V 45A(TC) 10V 9.4mohm @ 45a,10v 4V @ 34µA 47 NC @ 10 V ±20V 3785 pf @ 25 V - 71W(TC)
IPP600N25N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP600N25N3GXKSA1 3.2000
RFQ
ECAD 129 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ipp600 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 25A(TC) 10V 60mohm @ 25a,10v 4V @ 90µA 29 NC @ 10 V ±20V 2350 pf @ 100 V - 136W(TC)
IPP60R280C6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R280C6XKSA1 2.8600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP60R280 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 13.8A(TC) 10V 280MOHM @ 6.5a,10V 3.5V @ 430µA 43 NC @ 10 V ±20V 950 pf @ 100 V - 104W(TC)
IPP80N06S407AKSA1 Infineon Technologies IPP80N06S407AKSA1 -
RFQ
ECAD 7039 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ipp80n MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 60 V 80A(TC) 10V 7.4mohm @ 80a,10v 4V @ 40µA 56 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 79W(TC)
IPP90N06S404AKSA1 Infineon Technologies IPP90N06S404AKSA1 -
RFQ
ECAD 2523 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ipp90n MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 60 V 90A(TC) 10V 4MOHM @ 90A,10V 4V @ 90µA 128 NC @ 10 V ±20V 10400 PF @ 25 V - 150W(TC)
IPW60R099C6FKSA1 Infineon Technologies IPW60R099C6FKSA1 8.1900
RFQ
ECAD 240 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IPW60R099 MOSFET (金属 o化物) PG-TO247-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 37.9a(TC) 10V 99mohm @ 18.1a,10v 3.5V @ 1.21MA 119 NC @ 10 V ±20V 2660 pf @ 100 V - 278W(TC)
SGB30N60ATMA1 Infineon Technologies SGB30N60ATMA1 -
RFQ
ECAD 2230 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SGB30 标准 250 w pg-to263-3-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 400V,30a,11ohm,15V npt 600 v 41 a 112 a 2.4V @ 15V,30a 1.29mj 140 NC 44NS/291NS
SGI02N120XKSA1 Infineon Technologies SGI02N120XKSA1 -
RFQ
ECAD 1818年 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA SGI02N 标准 62 W pg-to262-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 800V,2a,91ohm,15V npt 1200 v 6.2 a 9.6 a 3.6V @ 15V,2A 220µJ 11 NC 23NS/260NS
SGP07N120XKSA1 Infineon Technologies SGP07N120XKSA1 3.0067
RFQ
ECAD 4969 0.00000000 Infineon技术 - 管子 上次购买 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SGP07N 标准 125 w pg-to220-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 800V,8a,47ohm,15V npt 1200 v 16.5 a 27 a 3.6V @ 15V,8a 1MJ 70 NC 27NS/440NS
SGP10N60AXKSA1 Infineon Technologies SGP10N60AXKSA1 -
RFQ
ECAD 2029 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SGP10N60 标准 92 w pg-to220-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 400V,10a,25ohm,15V npt 600 v 20 a 40 a 2.4V @ 15V,10a 320µJ 52 NC 28NS/178NS
SGW15N120FKSA1 Infineon Technologies SGW15N120FKSA1 -
RFQ
ECAD 5765 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 SGW15N 标准 198 W PG-TO247-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 240 800V,15a,33ohm,15V npt 1200 v 30 a 52 a 3.6V @ 15V,15a 1.9MJ 130 NC 18NS/580NS
SGW30N60HSFKSA1 Infineon Technologies SGW30N60HSFKSA1 -
RFQ
ECAD 3894 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 SGW30N 标准 250 w PG-TO247-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 240 400V,30a,11ohm,15V npt 600 v 41 a 112 a 3.15V @ 15V,30a 1.15MJ 141 NC 20NS/250NS
BSB053N03LP G Infineon Technologies BSB053N03LP g -
RFQ
ECAD 1041 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 3-wdson MOSFET (金属 o化物) MG-WDSON-2,CANPAK M™ 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V (17a)(ta),71a(tc) 4.5V,10V 5.3MOHM @ 30a,10v 2.2V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±20V 2700 pf @ 15 V - 2.3W(ta),42W(((TC)
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC042NE7NS3GATMA1 3.0800
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN BSC042 MOSFET (金属 o化物) PG-TDSON-8-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 75 v (19a)(100a ta)(TC) 10V 4.2MOHM @ 50a,10v 3.8V @ 91µA 69 NC @ 10 V ±20V 4800 PF @ 37.5 V - 2.5W(ta),125W(tc)
BSC600N25NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC600N25NS3GATMA1 3.5900
RFQ
ECAD 1710 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN BSC600 MOSFET (金属 o化物) PG-TDSON-8-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 250 v 25A(TC) 10V 60mohm @ 25a,10v 4V @ 90µA 29 NC @ 10 V ±20V 2350 pf @ 100 V - 125W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库