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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	trr）	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IRGR4610DTRPBF	-	RFQ	1054	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		77 w			pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000					400V，6A，47OHM，15V																	74 ns					-	600 v	16 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	13 NC	27ns/75ns
IRG4IBC20UDPBF	-	RFQ	5908	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		34 W			TO-220AB全盘	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000					480V，6.5a，50ohm，15V																	37 ns					-	600 v	11.4 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	160µJ（在）上，130µJ（OFF）	27 NC	39NS/93NS
IRG7PH46UPBF	-	RFQ	2174	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	irg7ph	标准		469 w			TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25					600V，40a，10ohm，15V																						沟	1200 v	130 a	160 a	2V @ 15V，40a	2.56mj（在）上，1.78mj off）	220 NC	45NS/410NS
FD200R65KF2-K	2.0000	RFQ	22	Infineon技术	-	大部分	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块				380000 w		标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单菜器																										-	3600 v	200 a		4.9V @ 15V，200a				200 µA	不	28 NF @ 25 V
IPI80N04S204AKSA1	-	RFQ	8068	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			40 V	80A（TC）	10V	3.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRG4BC15UD-STRL	-	RFQ	3556	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		49 W			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	IRG4BC15UDSTRL	Ear99	8541.29.0095	800					480V，7.8a，75ohm，15V																	28 ns					-	600 v	14 a	42 a	2.4V @ 15V，7.8a	240µJ（在）上，260µJ（OFF）	23 NC	17ns/160ns
SPI70N10L	-	RFQ	1082	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI70N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP000014005	Ear99	8541.29.0095	500			n通道			100 v	70A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 50a，10v	2V @ 2mA	240 NC @ 10 V	±20V	4540 pf @ 25 V	-	250W（TC）
DD175N34KXPSA1	223.6333	RFQ	3345	Infineon技术	*	托盘	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-DD175N34KXPSA1			3
T1220N22TOFVTXPSA1	-	RFQ	6241	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	夹紧	TO-200AC	T1220N				单身的			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				500 MA												2.8 kV	2625 a	2 v	25000a @ 50Hz	250 MA	1220 a					1 scr
IAUT300N08S5N014ATMA1	6.2900	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IAUT300		MOSFET （金属 o化物）				PG-HSOF-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道			80 V	300A（DC）	6V，10V	1.4MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 230µA	187 NC @ 10 V	±20V	13178 PF @ 40 V	-	300W（TC）
IPD122N10N3GBTMA1	-	RFQ	2648	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD122N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			100 v	59A（TC）	6V，10V	12.2MOHM @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	94W（TC）
IPB13N03LBG	0.4000	RFQ	999	Infineon技术	*	大部分	积极的				IPB13N		-					-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1														-
SI4420DYPBF	-	RFQ	6014	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			n通道			30 V	12.5A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 12.5a，10V	1V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	2240 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRF1010NSTRL	-	RFQ	6633	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			55 v	85A（TC）	10V	11MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	3210 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IRF3315STRRPBF	-	RFQ	8600	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001559556	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			150 v	21a（TC）	10V	82MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
IDC50S120C5X7SA1	55.0800	RFQ	1333	Infineon技术	-	大部分	积极的		-	-	IDC50S120		-				-	-	rohs3符合条件		到达不受影响			0000.00.0000	1		-																					-	-	-
IPB80N06S405ATMA1	-	RFQ	7954	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			60 V	80A（TC）	10V	5.4mohm @ 80a，10v	4V @ 60µA	81 NC @ 10 V	±20V	6500 PF @ 25 V	-	107W（TC）
IPC60R125C6UNSAWNX6SA1	-	RFQ	4171	Infineon技术	-	大部分	过时的				IPC60R							-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000857778	过时的	0000.00.0000	1							-
IRFH5004TR2PBF	-	RFQ	1467	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）				8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道			40 V	28a（28a），100a（tc）		2.6mohm @ 50a，10v	4V @ 150µA	110 NC @ 10 V		4490 pf @ 20 V	-
ISZ56DP15LMATMA1	1.1000	RFQ	5	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000
IPD30N08S2L21ATMA1	1.5700	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD30N08		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			75 v	30A（TC）	4.5V，10V	20.5MOHM @ 25a，10v	2V @ 80µA	72 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	136W（TC）
IPB100N04S204ATMA4	6.9700	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB100		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			40 V	100A（TC）	10V	3.3mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	172 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BC817K-25WE63 27	-	RFQ	9434	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817			500兆			PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																												45 v	500 MA						100NA（ICBO）			700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	170MHz
IRFB7537pbf	2.2100	RFQ	72	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB7537		MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			60 V	173a（TC）	6V，10V	3.3MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 150µA	210 NC @ 10 V	±20V	7020 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IRF3805STRLPBF	4.4300	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF3805		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			55 v	75A（TC）	10V	3.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	290 NC @ 10 V	±20V	7960 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IPP065N06LGAKSA1	-	RFQ	4808	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP065N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			60 V	80A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 80A，10V	2V @ 180µA	157 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 30 V	-	250W（TC）
SIGC14T60NCX7SA2	-	RFQ	7782	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC14	标准					死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					300V，15a，18ohm，15V																						npt	600 v	15 a	45 a	2.5V @ 15V，15a	-		21NS/110NS
SPB03N60C3ATMA1	-	RFQ	6791	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB03N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			650 v	3.2A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	3.9V @ 135µA	17 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	38W（TC）
TD251N18KOFHPSA1	-	RFQ	2720	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TD251N18				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3				300 MA												1.8 kV	410 a	2 v	9100A @ 50Hz	200 ma	250 a					1 sc，1二极管
IPA60R600P7SE8228XKSA1	0.7002	RFQ	2876	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R600		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			600 v	6A（TC）	10V	600MOHM @ 1.7A，10V	4V @ 80µA	9 NC @ 10 V	±20V	363 PF @ 400 V	-	21W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²