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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
D901S45T	-	RFQ	2357	Infineon技术	-	大部分	积极的			底盘安装	do-200AD	D901S45			标准			-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	SP000091324	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																		4500 v	3.5 V @ 2500 A	250 ma @ 4500 V	-40°C〜125°C	1225a	-
AUIRF1010ZSTRL	2.2781	RFQ	9578	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						55 v	75A（TC）		7.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V		2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IPG20N04S4L07AATMA1	1.7800	RFQ	1573年	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	IPG20N			MOSFET （金属 o化物）	65W		PG-TDSON-8-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）								40V	20a		7.2mohm @ 17a，10v	2.2V @ 30µA	50NC @ 10V		3980pf @ 25V	逻辑级别门
BCR 198F E6327	-	RFQ	1306	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-723	BCR 198				250兆		PG-TSFP-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																											50 V	100 ma							100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	190 MHz	47科姆斯	47科姆斯
PTF180101S V1	-	RFQ	1944年	Infineon技术	Goldmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	H-32259-2			1.99GHz	ldmos			H-32259-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500				1µA		180 MA	10W	19db											-															28 V
BC848CWH6327XTSA1	0.0534	RFQ	6815	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC848				250兆		PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																											30 V	100 ma							15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
IPD50R520CP	-	RFQ	4818	Infineon技术	Coolmos™CP	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50R			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000236063	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						500 v	7.1A（TC）	10V	520MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 100 V	-	66W（TC）
FS75R17KE3BOSA1	229.9300	RFQ	5105	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FS75R17				465 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥																									-	1700 v	130 a		2.45V @ 15V，75A					5 ma	是的	6.8 nf @ 25 V
IPI100N06S3L-03	-	RFQ	8595	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI100N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						55 v	100A（TC）	5V，10V	3mohm @ 80a，10v	2.2V @ 230µA	550 NC @ 10 V	±16V	26240 pf @ 25 V	-	300W（TC）
D629N44TPR	117.0200	RFQ	34	Infineon技术	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	1
FZ600R12KE4HOSA1	161.5400	RFQ	20	Infineon技术	c	托盘	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FZ600R12				3000 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																									-	1200 v	600 a		2.1V @ 15V，600A					5 ma	不	1.7 nf @ 25 V
BFP420H6327XTSA1	0.6900	RFQ	24	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP420				160MW		PG-SOT343-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000								21dB																			5V	35mA										NPN		60 @ 20mA，4V	25GHz			1.1db @ 1.8GHz
SPP02N60C3XKSA1	-	RFQ	8204	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp02n			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						600 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	3.9V @ 80µA	12.5 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRF7526D1TR	-	RFQ	1153	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）			micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道						30 V	2A（TA）	4.5V，10V	200mohm @ 1.2A，10V	1V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
FS100R12KE3_B3	-	RFQ	9021	Infineon技术	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS100R12				480 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																									npt	1200 v	140 a		2.15V @ 15V，100A					5 ma	不	7.1 NF @ 25 V
D126A45CXPSA1	-	RFQ	9026	Infineon技术	-	大部分	过时的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	D126A45			标准			-	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																		4500 v		30 ma @ 4500 V	-40°C〜160°C	200a	-
IRFH5025TR2PBF	-	RFQ	3304	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	8-Powervdfn				MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道						250 v	3.8A（TA）		100mohm @ 5.7a，10v	5V @ 150µA	56 NC @ 10 V		2150 pf @ 50 V	-
BFP450H6327	-	RFQ	5431	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343					450MW		PG-SOT343-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000								15.5db																			5V	100mA										NPN		60 @ 50mA，4V	24GHz			1.25dB @ 1.8GHz
FP40R12KT3GBOSA1	167.2100	RFQ	9	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FP40R12				210 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																									-	1200 v	55 a		2.3V @ 15V，401a					5 ma	是的	2.5 nf @ 25 V
SN7002W E6433	-	RFQ	3147	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SN7002W			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道						60 V	230ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 230mA，10v	1.8V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	45 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
SIPC10N65C3X1SA1	-	RFQ	2899	Infineon技术	-	大部分	过时的		-	-	-				-			-	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000655832	Ear99	8541.29.0095	1			-							-	-	-	-		-		-	-
SIGC04T60EX1SA2	-	RFQ	2116	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC04	标准					死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1					-																					沟渠场停止	600 v	6 a	18 a	1.9V @ 15V，6A	-		-
IPB100N06S3-04	-	RFQ	6238	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB100N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						55 v	100A（TC）	10V	4.1MOHM @ 80A，10V	4V @ 150µA	314 NC @ 10 V	±20V	14230 PF @ 25 V	-	214W（TC）
irlu3110zpbf	1.8400	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRLU3110			MOSFET （金属 o化物）			IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道						100 v	42A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 38a，10v	2.5V @ 100µA	48 NC @ 4.5 V	±16V	3980 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRF1010ZSTRRPBF	-	RFQ	7626	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001563024	Ear99	8541.29.0095	800			n通道						55 v	75A（TC）	10V	7.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
BCV28E6327HTSA1	0.1100	RFQ	16	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					1 w		PG-SOT89-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																											30 V	500 MA							100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	200MHz
AIKQ100N60CTXKSA1	15.3400	RFQ	4358	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AIKQ100	标准			714 w		PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，100A，3.6ONM，15V																					沟渠场停止	600 v	160 a	400 a	2V @ 15V，100a	3.1mj（在）上，2.5MJ off）	610 NC	30NS/290NS
SGB15N60	1.1300	RFQ	2	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SGB15N	标准			139 w		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1					400V，15A，21OHM，15V																					npt	600 v	31 a	62 a	2.4V @ 15V，15a	570µJ	76 NC	32NS/234NS
IRFSL4020PBF	-	RFQ	1861年	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001565208	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						200 v	18A（TC）	10V	105mohm @ 11a，10v	4.9V @ 100µA	29 NC @ 10 V	±20V	1200 PF @ 50 V	-	100W（TC）
IRF7241	-	RFQ	9448	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			P通道						40 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	41MOHM @ 6.2A，10V	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3220 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²