SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
BCR116WE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR116WE6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 5969 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-70,SOT-323 BCR116 250兆 PG-SOT323 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 70 @ 5mA,5V 150 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
BCR 119T E6327 Infineon Technologies BCR 119T E6327 -
RFQ
ECAD 9386 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 SC-75,SOT-416 BCR 119 250兆 PG-SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 120 @ 5mA,5V 150 MHz 4.7科姆斯
BCR 129T E6327 Infineon Technologies BCR 129T E6327 -
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ECAD 8963 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 SC-75,SOT-416 BCR 129 250兆 PG-SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 120 @ 5mA,5V 150 MHz 10 kohms
BCR141E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR141E6327HTSA1 0.0517
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ECAD 4863 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BCR141 250兆 PG-SOT23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 50 @ 5mA,5v 130 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
BCR148SE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR148SE6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 3067 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 BCR148 250MW PG-SOT363-PO 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA - 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 500µA,10mA 70 @ 5mA,5V 100MHz 47kohms 47kohms
BCR 148T E6327 Infineon Technologies BCR 148T E6327 -
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ECAD 2144 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 BCR 148 250兆 PG-SC-75 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 70 MA 100NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 70 @ 5mA,5V 100 MHz 47科姆斯 47科姆斯
BCR 149L3 E6327 Infineon Technologies BCR 149L3 E6327 -
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ECAD 6141 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 SC-101,SOT-883 BCR 149 250兆 PG-TSLP-3-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 15,000 50 V 70 MA 100NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 120 @ 5mA,5V 150 MHz 47科姆斯
BCR 149T E6327 Infineon Technologies BCR 149T E6327 -
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ECAD 1445 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 SC-75,SOT-416 BCR 149 250兆 PG-SC75-3D 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 70 MA 100NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 120 @ 5mA,5V 150 MHz 47科姆斯
BCR 151F E6327 Infineon Technologies BCR 151F E6327 -
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ECAD 4449 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 SOT-723 BCR 151 250兆 PG-TSFP-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 50 mA 100NA(ICBO) pnp-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 70 @ 5mA,5V 120 MHz 100 kohms 100 kohms
SPB80N04S2-H4 Infineon Technologies SPB80N04S2-H4 -
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ECAD 3858 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SPB80N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 80A(TC) 10V 4mohm @ 80a,10v 4V @ 250µA 148 NC @ 10 V ±20V 5890 pf @ 25 V - 300W(TC)
SPB80N04S2L-03 Infineon Technologies SPB80N04S2L-03 -
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ECAD 7811 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SPB80N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 80A(TC) 4.5V,10V 3.1MOHM @ 80A,10V 2V @ 250µA 213 NC @ 10 V ±20V 7930 PF @ 25 V - 300W(TC)
SPB80N06S08ATMA1 Infineon Technologies SPB80N06S08ATMA1 -
RFQ
ECAD 7954 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SPB80N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 55 v 80A(TC) 10V 7.7MOHM @ 80A,10V 4V @ 240µA 187 NC @ 10 V ±20V 3660 pf @ 25 V - 300W(TC)
SPB80N06S2L-05 Infineon Technologies SPB80N06S2L-05 -
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ECAD 7356 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SPB80N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 55 v 80A(TC) 4.5V,10V 4.5mohm @ 80a,10v 2V @ 250µA 230 NC @ 10 V ±20V 7530 PF @ 25 V - 300W(TC)
SPB80N06S2L-07 Infineon Technologies SPB80N06S2L-07 -
RFQ
ECAD 2635 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SPB80N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 55 v 80A(TC) 4.5V,10V 7mohm @ 60a,10v 2V @ 150µA 130 NC @ 10 V ±20V 4210 PF @ 25 V - 210W(TC)
SPB80N06S2L-09 Infineon Technologies SPB80N06S2L-09 -
RFQ
ECAD 4572 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SPB80N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 55 v 80A(TC) 4.5V,10V 8.5MOHM @ 52A,10V 2V @ 125µA 105 NC @ 10 V ±20V 3480 pf @ 25 V - 190w(TC)
SPB80N10L Infineon Technologies SPB80N10L -
RFQ
ECAD 9304 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SPB80N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 80A(TC) 4.5V,10V 14mohm @ 58a,10v 2V @ 2mA 240 NC @ 10 V ±20V 4540 pf @ 25 V - 250W(TC)
SPB80N10L G Infineon Technologies SPB80N10L g -
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ECAD 9920 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SPB80N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 80A(TC) 4.5V,10V 14mohm @ 58a,10v 2V @ 2mA 240 NC @ 10 V ±20V 4540 pf @ 25 V - 250W(TC)
SPD01N60C3BTMA1 Infineon Technologies SPD01N60C3BTMA1 -
RFQ
ECAD 5481 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SPD01N MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 800mA(TC) 10V 6ohm @ 500mA,10v 3.9V @ 250µA 5 NC @ 10 V ±20V 100 pf @ 25 V - 11W(TC)
SPD04N80C3BTMA1 Infineon Technologies SPD04N80C3BTMA1 -
RFQ
ECAD 8498 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SPD04N MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 800 v 4A(TC) 10V 1.3OHM @ 2.5A,10V 3.9V @ 240µA 26 NC @ 10 V ±20V 570 pf @ 25 V - 63W(TC)
SPD08P06P Infineon Technologies SPD08P06P -
RFQ
ECAD 3599 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SPD08P MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 60 V 8.83A(TA) 300mohm @ 6.2a,10v 4V @ 250µA 13 NC @ 10 V 420 pf @ 25 V - 42W(TC)
SPD14N06S2-80 Infineon Technologies SPD14N06S2-80 -
RFQ
ECAD 1611 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SPD14N MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 17a(TC) 10V 80MOHM @ 7A,10V 4V @ 14µA 10 NC @ 10 V ±20V 400 pf @ 25 V - 30W(TC)
SPD15N06S2L-64 Infineon Technologies SPD15N06S2L-64 -
RFQ
ECAD 9274 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SPD15N MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 19a(tc) 4.5V,10V 64mohm @ 8a,10v 2V @ 14µA 13 NC @ 10 V ±20V 445 pf @ 25 V - 47W(TC)
SPD25N06S2-40 Infineon Technologies SPD25N06S2-40 -
RFQ
ECAD 3989 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SPD25N MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 29A(TC) 10V 40mohm @ 13a,10v 4V @ 26µA 18 nc @ 10 V ±20V 710 PF @ 25 V - 68W(TC)
SPD26N06S2L-35 Infineon Technologies SPD26N06S2L-35 -
RFQ
ECAD 4335 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SPD26N MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 30A(TC) 4.5V,10V 35mohm @ 13a,10v 2V @ 26µA 24 NC @ 10 V ±20V 790 pf @ 25 V - 68W(TC)
SPD30N06S2L-13 Infineon Technologies SPD30N06S2L-13 -
RFQ
ECAD 3269 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SPD30N MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 30A(TC) 4.5V,10V 13mohm @ 30a,10v 2V @ 80µA 69 NC @ 10 V ±20V 2300 PF @ 25 V - 136W(TC)
SPI10N10 Infineon Technologies SPI10N10 -
RFQ
ECAD 2229 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 管子 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA SPI10N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 100 v 10.3A(TC) 10V 170MOHM @ 7.8A,10V 4V @ 21µA 19.4 NC @ 10 V ±20V 426 pf @ 25 V - 50W(TC)
SPI16N50C3HKSA1 Infineon Technologies SPI16N50C3HKSA1 -
RFQ
ECAD 5671 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA SPI16N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 560 v 16A(TC) 10V 280mohm @ 10a,10v 3.9V @ 675µA 66 NC @ 10 V ±20V 1600 pf @ 25 V - 160W(TC)
SPI20N65C3XKSA1 Infineon Technologies SPI20N65C3XKSA1 -
RFQ
ECAD 4260 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA SPI20N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 650 v 20.7A(TC) 10V 190mohm @ 13.1a,10v 3.9V @ 1mA 114 NC @ 10 V ±20V 2400 PF @ 25 V - 208W(TC)
SPI70N10L Infineon Technologies SPI70N10L -
RFQ
ECAD 1082 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA SPI70N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3-1 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 SP000014005 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 100 v 70A(TC) 4.5V,10V 16mohm @ 50a,10v 2V @ 2mA 240 NC @ 10 V ±20V 4540 pf @ 25 V - 250W(TC)
SPI80N08S2-07R Infineon Technologies SPI80N08S2-07R -
RFQ
ECAD 6020 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA SPI80N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3-1 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 75 v 80A(TC) 10V 7.3mohm @ 80a,10v 4V @ 250µA 185 NC @ 10 V ±20V 5830 PF @ 25 V - 300W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库