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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IPP65R380C6	-	RFQ	8705	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载						0000.00.0000	1			n通道						650 v	10.6A（TC）	10V	380MOHM @ 3.2A，10V	3.5V @ 320µA	39 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 100 V	-	83W（TC）
TD61N1625KOFHPSA1	-	RFQ	5672	Infineon技术	-	托盘	过时的					TD61N						-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	15
IRLR8256TRPBF	-	RFQ	4722	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IRLR8256		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						25 v	81A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 25µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1470 pf @ 13 V	-	63W（TC）
IPS050N03LGBKMA1	-	RFQ	4516	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK				MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000264170	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道						30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	31 NC @ 10 V		3200 PF @ 15 V	-	68W（TC）
DD98N22KHPSA1	136.4800	RFQ	15	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	模块		DD98N22		标准			模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	15		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1对系列连接	2200 v	98a	1.53 V @ 300 A		25 ma @ 2200 V	-40°C〜150°C
IPP60R280P7XKSA1	2.6000	RFQ	9796	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP60R280		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						600 v	12A（TC）	10V	280MOHM @ 3.8A，10V	4V @ 190µA	18 nc @ 10 V	±20V	761 PF @ 400 V	-	53W（TC）
IRSM636-015MB	6.2798	RFQ	5949	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计			-	-	IRSM636						下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP001539614	Ear99	8542.39.0001	800	-							-
IRAMS06UP60A-2	-	RFQ	9173	Infineon技术	Imotion™	管子	过时的		通过洞	23-Powersip模块，19条线索，形成铅	IGBT							下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	3期					6 a	600 v	2000vrms
BSC030N03LSGATMA1	1.1800	RFQ	24	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSC030		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						30 V	（23A）（TA），100A （TC）	4.5V，10V	3mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），69w（tc）
IRG4BC40SPBF	-	RFQ	8872	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IRG4BC40	标准		160 w		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001535562	Ear99	8541.29.0095	1,000					480V，31a，10ohm，15V																														-	600 v	60 a	120 a	1.5V @ 15V，31a	450µJ（在）上，6.5MJ（6.5MJ）	100 NC	22NS/650NS
auirfs8407trl	4.7700	RFQ	290	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		AUIRF8407		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						40 V	195a（TC）	10V	1.8mohm @ 100a，10v	4V @ 150µA	225 NC @ 10 V	±20V	7330 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IPI023NE7N3 g	-	RFQ	2803	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		IPI023N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						75 v	120A（TC）		2.3MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 273µA	206 NC @ 10 V		14400 PF @ 37.5 V	-	300W（TC）
SDT05S60XK	2.3700	RFQ	700	Infineon技术	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2				SIC （碳化硅）			pg-to220-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		没有恢复t> 500mA（IO）																								600 v		1.7 V @ 5 A	0 ns	200 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	5a	170pf @ 1V，1MHz
IDP09E120XKSA1	0.7700	RFQ	5	Infineon技术	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2				标准			pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								1200 v		2.15 V @ 9 A	140 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	23a	-
BCP5116H6327XTSA1	0.2968	RFQ	7762	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		BCP51			2 w		PG-SOT223-4-24	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																				45 v	1 a						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	125MHz
SDT05S60	-	RFQ	5434	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	过时的		通过洞	TO-220-2		SDT05S		SIC （碳化硅）			PG-TO220-2-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）																								600 v		1.7 V @ 5 A	0 ns	200 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	5a	170pf @ 1V，1MHz
IRLU3714	-	RFQ	8226	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irlu3714	Ear99	8541.29.0095	75			n通道						20 v	36a（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	±20V	670 pf @ 10 V	-	47W（TC）
TD370N18KOFHPSA1	287.0900	RFQ	6	Infineon技术	*	托盘	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3
TZ800N16KOFHPSA3	448.0400	RFQ	1	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块		TZ800N16				单身的		下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				500 MA															1.6 kV	1500 a	2 v	35000a @ 50Hz	250 MA	819 a										1 scr
IRF7464TRPBF	-	RFQ	9430	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道						200 v	1.2A（TA）	10V	730mohm @ 720mA，10v	5.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	280 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
BSL306NL6327HTSA1	-	RFQ	6539	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		BSL306		MOSFET （金属 o化物）	500MW		PG-TSOP6-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）								30V	2.3a		57MOHM @ 2.3a，10V	2V @ 11µA	1.6NC @ 5V		275pf @ 15V	逻辑级别门
IRG4PC50KPBF	-	RFQ	4416	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IRG4PC50	标准		200 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400					480V，30a，5ohm，15V																														-	600 v	52 a	104 a	2.2V @ 15V，30a	490µJ（在）上，680µJ降低）	200 NC	38NS/160NS
T740N22TOFXPSA1	192.7600	RFQ	9	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	夹紧	DO-200AB，B-PUK		T740N22				单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	9				300 MA															2.6 kV	1500 a	2.2 v	13000a @ 50Hz	250 MA	745 a										1 scr
BAT6402WH6327XTSA1	-	RFQ	6186	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，BAT64	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-80		BAT64		肖特基			SCD-80	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																								40 V		750 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C （最大）	120mA	6pf @ 1V，1MHz
BCX71GE6327	0.0400	RFQ	47	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	7,454																																				45 v	100 ma						20NA（ICBO）	PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	120 @ 2mA，5V	250MHz
IRF7807D1TR	-	RFQ	9185	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001577472	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道						30 V	8.3a（ta）	4.5V	25mohm @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±12V		Schottky 二极管（孤立）	2.5W（TA）
IPP65R225C7	-	RFQ	2113	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载						0000.00.0000	1			n通道						650 v	11A（TC）	10V	225MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 240µA	20 nc @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 V	-	63W（TC）
T1930N38TOFVTXPSA1	1.0000	RFQ	3628	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	do-200ae		T1930N38				单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2				300 MA															3.8 kV	4200 a	3 V	40000A @ 50Hz	300 MA	2180 a										1 scr
AIMZHN120R120M1TXKSA1	12.1686	RFQ	7276	Infineon技术	*	管子	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-AIMZHN120R120M1TXKSA1			240
SN7002NH6433XTMA1	0.3900	RFQ	9	Infineon技术	SIPMOS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SN7002		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道						60 V	200ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	1.8V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	45 pf @ 25 V	-	360MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²