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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	电容比	电容比条件	q @ vr，f
SIGC15T60EX1SA4	-	RFQ	1494	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC15	标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1					-																	沟渠场停止	600 v	30 a	90 a	1.9V @ 15V，30a	-		-
IRG4RC10KPBF	-	RFQ	8737	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		38 w		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75					480V，5A，100OHM，15V																	-	600 v	9 a	18 a	2.62V @ 15V，5A	160µJ（在）上，100µJ（100µJ）	19 nc	11NS/51NS
BSZ009NE2LS5ATMA1	2.9200	RFQ	1139	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ009		MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			25 v	39a（ta），40a tc（TC）	4.5V，10V	900mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±16V	5500 pf @ 12 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
IRF7523D1TRPBF	-	RFQ	1648年	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）			micro8™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			30 V	2.7a（ta）	4.5V，10V	130MOHM @ 1.7A，10V	1V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	210 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
IRF3711ZCSTRRP	-	RFQ	2685	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			20 v	92A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.45V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±20V	2150 pf @ 10 V	-	79W（TC）
IKW75N65EL5XKSA1	9.2400	RFQ	1735年	Infineon技术	Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW75N65	标准		536 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，75a，4ohm，15V												114 ns					-	650 v	80 a	300 a	1.35V @ 15V，75a	1.61mj（在）上，3.2mj off）	436 NC	40NS/275NS
IPS12CN10LGBKMA1	-	RFQ	2495	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	IPS12C		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道			100 v	69A（TC）	4.5V，10V	11.8mohm @ 69a，10v	2.4V @ 83µA	58 NC @ 10 V	±20V	5600 PF @ 50 V	-	125W（TC）
BB844E6327HTSA1	0.4600	RFQ	3915	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BB844E6327					PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																					13pf @ 8v，1MHz									1对普通阴极	18 V					3.8	C2/C8	-
IRFR7540TRPBF	1.5400	RFQ	1	Infineon技术	strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR7540		MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道			60 V	90A（TC）	6V，10V	4.8mohm @ 66a，10v	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4360 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IPI65R280C6	1.0700	RFQ	500	Infineon技术	Coolmos C6™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			650 v	13.8A（TC）	10V	280MOHM @ 4.4A，10V	3.5V @ 440µA	45 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 100 V	-	104W（TC）
BBY5806WE6327BTSA1	-	RFQ	2174	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BBY58					PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																					5.5pf @ 6V，1MHz									1对公共阳极	10 v					3.5	C1/C4	-
BB639CE7908HTSA1	-	RFQ	3671	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	BB639					PG-SOD323-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																					2.75pf @ 28V，1MHz									单身的	30 V					15.3	C1/C28	-
IRLR7807ZCPBF	-	RFQ	9788	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道			30 V	43A（TC）	4.5V，10V	13.8mohm @ 15a，10v	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	780 pf @ 15 V	-	40W（TC）
BB837E6327	0.1200	RFQ	59	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323						PG-SOD323-2	下载					Ear99	8541.10.0070	1																					0.52pf @ 28V，1MHz									单身的	30 V					12.7	C1/C28	-
FP25R12W2T4B11BOMA1	63.3200	RFQ	74	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FP25R12			175 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																					沟渠场停止	1200 v	39 a		2.25V @ 15V，25a						1 MA	是的	1.45 NF @ 25 V
94-2183pbf	-	RFQ	7776	Infineon技术	*	管子	积极的				94-2183						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001562478	Ear99	8541.29.0095	50
IPB80N03S4L02ATMA1	1.5551	RFQ	3456	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			30 V	80A（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 80a，10v	2.2V @ 90µA	140 NC @ 10 V	±16V	9750 PF @ 25 V	-	136W（TC）
BAT15-099R	1.0000	RFQ	9866	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		TO-253-4，TO-253AA						PG-SOT143	下载					Ear99	8541.10.0070	1				110 MA											100兆						0.5pf @ 0v，1MHz									Schottky -2对普通阴极	4V				-
BAR64-03W	-	RFQ	2905	Infineon技术	-	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.10.0070	1
BAR63-03WE6327	0.0500	RFQ	3192	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-76，SOD-323						PG-SOD323-2	下载					Ear99	8541.10.0070	5,176				100 ma											250兆						0.3pf @ 5V，1MHz									PIN-单	50V				-
BAR6302WH6327	-	RFQ	9185	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-80						SCD-80	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1				100 ma											250兆						0.3pf @ 5V，1MHz									PIN-单	50V				1 OHM @ 10mA，100MHz
IPD30N03S2L07ATMA1	-	RFQ	1531年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD30N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			30 V	30A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 30a，10v	2V @ 85µA	68 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	136W（TC）
D5810N04TVFXPSA1	410.4450	RFQ	1284	Infineon技术	-	托盘	上次购买		夹紧	do-200 ac，k-puk	D5810N04		标准			-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	4		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														400 v		100 ma @ 400 V	-40°C〜180°C	5800a	-
BBY 65-02V E6327	-	RFQ	9454	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BBY 65					PG-SC79-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																					2.8pf @ 4.7V，1MHz									单身的	15 v					10.9	C0.3/C4.7	-
FS600R07A2E3BOSA3	-	RFQ	7136	Infineon技术	Hybridpack™2	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS600R07			1250 w	标准	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1	三期																					沟渠场停止	650 v	530 a		1.6V @ 15V，400A						5 ma	是的	39 NF @ 25 V
IPB80N04S3-04	1.4200	RFQ	225	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	225			n通道			40 V	80A（TC）		4.1MOHM @ 80A，10V	4V @ 90µA	80 NC @ 10 V	±20V	5200 pf @ 25 V	-	136W（TC）
FP30R06W1E3PBPSA1	49.4040	RFQ	8161	Infineon技术	*	托盘	积极的										-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30
FS100R17N3E4PB11BPSA1	276.2367	RFQ	3696	Infineon技术	-	托盘	积极的	-	-	-	FS100				-	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	6	-																					-				-
IRFS7530-7PPBF	-	RFQ	9100	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001565236	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			60 V	240a（TC）	6V，10V	1.4MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	354 NC @ 10 V	±20V	12960 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IPB34CN10NGATMA1	-	RFQ	7110	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB34C		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			100 v	27a（TC）	10V	34mohm @ 27a，10v	4V @ 29µA	24 NC @ 10 V	±20V	1570 pf @ 50 V	-	58W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²