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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BCR158WE6327	1.0000	RFQ	3959	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR158		250兆	PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma			100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
IDT10S60C	3.8400	RFQ	1	Infineon技术	ThinQ！™	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		SIC （碳化硅）		PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1		没有恢复t> 500mA（IO）												600 v	1.7 V @ 10 A	0 ns	140 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	10A（DC）	480pf @ 1V，1MHz
IPC300N15N3RX2MA1	2.5600	RFQ	6	Infineon技术	Optimos®	大部分	积极的	-	表面安装	死	IPC300N	MOSFET （金属 o化物）		死	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	128			n通道	150 v	-	10V	100mohm @ 2a，10v	4V @ 250µA		-		-	-
IDT06S6 0C	-	RFQ	2374	Infineon技术	ThinQ！™	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		SIC （碳化硅）		PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		没有恢复t> 500mA（IO）												600 v	1.7 V @ 6 A	0 ns	80 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	6A（DC）	280pf @ 1V，1MHz
BSC205N10LSG	1.0000	RFQ	9423	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	100 v	7.4A（TA），45A（TC）	4.5V，10V	20.5MOHM @ 45A，10V	2.4V @ 43µA	41 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 50 V	-	76W（TC）
IPD60R600CP	0.6600	RFQ	14	Infineon技术	Coolmos™CP	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r	MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	600 v	6.1A（TC）	10V	600mohm @ 3.3a，10v	3.5V @ 220µA	27 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 100 V	-	60W（TC）
BSL207NL6327	-	RFQ	3507	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL207	MOSFET （金属 o化物）	500MW	PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,124	2 n 通道（双）			20V	2.1a		70MOHM @ 2.1a，4.5V	1.2V @ 11µA	2.1nc @ 4.5V		419pf @ 10V	逻辑级别门
IPB65R380C6	0.9200	RFQ	3	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	650 v	10.6A（TC）	10V	380MOHM @ 3.2A，10V	3.5V @ 320µA	39 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 100 V	-	83W（TC）
BSD314SPE L6327	-	RFQ	5959	Infineon技术	Optimos™-P 3	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT363-6-6	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	790			P通道	30 V	1.5A（TA）	4.5V，10V	140MOHM @ 1.5A，10V	2V @ 6.3µA	2.9 NC @ 10 V	±20V	294 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
BSC8899N03MS	0.2700	RFQ	4	Infineon技术	Optimos®3	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-6	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1			n通道	30 V	（13A）（ta），45a（tc）	4.5V，10V	9mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），28W（tc）
IPB65R420CFD	0.8100	RFQ	1	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	650 v	8.7A（TC）	10V	420MOHM @ 3.4A，10V	4.5V @ 300µA	31.5 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 100 V	-	83.3W（TC）
BCR185SE6327	0.0300	RFQ	6018	Infineon技术	-	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	9,000
IPB80N03S4L-03ATMA1	-	RFQ	9766	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 80a，10v	2.2V @ 45µA	75 NC @ 10 V	±16V	5100 PF @ 25 V	-	94W（TC）
IPB160N08S4-03ATMA1	-	RFQ	5530	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	80 V	160a（TC）	10V	3.2MOHM @ 100A，10V	4V @ 150µA	112 NC @ 10 V	±20V	7750 PF @ 25 V	-	208W（TC）
BCP68E6327	0.0500	RFQ	6	Infineon技术	-	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	6,000
BCR196E6327	0.0400	RFQ	60	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR196		200兆	PG-SOT23-3-11	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,013																					50 V	70 MA			100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5v	150 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
BSC150N03LD	0.4000	RFQ	7	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	BSC150	MOSFET （金属 o化物）	26W	PG-TDSON-8-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）			30V	8a		15mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	6.4NC @ 10V		1100pf @ 15V	逻辑级别门
IPI80N04S3-04	-	RFQ	8281	Infineon技术	*	大部分	过时的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	370
BTS114AE3045A	3.2200	RFQ	10	Infineon技术	tempfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	50 V	17a（TC）	10V	100mohm @ 9a，10v	3.5V @ 1mA		±20V	600 pf @ 25 V	-	50W
BB 844 E6327	-	RFQ	9747	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																				13pf @ 8v，1MHz			1对普通阴极	18 V								3.8	C2/C8	-
IPI80P03P4-05AKSA1	0.7900	RFQ	4	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			P通道	30 V	80A（TC）	10V	5mohm @ 80a，10v	4V @ 253µA	130 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	137W（TC）
BB565H7902	0.0400	RFQ	8075	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	SC-80				SCD-80	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	784																				2.2pf @ 28V，1MHz			单身的	30 V								11	C1/C28	-
BB535E7904	0.0500	RFQ	6	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323				pg-sod323-3d	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	6,000																				2.3pf @ 28V，1MHz			单身的	30 V								9.8	C1/C28	-
BTS112A	2.4100	RFQ	3	Infineon技术	-	大部分	过时的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
BB659H7902	0.0300	RFQ	12	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	SC-80				PG-SCD80-2	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	12,000																				2.9pf @ 28V，1MHz			单身的	30 V								14.7	C1/C28	-
BB659C02VH7902XTSA1	-	RFQ	3432	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523				PG-SC79-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1																				2.75pf @ 28V，1MHz			单身的	30 V								15.3	C1/C28	-
BTS247Z	1.2700	RFQ	12	Infineon技术	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IPN80R1K4P7	-	RFQ	5268	Infineon技术	coolmos™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	800 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.4A，10V	3.5V @ 70µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 500 V	-	7W（TC）
BTS240AHKSA1	12.7300	RFQ	12	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3		MOSFET （金属 o化物）		pg-to218-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24			n通道	50 V	58A（TC）	10V	18mohm @ 47a，10v	3.5V @ 1mA		±20V	4300 PF @ 25 V	-	170W
BB565	0.0500	RFQ	4656	Infineon技术	*	大部分	过时的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BB565	Ear99	8541.10.0070	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²