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![]() | IPB600N25N3GATMA1 | 3.2000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IPB600 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 250 v | 25A(TC) | 10V | 60mohm @ 25a,10v | 4V @ 90µA | 29 NC @ 10 V | ±20V | 2350 pf @ 100 V | - | 136W(TC) | |||||||||||||
![]() | IPB80N06S4L05ATMA1 | - | ![]() | 4621 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IPB80N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-3-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 60 V | 80A(TC) | 4.5V,10V | 4.8mohm @ 80a,10v | 2.2V @ 60µA | 110 NC @ 10 V | ±16V | 8180 pf @ 25 V | - | 107W(TC) | |||||||||||||
![]() | IPD25N06S4L30ATMA1 | - | ![]() | 3641 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IPD25N | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-11 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 25A(TC) | 4.5V,10V | 30mohm @ 25a,10v | 2.2V @ 8µA | 16.3 NC @ 10 V | ±16V | 1220 pf @ 25 V | - | 29W(TC) | |||||||||||||
![]() | IPD60R520C6BTMA1 | - | ![]() | 5233 | 0.00000000 | Infineon技术 | Coolmos™C6 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | ipd60r | MOSFET (金属 o化物) | pg-to252-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 8.1A(TC) | 10V | 520MOHM @ 2.8A,10V | 3.5V @ 230µA | 23.4 NC @ 10 V | ±20V | 512 PF @ 100 V | - | 66W(TC) | |||||||||||||
![]() | IPG15N06S3L-45 | - | ![]() | 5377 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | IPG15N | MOSFET (金属 o化物) | 21W | PG-TDSON-8-4 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道(双) | 55V | 15a | 45mohm @ 10a,10v | 2.2V @ 10µA | 20NC @ 10V | 1420pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||
![]() | IPG20N06S3L-35 | - | ![]() | 3757 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | IPG20N | MOSFET (金属 o化物) | 30W | PG-TDSON-8-4 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道(双) | 55V | 20a | 35mohm @ 11a,10v | 2.2V @ 15µA | 23nc @ 10V | 1730pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||
IPI041N12N3GAKSA1 | 6.3500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI041 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 120 v | 120A(TC) | 10V | 4.1MOHM @ 100A,10V | 4V @ 270µA | 211 NC @ 10 V | ±20V | 13800 PF @ 60 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||||
![]() | IPI120N06S403AKSA1 | - | ![]() | 4754 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI120N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3-1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 60 V | 120A(TC) | 10V | 3.2MOHM @ 100A,10V | 4V @ 120µA | 160 NC @ 10 V | ±20V | 13150 PF @ 25 V | - | 167W(TC) | ||||||||||||||
IPI147N12N3GAKSA1 | - | ![]() | 9789 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 在sic中停产 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI147 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 120 v | 56a(ta) | 10V | 14.7MOHM @ 56A,10V | 4V @ 61µA | 49 NC @ 10 V | ±20V | 3220 PF @ 60 V | - | 107W(TC) | ||||||||||||||
IPI45N06S4L08AKSA1 | - | ![]() | 9426 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI45N06 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 60 V | 45A(TC) | 4.5V,10V | 8.2MOHM @ 45A,10V | 2.2V @ 35µA | 64 NC @ 10 V | ±16V | 4780 pf @ 25 V | - | 71W(TC) | ||||||||||||||
![]() | IPP065N04N g | - | ![]() | 4903 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IPP065N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 40 V | 50A(TC) | 10V | 6.5MOHM @ 50a,10V | 4V @ 200µA | 34 NC @ 10 V | ±20V | 2800 PF @ 20 V | - | 68W(TC) | ||||||||||||||
![]() | IPP120N06S402AKSA1 | - | ![]() | 9961 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IPP120N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3-1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 60 V | 120A(TC) | 10V | 2.8MOHM @ 100A,10V | 4V @ 140µA | 195 NC @ 10 V | ±20V | 15750 PF @ 25 V | - | 188W(TC) | ||||||||||||||
![]() | IPP120N06S4H1AKSA1 | - | ![]() | 9186 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 在sic中停产 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IPP120N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 60 V | 120A(TC) | 10V | 2.4MOHM @ 100A,10V | 4V @ 200µA | 270 NC @ 10 V | ±20V | 21900 PF @ 25 V | - | 250W(TC) | |||||||||||||
![]() | IPP126N10N3GXKSA1 | 1.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IPP126 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 58A(TC) | 6V,10V | 12.3mohm @ 46A,10V | 3.5V @ 46µA | 35 NC @ 10 V | ±20V | 2500 PF @ 50 V | - | 94W(TC) | |||||||||||||
![]() | IPP45N06S409AKSA1 | - | ![]() | 5697 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 在sic中停产 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | ipp45n | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 60 V | 45A(TC) | 10V | 9.4mohm @ 45a,10v | 4V @ 34µA | 47 NC @ 10 V | ±20V | 3785 pf @ 25 V | - | 71W(TC) | |||||||||||||
![]() | IPP600N25N3GXKSA1 | 3.2000 | ![]() | 129 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | ipp600 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 250 v | 25A(TC) | 10V | 60mohm @ 25a,10v | 4V @ 90µA | 29 NC @ 10 V | ±20V | 2350 pf @ 100 V | - | 136W(TC) | |||||||||||||
![]() | IPP60R280C6XKSA1 | 2.8600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IPP60R280 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 13.8A(TC) | 10V | 280MOHM @ 6.5a,10V | 3.5V @ 430µA | 43 NC @ 10 V | ±20V | 950 pf @ 100 V | - | 104W(TC) | |||||||||||||
![]() | IPP80N06S407AKSA1 | - | ![]() | 7039 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 在sic中停产 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | ipp80n | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 60 V | 80A(TC) | 10V | 7.4mohm @ 80a,10v | 4V @ 40µA | 56 NC @ 10 V | ±20V | 4500 PF @ 25 V | - | 79W(TC) | |||||||||||||
![]() | IPP90N06S404AKSA1 | - | ![]() | 2523 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | ipp90n | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3-1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 60 V | 90A(TC) | 10V | 4MOHM @ 90A,10V | 4V @ 90µA | 128 NC @ 10 V | ±20V | 10400 PF @ 25 V | - | 150W(TC) | ||||||||||||||
![]() | IPW60R099C6FKSA1 | 8.1900 | ![]() | 240 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IPW60R099 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO247-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 37.9a(TC) | 10V | 99mohm @ 18.1a,10v | 3.5V @ 1.21MA | 119 NC @ 10 V | ±20V | 2660 pf @ 100 V | - | 278W(TC) | |||||||||||||
![]() | SGB30N60ATMA1 | - | ![]() | 2230 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SGB30 | 标准 | 250 w | pg-to263-3-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,30a,11ohm,15V | npt | 600 v | 41 a | 112 a | 2.4V @ 15V,30a | 1.29mj | 140 NC | 44NS/291NS | |||||||||||||||
![]() | SGI02N120XKSA1 | - | ![]() | 1818年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | SGI02N | 标准 | 62 W | pg-to262-3-1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 800V,2a,91ohm,15V | npt | 1200 v | 6.2 a | 9.6 a | 3.6V @ 15V,2A | 220µJ | 11 NC | 23NS/260NS | |||||||||||||||
![]() | SGP07N120XKSA1 | 3.0067 | ![]() | 4969 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SGP07N | 标准 | 125 w | pg-to220-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 800V,8a,47ohm,15V | npt | 1200 v | 16.5 a | 27 a | 3.6V @ 15V,8a | 1MJ | 70 NC | 27NS/440NS | ||||||||||||||
![]() | SGP10N60AXKSA1 | - | ![]() | 2029 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SGP10N60 | 标准 | 92 w | pg-to220-3-1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 400V,10a,25ohm,15V | npt | 600 v | 20 a | 40 a | 2.4V @ 15V,10a | 320µJ | 52 NC | 28NS/178NS | |||||||||||||||
![]() | SGW15N120FKSA1 | - | ![]() | 5765 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SGW15N | 标准 | 198 W | PG-TO247-3-1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | 800V,15a,33ohm,15V | npt | 1200 v | 30 a | 52 a | 3.6V @ 15V,15a | 1.9MJ | 130 NC | 18NS/580NS | |||||||||||||||
![]() | SGW30N60HSFKSA1 | - | ![]() | 3894 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SGW30N | 标准 | 250 w | PG-TO247-3-1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V,30a,11ohm,15V | npt | 600 v | 41 a | 112 a | 3.15V @ 15V,30a | 1.15MJ | 141 NC | 20NS/250NS | |||||||||||||||
BSB053N03LP g | - | ![]() | 1041 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 3-wdson | MOSFET (金属 o化物) | MG-WDSON-2,CANPAK M™ | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | (17a)(ta),71a(tc) | 4.5V,10V | 5.3MOHM @ 30a,10v | 2.2V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ±20V | 2700 pf @ 15 V | - | 2.3W(ta),42W(((TC) | ||||||||||||||||
![]() | BSC042NE7NS3GATMA1 | 3.0800 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | BSC042 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TDSON-8-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 75 v | (19a)(100a ta)(TC) | 10V | 4.2MOHM @ 50a,10v | 3.8V @ 91µA | 69 NC @ 10 V | ±20V | 4800 PF @ 37.5 V | - | 2.5W(ta),125W(tc) | |||||||||||||
![]() | BSC600N25NS3GATMA1 | 3.5900 | ![]() | 1710 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | BSC600 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TDSON-8-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 250 v | 25A(TC) | 10V | 60mohm @ 25a,10v | 4V @ 90µA | 29 NC @ 10 V | ±20V | 2350 pf @ 100 V | - | 125W(TC) |
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