RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BBY58-03WE6327	1.0000	RFQ	8622	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C〜150°C		表面安装	SC-76，SOD-323					PG-SOD323-2-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000																							5.5pf @ 6V，1MHz					单身的	10 v										1.3	C4/C6	-
BCW60FE6327	-	RFQ	6244	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			330兆		PG-SOT23-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,000																									32 v	100 ma				20NA（ICBO）			NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	-	250MHz
BCW 61C E6327	-	RFQ	4240	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			330兆		PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																									32 v	100 ma				20NA（ICBO）			PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	250 @ 2mA，5v	250MHz
BC 850B E6327	0.0400	RFQ	36	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			330兆		PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	6,836																									45 v	100 ma				15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
IPP60R750E6	0.5100	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos E6™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		600 v	5.7A（TC）	10V	750MOHM @ 2A，10V	3.5V @ 170µA	17.2 NC @ 10 V	±20V	373 pf @ 100 V	-	48W（TC）
IPP100N06S3L-04in	0.6700	RFQ	500	Infineon技术	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	500
IPP139N08N3GXKSA1	0.6100	RFQ	632	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		80 V	45A（TC）	6V，10V	13.9mohm @ 45a，10v	3.5V @ 33µA	25 NC @ 10 V	±20V	1730 PF @ 40 V	-	79W（TC）
BBY58-02W E6327	-	RFQ	8025	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C〜150°C		表面安装	SC-80					PG-SCD80-2	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	43																							5.5pf @ 6V，1MHz					单身的	10 v										1.3	C4/C6	-
BBY5305WE63 27	0.1200	RFQ	6	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C（TJ）		表面安装	SC-70，SOT-323					SOT-323	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	1																							3.1pf @ 3V，1MHz					1对普通阴极	6 V										2.6	C1/C3	-
BBY53-02VH6327	0.1400	RFQ	2	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C		表面安装	SC-79，SOD-523					PG-SC79-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	2,325																							3.1pf @ 3V，1MHz					单身的	6 V										2.2	C1/C3	-
BBY5802LE6327	0.0900	RFQ	11	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C〜150°C		表面安装	SOD-882					PG-TSLP-2-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	15,000																							5.5pf @ 6V，1MHz					单身的	10 v										1.3	C4/C6	-
IPP60R600P7	0.7600	RFQ	500	Infineon技术	-	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1
BCV61BE6327	1.0000	RFQ	2172	Infineon技术	-	大部分	积极的	30V		当前镜子	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BCV61				PG-SOT-143-3D	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000				100mA																													2 NPN，基本收集器交界处
BCV28E6327HTSA1	0.1100	RFQ	16	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-243AA			1 w		PG-SOT89-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000																									30 V	500 MA				100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	200MHz
BSO203P	0.5500	RFQ	5102	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO203	MOSFET （金属 o化物）	2W		PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	421	2（p 通道（双）				20V	8.2a		21mohm @ 8.2a，4.5V	1.2V @ 100µA	48.6NC @ 4.5V		2242pf @ 15V	逻辑级别门
BAT54WH6327	1.0000	RFQ	8290	Infineon技术	-	大部分	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323	BAT54	肖特基			PG-SOT323-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														30 V		800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C	200mA	10pf @ 1V，1MHz
BAV70WH6433	0.0500	RFQ	659	Infineon技术	-	大部分	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323	BAV70	标准			SOT-323	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	7,194		小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对普通阴极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
BCR119SH6327	-	RFQ	6993	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的				表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR119		250MW		PG-SOT363-6-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,000																									50V	100mA				100NA（ICBO）			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	150MHz	4.7kohms	-
BAV70UE6327	0.0900	RFQ	62	Infineon技术	-	大部分	积极的				表面安装	SC-74，SOT-457	BAV70	标准			PG-SC74-6	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,260		小信号= <200ma（io（io），任何速度													2对普通阴极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
BSL205NL6327	-	RFQ	3099	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL205	MOSFET （金属 o化物）	500MW		PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）				20V	2.5a		50mohm @ 2.5a，4.5V	1.2V @ 11µA	3.2nc @ 4.5V		419pf @ 10V	逻辑级别门
BSO203SPNT	0.5500	RFQ	900	Infineon技术	Optimos®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）			PG-DSO-8	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			P通道		20 v	9a（9a）	2.5V，4.5V	21mohm @ 9A，4.5V	1.2V @ 50µA	50.4 NC @ 4.5 V	±12V	2265 pf @ 15 V	-	2.35W（TA）
BCR162E6327	-	RFQ	1176	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR162		200兆		PG-SOT23-3-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	6,000																									50 V	100 ma				100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
IPB049N06L3G	0.6100	RFQ	2527	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	400			n通道		60 V	80A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 80a，10v	2.2V @ 58µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	8400 PF @ 30 V	-	115W（TC）
BSO203SP	0.3600	RFQ	5	Infineon技术	Optimos®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）			PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			P通道		20 v	7a（ta）	2.5V，4.5V	21mohm @ 8.9a，4.5V	1.2V @ 50µA	39 NC @ 4.5 V	±12V	3750 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
BSP320SL6327	0.2200	RFQ	2	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		60 V	2.9a（TJ）	10V	120MOHM @ 2.9a，10V	4V @ 20µA	12 nc @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BCR116SE6327	-	RFQ	5291	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的				表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR116		250MW		PG-SOT363-6-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																									50V	100mA				100NA（ICBO）			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150MHz	4.7kohms	47kohms
BSM20GD60DLC	32.5000	RFQ	75	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）		底盘安装	模块			125 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	全桥																							-	600 v	32 a	2.45V @ 15V，20A			500 µA	不	1.1 NF @ 25 V
BAT62-02WE6327	-	RFQ	3164	Infineon技术	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000
BSM300GA170DLS	161.7500	RFQ	33	Infineon技术	-	大部分	积极的		-40°C〜125°C（TJ）		底盘安装	模块	BSM300		2500 w	标准	模块	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	单身的																							-	1700 v	600 a	3.3V @ 15V，300A			600 µA	不	20 nf @ 25 V
BSO130N03MSG	-	RFQ	9412	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）			PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	99			n通道		30 V	9a（9a）	4.5V，10V	13mohm @ 11.1a，10v	2V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 15 V	-	1.56W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²