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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRFZ444 ESTRLPBF	1.7800	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ44		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		60 V	48A（TC）	10V	23mohm @ 29a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1360 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRF5804TRPBF	-	RFQ	9989	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		Micro6™tsop-6）	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		40 V	2.5a（ta）	4.5V，10V	198mohm @ 2.5a，10v	3V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	2W（TA）
IRF9540NSTRLPBF	2.4900	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9540		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道		100 v	23A（TC）	10V	117MOHM @ 14A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），110W（tc）
IRL3502STRLPBF	-	RFQ	1629年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		20 v	110A（TC）	4.5V，7V	7mohm @ 64a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	110 NC @ 4.5 V	±10V	4700 PF @ 15 V	-	140W（TC）
IRG4BC20UDSTRLP	-	RFQ	5762	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		60 W	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			480V，6.5a，50ohm，15V											37 ns	-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	160µJ（在）上，130µJ（OFF）	27 NC	39NS/93NS
IRF7523D1TRPBF	-	RFQ	1648年	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		Micro8™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		30 V	2.7a（ta）	4.5V，10V	130MOHM @ 1.7A，10V	1V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	210 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
IRF7526D1TRPBF	-	RFQ	1930年	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		Micro8™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道		30 V	2A（TA）	4.5V，10V	200mohm @ 1.2A，10V	1V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
IRL3705ZSTRLPBF	2.0500	RFQ	927	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL3705		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		55 v	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2880 pf @ 25 V	-	130W（TC）
IRF5810TRPBF	-	RFQ	9604	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	IRF58		MOSFET （金属 o化物）	960MW	6-TSOP	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	2.9a		90MOHM @ 2.9a，4.5V	1.2V @ 250µA	9.6nc @ 4.5V		650pf @ 16V	逻辑级别门
IRL3716STRLPBF	-	RFQ	9372	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001578504	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		20 v	180a（TC）	4.5V，10V	4MOHM @ 90A，10V	3V @ 250µA	79 NC @ 4.5 V	±20V	5090 pf @ 10 V	-	210W（TC）
IRG4BC20K-STRLP	-	RFQ	9082	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		60 W	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			480V，9a，50ohm，15V												-	600 v	16 a	32 a	2.8V @ 15V，9a	（150µJ）（在），250µJ（250µJ）中	34 NC	28NS/150NS
IRFR3911TRPBF	-	RFQ	6687	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001560664	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		100 v	14A（TC）	10V	115MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	56W（TC）
IRF7703GTRPBF	-	RFQ	7860	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道		40 V	6a（6a）	4.5V，10V	28mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	62 NC @ 4.5 V	±20V	5220 PF @ 25 V	-	1.5W（TA）
IRF7701GTRPBF	-	RFQ	3659	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道		12 v	10a（10a）	1.8V，4.5V	11mohm @ 10a，4.5V	1.2V @ 250µA	100 NC @ 4.5 V	±8V	5050 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
IRF7702GTRPBF	-	RFQ	2171	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道		12 v	8a（8a）	1.8V，4.5V	14mohm @ 8a，4.5V	1.2V @ 250µA	81 NC @ 4.5 V	±8V	3470 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
IRF2903ZSTRLP	-	RFQ	8961	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		30 V	75A（TC）	10V	2.4MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	240 NC @ 10 V	±20V	6320 PF @ 25 V	-	290W（TC）
IRFH7932TRPBF	1.2100	RFQ	19	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH7932		MOSFET （金属 o化物）		PQFN（5x6）单个死亡	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		30 V	24A（24A），104A （TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 25a，10v	2.35V @ 100µA	51 NC @ 4.5 V	±20V	4270 pf @ 15 V	-	3.4W（TA）
IRF7756GTRPBF	-	RFQ	3304	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IRF775		MOSFET （金属 o化物）	1W	8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）			12V	4.3a		40mohm @ 4.3a，4.5V	900mv @ 250µA	18NC @ 4.5V		1400pf @ 10V	逻辑级别门
IRFS4321TRLPBF	3.8500	RFQ	10	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS4321		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		150 v	85A（TC）	10V	15mohm @ 33a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4460 pf @ 25 V	-	350W（TC）
IRF8736TRPBF	0.7800	RFQ	2845	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF8736		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		30 V	18A（18A）	4.5V，10V	4.8mohm @ 18a，10v	2.35V @ 50µA	26 NC @ 4.5 V	±20V	2315 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRLR2908TRLPBF	-	RFQ	1144	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		80 V	30A（TC）	4.5V，10V	28mohm @ 23A，10V	2.5V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±16V	1890 pf @ 25 V	-	120W（TC）
IRF6714MTR1PBF	-	RFQ	7328	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		25 v	29a（ta），166a （TC）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 29A，10V	2.4V @ 100µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	3890 pf @ 13 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRF1010EZSTRLP	1.7200	RFQ	11	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF1010		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		60 V	75A（TC）	10V	8.5MOHM @ 51A，10V	4V @ 100µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRF6722STR1PBF	-	RFQ	5348	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距St			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™st	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		30 V	（13a）（ta），58a tc）	4.5V，10V	7.3MOHM @ 13A，10V	2.4V @ 50µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1320 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IRLR8721TRPBF	-	RFQ	5522	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		30 V	65A（TC）	4.5V，10V	8.4mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	65W（TC）
IRFS3806TRLPBF	1.4100	RFQ	21	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS3806		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		60 V	43A（TC）	10V	15.8mohm @ 25a，10v	4V @ 50µA	30 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 50 V	-	71W（TC）
IRF7103QTRPBF	-	RFQ	6027	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF71		MOSFET （金属 o化物）	2.4W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）			50V	3a		130MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	15nc @ 10V		255pf @ 25V	-
IRF7309QTRPBF	-	RFQ	4310	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73		MOSFET （金属 o化物）	1.4W	8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n和p通道			30V	4a，3a		50mohm @ 2.4a，10v	1V @ 250µA	25nc @ 4.5V		520pf @ 15V	-
IRF7343QTRPBF	-	RFQ	9892	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF734		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n和p通道			55V	4.7a，3.4a		50mohm @ 4.7A，10V	1V @ 250µA	36NC @ 10V		740pf @ 25V	-
IRF7380QTRPBF	-	RFQ	8285	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7380		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）			80V	3.6a		73mohm @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	23nc @ 10V		660pf @ 25V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²