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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
SMBTA14E6327XT	0.1000	RFQ	30	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					330兆			PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,112																																					30 V	300 MA						100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
IRFS4321Trl7pp	2.8400	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		IRFS4321		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道							150 v	86A（TC）	10V	14.7mohm @ 34a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4460 pf @ 50 V	-	350W（TC）
IRFS4620TRLPBF	2.4900	RFQ	32	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IRFS4620		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道							200 v	24A（TC）	10V	77.5MOHM @ 15A，10V	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 50 V	-	144W（TC）
IRFH4210DTRPBF	2.5800	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		IRFH4210		MOSFET （金属 o化物）				PQFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道							25 v	44A（TA）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 50A，10V	2.1V @ 100µA	77 NC @ 10 V	±20V	4812 PF @ 13 V	-	3.5W（TA），125W（tc）
BCR133WE6327	-	RFQ	7553	Infineon技术	*	大部分	积极的					BCR133							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BAS40-04B5000	1.0000	RFQ	6554	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAS40		肖特基				PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																								1对系列连接	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C
irlr3715ztrrpbf	-	RFQ	2279	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000			n通道							20 v	49A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	810 pf @ 10 V	-	40W（TC）
IDH04SG60CXKSA2	2.9100	RFQ	486	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-220-2		IDH04SG60		SIC （碳化硅）				pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）																									600 v		2.3 V @ 4 A	0 ns	25 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	4a	80pf @ 1V，1MHz
IRDM983-025MB	-	RFQ	1357	Infineon技术	Imotion™	托盘	过时的					IRDM983							-		3（168））	到达不受影响	SP001548438	过时的	0000.00.0000	800
IM241M6T2JAKMA1	11.1400	RFQ	688	Infineon技术	IM241，CIPOS™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞			IM241M6			13 W		标准	23浸	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																																			-	600 v			1.58V @ 15V，1A					是的
BCR 191L3 E6327	-	RFQ	8615	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-101，SOT-883		BCR 191			250兆			PG-TSLP-3-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																																					50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5v	200 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
IPB120N08S404ATMA1	4.1300	RFQ	2492	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB120		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							80 V	120A（TC）	10V	4.1MOHM @ 100A，10V	4V @ 120µA	95 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 25 V	-	179W（TC）
2PS13512E43W39689NOSA1	-	RFQ	9939	Infineon技术	Primestack™	大部分	过时的	-25°C〜55°C	底盘安装	模块		2PS13512					标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8543.70.9860	1	三相逆变器																																			沟渠场停止	1200 v			-					是的
BFP 405 H6433	-	RFQ	1840年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343		BFP 405			75MW			PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000						23dB																															5V	25mA									NPN		60 @ 5mA，4V	25GHz			1.25dB @ 1.8GHz
F4250R07W2H5FB11BPSA1	52.0800	RFQ	8201	Infineon技术	-	托盘	积极的												-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-F4250R07W2H5FB11BPSA1			15
FF300R12ME4PB11BPSA1	214.0950	RFQ	8993	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FF300R12			20兆		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	半桥																																			沟渠场停止	1200 v	600 a		2.1V @ 15V，300A				3 ma	是的	18.5 nf @ 25 V
IMBG120R017M2HXTMA1	23.2180	RFQ	5363	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的												-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IMBG120R017M2HXTMA1TR			1,000
TD520N22KOFXPSA1	312.1400	RFQ	8637	Infineon技术	TD	托盘	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块						系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.30.0080	2				300 MA																2.2 kV	1.05 ka	2.2 v	18000a @ 50Hz	250 MA	520 a										1 sc，1二极管
FF17MR12W1M1HB11BPSA1	141.7000	RFQ	24	Infineon技术	COOLSIC™	托盘	积极的	-	底盘安装	模块		FF17MR12		MOSFET （金属 o化物）	-			ag-easy1b	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	-									1200V（1.2kV）	-		-	-	-		-	-
BCW60FE6327	-	RFQ	6244	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					330兆			PG-SOT23-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																																					32 v	100 ma						20NA（ICBO）			NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	-	250MHz
IMBG65R039M1HXTMA1	15.6600	RFQ	2599	Infineon技术	COOLSIC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA		IMBG65		sicfet （碳化硅）				PG-TO263-7-12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							650 v	54A（TC）	18V	51mohm @ 25a，18v	5.7V @ 7.5mA	41 NC @ 18 V	+23V，-5V	1393 PF @ 400 V	-	211W（TC）
F3L75R12W1H3B11BPSA1	64.3800	RFQ	24	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块		F3L75R12			275 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	单菜器																																			-	1200 v	45 a		1.7V @ 15V，30a				1 MA	是的	4.4 NF @ 25 V
DD241S14KHPSA1	-	RFQ	6248	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	模块				标准				模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								1对系列连接	1400 v	240a	1.55 V @ 800 A		200 ma @ 1400 V	-40°C〜150°C
IRGS4607DTRRPBF	-	RFQ	7466	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		58 w			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001545246	Ear99	8541.29.0095	800					400V，4A，100OHM，15V																									48 ns						-	600 v	11 a	12 a	2.05V @ 15V，4A	（140µJ）（在62µJ上）	9 NC	27NS/120NS
IRFS7437pbf	-	RFQ	5581	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001573442	Ear99	8541.29.0095	50			n通道							40 V	195a（TC）	6V，10V	1.8mohm @ 100a，10v	3.9V @ 150µA	225 NC @ 10 V	±20V	7330 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IRAMX16UP60A-2	-	RFQ	3085	Infineon技术	Imotion™	管子	过时的		通过洞	23-Powersip模块，19条线索，形成铅	IGBT								下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	3期						16 a	600 v	2000vrms
T2251N70TOHXPSA1	-	RFQ	1151	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AF		T2251N70				单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				350 MA																8 kV	3550 a	2.5 v	67000a @ 50Hz	350 MA	3140 a										1 scr
IRAM136-1060BS	-	RFQ	2207	Infineon技术	Imotion™	管子	在sic中停产		通过洞	29-Powerssip模块，21个线索，形成铅	IGBT								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	110	3期						10 a	600 v	2000vrms
IRF3707ZL	-	RFQ	1460	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3707ZL	Ear99	8541.29.0095	50			n通道							30 V	59A（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 21a，10V	2.25V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	57W（TC）
IPL65R165CFDAUMA2	2.4916	RFQ	3744	Infineon技术	CoolMos™CFD2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN		IPL65R		MOSFET （金属 o化物）				PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道							650 v	21.3a（TC）	10V	165mohm @ 9.3a，10v	4.5V @ 900µA	86 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 100 V	-	（195W）（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²