RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IDWD10G120C5XKSA1	9.0000	RFQ	3811	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-247-2		IDWD10		SIC （碳化硅）		pg-to247-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）																1200 v	1.65 V @ 10 A	0 ns	80 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	34a	730pf @ 1V，1MHz
IM393X6FXKLA1	-	RFQ	5761	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的		通过洞	26-Powersip模块，22条线索，形成铅	IGBT	IM393x6					下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	540	3相逆变器				20 a	600 v	2000vrms
IM393M6EXKLA1	-	RFQ	1869年	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的		通过洞	35-PowerDip 模块（ 0.866英寸，22.00mm），30个线索	IGBT	IM393M6					下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	SP001675704	Ear99	8542.39.0001	450	3相逆变器				10 a	600 v	2000vrms
IM393M6E2XKLA1	-	RFQ	7588	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的		通过洞	35-PowerDip 模块（ 0.866英寸，22.00mm），30个线索	IGBT						下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	15	3相逆变器				10 a	600 v	2000vrms
IM393M6E3XKLA1	-	RFQ	5624	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的		通过洞	35-PowerDip 模块（ 0.866英寸，22.00mm），30个线索	IGBT						下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	15	3相逆变器				10 a	600 v	2000vrms
IM393X6E3XKLA1	-	RFQ	3629	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的		通过洞	35-PowerDip 模块（ 0.866英寸，22.00mm），30个线索	IGBT						下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	SP001786910	Ear99	8542.39.0001	15	3相逆变器				20 a	600 v	2000vrms
IPB110P06LMATMA1	5.4300	RFQ	159	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB110		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道					60 V	100A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 100a，10v	2V @ 5.55mA	281 NC @ 10 V	±20V	8500 pf @ 30 V	-	300W（TC）
IPD950P06NMSAUMA1	-	RFQ	1678年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD950		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-313	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP004987232	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道					60 V	-	-	-	-		-		-	-
ISP13DP06NMSATMA1	0.9000	RFQ	7726	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		ISP13DP06		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道					60 V	2.8A（ta）	-	-	-		±20V		-	-
ISP25DP06NMXTSA1	0.8600	RFQ	6	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		ISP25DP06		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道					60 V	1.9a（ta）	10V	250MOHM @ 1.9A，10V	4V @ 270µA	10.8 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 30 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）
ISP26DP06NMSATMA1	0.6700	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		ISP26DP06		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道					60 V	1.9a（ta）	-	-	-		±20V		-	-
ISP650P06NMXTSA1	1.5500	RFQ	3863	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		ISP650		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道					60 V	3.7a（ta）	10V	65mohm @ 3.7A，10V	4V @ 1.037mA	39 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 30 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）
ISP75DP06LMXTSA1	0.6300	RFQ	8725	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		ISP75D		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道					60 V	1.1A（TA）	4.5V，10V	750MOHM @ 1.1A，10V	2V @ 77µA	4 NC @ 10 V	±20V	120 pf @ 30 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）
IPD06P003NSAUMA1	-	RFQ	4206	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD06P		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-313	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001863526	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道					60 V	22a（TC）	10V	65mohm @ 22a，10v	4V @ 1.04mA	39 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 30 V	-	83W（TC）
IPD06P004NSAUMA1	-	RFQ	1157	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD06P		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-313	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001863518	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道					60 V	16.4a（TC）	10V	90MOHM @ 16.4a，10V	4V @ 710µA	27 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 30 V	-	63W（TC）
IPD06P005LSAUMA1	-	RFQ	4812	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD06P		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-313	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001863510	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道					60 V	6.5A（TC）	4.5V，10V	250mohm @ 6.5a，10v	2V @ 270µA	13.8 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 30 V	-	28W（TC）
IRF7331TRPBF-1	-	RFQ	8473	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF733		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001555168	Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）							20V	7a（ta）		30mohm @ 7A，4.5V	1.2V @ 250µA	20NC @ 4.5V		1340pf @ 16V	-
IRFC048N	-	RFQ	2345	Infineon技术	*	大部分	过时的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001577740	过时的		1
BCW65C	1.0000	RFQ	3062	Infineon技术	-	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
IPP80N06S2L-06	1.0000	RFQ	9133	Infineon技术	*	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					55 v	80A（TC）	4.5V，10V	6.3mohm @ 69a，10v	2V @ 180µA	150 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IGB30N60H3XKSA1	-	RFQ	8197	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		187 W	pg-to263-3-2	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，30a，10.5Ohm，15V																					沟渠场停止	600 v	60 a	120 a	2.4V @ 15V，30a	（730µJ）（在），440µJ（（（（（）	165 NC	18NS/207NS
IPP80N04S304AKSA1	0.6800	RFQ	452	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	452			n通道					40 V	80A（TC）	10V	4.1MOHM @ 80A，10V	4V @ 90µA	80 NC @ 10 V	±20V	5200 pf @ 25 V	-	136W（TC）
IPW65R280C6	1.5500	RFQ	466	Infineon技术	Coolmos C6™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					650 v	13.8A（TC）	10V	280MOHM @ 4.4A，10V	3.5V @ 440µA	45 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 100 V	-	104W（TC）
IPW60R250CPFKSA1	-	RFQ	7675	Infineon技术	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
BCW67BE6327	0.0500	RFQ	9	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					330兆	PG-SOT23-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,948																										32 v	800 MA						20NA（ICBO）		700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	200MHz
BCW61CE6327	0.0400	RFQ	48	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					330兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	7,454																										32 v	100 ma						20NA（ICBO）	PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	250 @ 2mA，5v	250MHz
BCX5310E6327	0.0900	RFQ	19	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					2 w	PG-SOT89-4-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																										80 V	1 a						100NA（ICBO）		500mv @ 50mA，500mA	40 @ 50mA，2V	125MHz
BCX 71H E6327	0.0400	RFQ	30	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					330兆	PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	7,454																										45 v	100 ma						20NA（ICBO）	PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	180 @ 2mA，5v	250MHz
BCX55E6327	0.0800	RFQ	30	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					2 w	PG-SOT89-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																										60 V	1 a						100NA（ICBO）		500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
IGP03N120H2	1.0000	RFQ	8948	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			标准		62.5 w	pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				800V，3A，82OHM，15V																					-	1200 v	9.6 a	9.9 a	2.8V @ 15V，3A	290µJ	22 NC	9.2NS/281NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²