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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	电流 -最大	测试条件	获得	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
BGR420H6327	0.1700	RFQ	222	Infineon技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343				120MW		PG-SOT343-4-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,000					26dB												13V	25mA												NPN		-	-	1.5db〜1.7dB @ 400MHz〜1.8GHz
BAS4007WH6327	0.1200	RFQ	6	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-82A，SOT-343	BAS4007		肖特基			PG-SOT343-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度					2独立	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C
ILD03N60	0.1900	RFQ	1024	Infineon技术	Lightmos	大部分	积极的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		27 W		pg-to252-3-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,343				400V，0.8A，60OHM，10V							250 ns					-	600 v	4.5 a	5.5 a	2.9V @ 10V，3A	12 µj（在）上，20µJ（20µJ）（离）	8.5 NC	15NS/100NS
BAS4006WE6327	0.0300	RFQ	36	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BAS40		肖特基			SOT-323	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度					1对公共阳极	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	150°C （最大）
BC858AE6327	1.0000	RFQ	6606	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																	30 V	100 ma								15NA（icbo）				PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	250MHz
BAS28E6327	1.0000	RFQ	7034	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAS28		标准			PG-SOT-143-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度					2独立	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	100 na @ 75 V	150°C （最大）
BAR6405WE6433	0.0300	RFQ	2222	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-70，SOT-323						PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	7,000			100 ma			250兆									0.35pf @ 20V，1MHz									PIN-单	150V				1.35OHM @ 100mA，100MHz
BC849CE6327	-	RFQ	8276	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																	30 V	100 ma								15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
BC850CE6327	-	RFQ	9110	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																	45 v	100 ma								15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
BC856S E6433	0.0300	RFQ	8372	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC856			250MW		SOT-363	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,666																	65V	100mA								15NA（icbo）				2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
BAS40-06B5000	0.0300	RFQ	137	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS40		SIC （碳化硅）			PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	10,000		没有恢复t> 500mA（IO）					1对公共阳极	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA	0 ns	1 µA @ 30 V	150°C
BAS116E6327	-	RFQ	1619年	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			标准			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）						80 V		1.25 V @ 150 mA	1.5 µs	5 na @ 75 V	150°C （最大）	250mA	2pf @ 0v，1MHz
BAR6302WH6327	-	RFQ	9185	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-80						SCD-80	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1			100 ma			250兆									0.3pf @ 5V，1MHz									PIN-单	50V				1 OHM @ 10mA，100MHz
BAS40-05WH6327	0.0900	RFQ	169	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BAS40		肖特基			PG-SOT323-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度					1对普通阴极	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C
BAS40B5000	0.0300	RFQ	90	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS40		肖特基			PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度						40 V		1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C	120mA	3pf @ 0v，1MHz
BC857SE6327	0.0300	RFQ	4391	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC857			250MW		SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,475																	45V	100mA								15NA（icbo）				2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
FF450R07ME4BOSA1	208.7800	RFQ	8785	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF450R07			20兆	标准	Ag-Econod-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10	2独立															沟渠场停止	650 v	450 a		1.95V @ 15V，450a						1 MA	是的	27.5 nf @ 25 V
FF300R07ME4BOSA1	169.5600	RFQ	4	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF300R07			20兆	标准	Ag-Econod-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10	2独立															沟渠场停止	650 v	300 a		1.95V @ 15V，300A						1 MA	是的	18.5 nf @ 25 V
FS150R07N3E4_B11	182.3800	RFQ	68	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				430 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2	三相逆变器															沟渠场停止	650 v	150 a		1.95V @ 15V，150a						1 MA	是的	9.3 NF @ 25 V
FS300R120E4B0SA1	-	RFQ	5062	Infineon技术	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
BC847BE6433	0.0300	RFQ	14	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	9,427																	45 v	100 ma								15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
BFP 405 H6740	0.1600	RFQ	3	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343				75MW		PG-SOT343-4	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000					23dB												5V	25mA												NPN		60 @ 5mA，4V	25GHz	1.25dB @ 1.8GHz
BC818K-40E6327	0.0400	RFQ	32	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				500兆		PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	7,532																	25 v	500 MA								100NA（ICBO）					700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	170MHz
BFN39H6327	0.2000	RFQ	11	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.5 w		SOT-223	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1,615																	300 v	200 ma								100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 10mA，10v	100MHz
BFP420H6433	0.1800	RFQ	80	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343				210MW		PG-SOT343-4-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	10,000					21dB												4.5V	60mA												NPN		60 @ 20mA，4V	25GHz	1.1db @ 1.8GHz
AUIRFC8407TR	0.5200	RFQ	2	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0040	1
FS450R12KE4BDSA1	734.6700	RFQ	1	Infineon技术	Econopack™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				2250 w	标准	AG-ECONOPP-1-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	全桥															沟渠场停止	1200 v	675 a		2.1V @ 15V，450a						3 ma	是的	28 NF @ 25 V
FF200R12MT4	1.0000	RFQ	4445	Infineon技术	EconoDual™2	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				1050 w	标准	Ag-Econod-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	半桥															沟渠场停止	1200 v	295 a		2.15V @ 15V，200a						1 MA	是的	14 NF @ 25 V
BFP450H6327	-	RFQ	5431	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343				450MW		PG-SOT343-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,000					15.5db												5V	100mA												NPN		60 @ 50mA，4V	24GHz	1.25dB @ 1.8GHz
BFN26E6327	1.0000	RFQ	2428	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				360兆w		PG-SOT23-3-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000																	300 v	200 ma								100NA（ICBO）					500mv @ 2mA，20mA	30 @ 30mA，10v	70MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²