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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
D471N85TXPSA1	-	RFQ	8864	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	DO-200AB，B-PUK	D471N85		标准				-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						8500 v		3.2 V @ 1200 A		50 ma @ 8500 V	-40°C〜160°C	760a	-
IPI072N10N3GXKSA1	-	RFQ	5070	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI072		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道				100 v	80A（TC）	6V，10V	7.2MOHM @ 80A，10V	3.5V @ 90µA	68 NC @ 10 V	±20V	4910 PF @ 50 V	-	150W（TC）
IRFBL3315	-	RFQ	8515	Infineon技术	-	管子	过时的		表面安装	超级d2-pak			MOSFET （金属 o化物）				超级d2-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				150 v	21a（21a）		-	-				-	-
BC856BWE6327BTSA1	-	RFQ	7273	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC856			250兆			PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																		65 v	100 ma								15NA（icbo）				PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	250MHz
IPD50P03P4L11ATMA1	1.5700	RFQ	9014	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道				30 V	50A（TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 50a，10v	2V @ 85µA	55 NC @ 10 V	+5V，-16V	3770 pf @ 25 V	-	58W（TC）
FZ1500R33HE3C1NPSA1	-	RFQ	7581	Infineon技术	IHM-B	托盘	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FZ1500			2400000 w		标准	AG-IHVB190-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	全桥																																沟渠场停止	3300 v	1500 a		3.1V @ 15V，1.5KA						5 ma	不	280 NF @ 25 V
FS225R12KE3S1BDSA1	1.0000	RFQ	1672年	Infineon技术	Econopack™ +	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块				1150 w		标准	模块	下载						0000.00.0000	1	完整的桥梁逆变器																																沟渠场停止	1200 v	325 a		2.15V @ 15V，225a						5 ma	是的	16 NF @ 25 V
BCP52-16	0.0400	RFQ	7597	Infineon技术	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.4 w			SOT-223	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	1,128																																		60 V	1 a								100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	50MHz
SPP16N50C3HKSA1	-	RFQ	4644	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp16n		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道				560 v	16A（TC）	10V	280mohm @ 10a，10v	3.9V @ 675µA	66 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	160W（TC）
IPC26N12NX1SA1	3.4959	RFQ	6050	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-	表面安装	死	IPC26N		MOSFET （金属 o化物）				锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				120 v	1A（TJ）	10V	100mohm @ 2a，10v	4V @ 244µA		-		-	-
AIMZA75R016M1HXKSA1	18.9442	RFQ	7664	Infineon技术	*	管子	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-AIMZA75R016M1HXKSA1			240
IPB038N12N3GATMA1	6.7100	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB038		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				120 v	120A（TC）	10V	3.8mohm @ 100a，10v	4V @ 270µA	211 NC @ 10 V	±20V	13800 PF @ 60 V	-	300W（TC）
IKW20N60TFKSA1	4.6400	RFQ	164	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IKW20N60	标准		166 w			PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30						400V，20A，12OHM，15V																					41 ns						沟渠场停止	600 v	40 a	60 a	2.05V @ 15V，20A	770µJ	120 NC	18NS/199N
FS50R07W1E3B11ABOMA1	45.1600	RFQ	20	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS50R07			205 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000865118	Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器																																沟渠场停止	650 v	70 a		1.9V @ 15V，50a						50 µA	是的	3.1 NF @ 25 V
BAS116E6327	-	RFQ	1619年	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			标准				PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						80 V		1.25 V @ 150 mA	1.5 µs	5 na @ 75 V	150°C （最大）	250mA	2pf @ 0v，1MHz
BSL806NL6327HTSA1	-	RFQ	4389	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL806		MOSFET （金属 o化物）	500MW			PG-TSOP6-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						20V	2.3a		57MOHM @ 2.3a，2.5V	750mv @ 11µA	1.7nc @ 2.5V		259pf @ 10V	逻辑级别门
IPI032N06N3GE8214AKSA1	-	RFQ	6516	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI032N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3-1	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道				60 V	120A（TC）	10V	3.2MOHM @ 100A，10V	4V @ 118µA	165 NC @ 10 V	±20V	13000 PF @ 30 V	-	188W（TC）
IPA60R230P6	-	RFQ	6648	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO220-3-111	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				600 v	16.8A（TC）	10V	230mohm @ 6.4a，10v	4.5V @ 530µA	31 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 100 V	-	33W（TC）
BSM200GA120DN2FS	1.0000	RFQ	7509	Infineon技术	*	大部分	积极的				BSM200							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
TT425N12KOFHPSA2	343.3300	RFQ	4300	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TT425N12				系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2					300 MA												1.2 kV	800 a	1.5 v	14500a @ 50Hz	250 MA	471 a										2 scr
DD600N18KXPSA1	318.4400	RFQ	9312	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	模块			标准				BG-PB60E2A-1	下载	rohs3符合条件			448-DD600N18KXPSA1	Ear99	8541.30.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1对系列连接	1800 v	600a	1.32 V @ 1.8 ka		40 mA @ 1.8 kV	150°C
IRF630NS	-	RFQ	6230	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF630NS	Ear99	8541.29.0095	200			n通道				200 v	9.3A（TC）	10V	300MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	575 PF @ 25 V	-	82W（TC）
IPA65R660CFDXKSA2	1.3395	RFQ	7438	Infineon技术	CoolMos™CFD2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA65R660		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220完整包	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道				700 v	6A（TC）	10V	660MOHM @ 2.1a，10V	4.5V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	615 PF @ 100 V	-	27.8W（TC）
BAR63-03WE6433	0.0300	RFQ	2588	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-76，SOD-323							pg-sod323-3d	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	7,000				100 ma												250兆															0.3pf @ 5V，1MHz										PIN-单	50V				1 OHM @ 10mA，100MHz
6MS24017P43W39872NOSA1	-	RFQ	8724	Infineon技术	MODSTACK™	托盘	过时的	-25°C〜55°C	底盘安装	模块	6MS24017			14500 w		标准	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8543.70.9860	1	三相逆变器																																-	1700 v	1100 a		-							是的
AUIRF3305XKMA1	-	RFQ	6151	Infineon技术	-	大部分	过时的				AUIRF3305							-					过时的		1
BCR 141S H6327	0.0700	RFQ	9	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR 141			250MW			PG-SOT363-6	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,116																																		50V	100mA								-				2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5v	130MHz	22KOHMS	22KOHMS
IRG4PSH71KPBF	-	RFQ	3405	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		标准		350 w			SUPER-247™to-274AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25						960V，42A，5OHM，15V																											-	1200 v	78 a	156 a	3.9V @ 15V，42a	2.35mj（在）上，3.14MJ off）	410 NC	45NS/220NS
BAT64-04WE6327	1.0000	RFQ	2015	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BAT64		肖特基				SOT-323	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																					1对系列连接	40 V	120mA	750 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C
SIPC69N60CFDX1SA4	-	RFQ	8704	Infineon技术	-	大部分	过时的	-	-	-			-				-	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			-					-	-	-	-		-		-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²