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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BAV199E6433HTMA1	0.4300	RFQ	77	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV199		标准				PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																					1对系列连接	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	1.5 µs	5 na @ 75 V	150°C （最大）
IRFH5304TR2PBF	-	RFQ	7285	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）				8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道				30 V	22a（22A），79a （TC）		4.5MOHM @ 47A，10V	2.35V @ 50µA	41 NC @ 10 V		2360 pf @ 10 V	-
IDH20G65C6XKSA1	8.1100	RFQ	3	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	IDH20G65		SIC （碳化硅）				pg-to220-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）																						650 v		1.35 V @ 20 A	0 ns	67 µA @ 420 V	-55°C 〜175°C	41a	970pf @ 1V，1MHz
TD140N22KOFHPSA2	191.0825	RFQ	8184	Infineon技术	-	托盘	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	8					200 ma												2.2 kV	250 a	2 v	4000a @ 50Hz	150 ma	159 a										1 sc，1二极管
BC849CWE6327	0.0200	RFQ	18	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				250兆			PG-SOT323-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	18,997																																		30 V	100 ma								15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
BAT6207WH6327XTSA1	-	RFQ	1947年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）		SC-82A，SOT-343	BAT6207						PG-SOT343-4-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000				20 ma												100兆															0.6pf @ 0v，1MHz										Schottky -2独立	40V				-
irfr1205pbf	-	RFQ	6173	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR1205		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道				55 v	44A（TC）	10V	27mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	107W（TC）
IRG4BC20K-S	-	RFQ	2205	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		60 W			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC20K-S	Ear99	8541.29.0095	50						480V，9a，50ohm，15V																											-	600 v	16 a	32 a	2.8V @ 15V，9a	（150µJ）（在），250µJ（250µJ）中	34 NC	28NS/150NS
IPTG111N20NM3FDATMA1	8.3200	RFQ	59	Infineon技术	Optimos™3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼	IPTG111N		MOSFET （金属 o化物）				PG-HSOG-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道				200 v	10.8a（ta），108a tc）	10V	11.1MOHM @ 96A，10V	4V @ 267µA	81 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 100 V	-	3.8W（TA），375W（tc）
IPQC60T017S7AXTMA1	12.7508	RFQ	6892	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IPQC60T017S7AXTMA1TR			750
FP50R12KT4PBPSA1	150.3600	RFQ	8778	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FP50R12			20兆		三相桥梁整流器	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																																沟渠场停止	1200 v	100 a		2.15V @ 15V，25a						1 MA	是的	1.45 NF @ 25 V
IPN65R1K5CE	-	RFQ	8287	Infineon技术	CoolMos™CE	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-3			MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223	下载						0000.00.0000	857			n通道				650 v	5.2A（TC）	10V	1.5OHM @ 1A，10V	3.5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	225 pf @ 100 V	-	5W（TC）
AIKQ120N75CP2XKSA1	16.8100	RFQ	7551	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AIKQ120	标准		682 w			PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30						470V，120A，5OHM，15V																											-	750 v	150 a	360 a	1.5V @ 15V，120a	6.82MJ（在）上，3.8MJ off）	731 NC	71NS/244NS
BSP135L6327HTSA1	-	RFQ	7659	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				600 v	120mA（ta）	0V，10V	45ohm @ 120mA，10v	1V @ 94µA	4.9 NC @ 5 V	±20V	146 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
FF450R45T3E4BPSA1	-	RFQ	8656	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产											-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
IRG4PC30U	-	RFQ	8068	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PC30	标准		100 W			TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4PC30U	Ear99	8541.29.0095	25						480V，12a，23ohm，15V																											-	600 v	23 a	92 a	2.1V @ 15V，12A	160µJ（在）上，200µJ（200µJ）	50 NC	17NS/78NS
IRG4PC50UD-MP	-	RFQ	8412	Infineon技术	hexfred®	包	过时的	-	通过洞	TO-247-3	IRG4PC50	标准		200 w			TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25						-																					75 ns						-	600 v	55 a	220 a	2V @ 15V，27a	-	270 NC	-
AUXS20956S	-	RFQ	9846	Infineon技术	-	管子	过时的											下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	45								-
IDL10G65C5XUMA1	-	RFQ	8903	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	4-POWERTSFN	IDL10G65		SIC （碳化硅）				PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000941314	Ear99	8541.10.0080	3,000		没有恢复t> 500mA（IO）																						650 v		1.7 V @ 10 A	0 ns	180 µA @ 650 V	-55°C〜150°C	10a	300pf @ 1V，1MHz
FF600R12ME4PB72BPSA1	302.5833	RFQ	8316	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF600R12			20兆		标准	Ag-Econod-5	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	2独立																																沟渠场停止	1200 v	600 a		2.1V @ 15V，600A						3 ma	是的	37 NF @ 25 V
IGW50N60H3FKSA1	6.5000	RFQ	225	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IGW50N60	标准		333 w			PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30						400V，50a，7ohm，15V																											沟渠场停止	600 v	100 a	200 a	2.3V @ 15V，50a	2.36mj	315 NC	23ns/235ns
IRF7205pbf	-	RFQ	5123	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			P通道				30 V	4.6a（ta）	4.5V，10V	70MOHM @ 4.6A，10V	3V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 10 V	-	2.5W（TC）
IRLR2905TRRPBF	-	RFQ	6714	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001558420	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				55 v	42A（TC）	4V，10V	27mohm @ 25a，10v	2V @ 250µA	48 NC @ 5 V	±16V	1700 PF @ 25 V	-	110W（TC）
IRF8707pbf	-	RFQ	3234	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001560112	Ear99	8541.29.0095	95			n通道				30 V	11a（11a）	4.5V，10V	11.9mohm @ 11a，10v	2.35V @ 25µA	9.3 NC @ 4.5 V	±20V	760 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IDW75D65D1XKSA1	4.3000	RFQ	773	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	IDW75D65		标准				pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						650 v		1.7 V @ 75 A	108 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	150a	-
BC817K-25WH6327	0.0500	RFQ	23	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817			500兆			PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	6,217																																		45 v	500 MA								100NA（ICBO）					700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	170MHz
BSC034N06NSATMA1	1.9000	RFQ	14	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC034		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				60 V	100A（TC）	6V，10V	3.4mohm @ 50a，10v	3.3V @ 41µA	41 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 30 V	-	2.5W（ta），74W（TC）
BSZ440N10NS3GATMA1	0.8900	RFQ	6	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ440		MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				100 v	5.3a（ta），18A（tc）	6V，10V	44mohm @ 12a，10v	2.7V @ 12µA	9.1 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 50 V	-	29W（TC）
IRG7U200HF12B	-	RFQ	9345	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®62模块	irg7u			1130 w		标准	Powir®62	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001541668	Ear99	8541.29.0095	15	半桥																																-	1200 v	400 a		2V @ 15V，200a						2 ma	不	20 nf @ 25 V
IRLR2905TRLPBF	1.5600	RFQ	38	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR2905		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				55 v	42A（TC）	4V，10V	27mohm @ 25a，10v	2V @ 250µA	48 NC @ 5 V	±16V	1700 PF @ 25 V	-	110W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²