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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
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![]() | BCR116WE6327BTSA1 | - | ![]() | 5969 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BCR116 | 250兆 | PG-SOT323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 70 @ 5mA,5V | 150 MHz | 4.7科姆斯 | 47科姆斯 | ||||||||||||||||
![]() | BCR 119T E6327 | - | ![]() | 9386 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | BCR 119 | 250兆 | PG-SC-75 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 120 @ 5mA,5V | 150 MHz | 4.7科姆斯 | ||||||||||||||||
![]() | BCR 129T E6327 | - | ![]() | 8963 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | BCR 129 | 250兆 | PG-SC-75 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 120 @ 5mA,5V | 150 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||
![]() | BCR141E6327HTSA1 | 0.0517 | ![]() | 4863 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BCR141 | 250兆 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 50 @ 5mA,5v | 130 MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | |||||||||||||||
![]() | BCR148SE6327BTSA1 | - | ![]() | 3067 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 | BCR148 | 250MW | PG-SOT363-PO | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | - | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 500µA,10mA | 70 @ 5mA,5V | 100MHz | 47kohms | 47kohms | ||||||||||||||||
![]() | BCR 148T E6327 | - | ![]() | 2144 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | BCR 148 | 250兆 | PG-SC-75 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 70 MA | 100NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 70 @ 5mA,5V | 100 MHz | 47科姆斯 | 47科姆斯 | ||||||||||||||||
![]() | BCR 149L3 E6327 | - | ![]() | 6141 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | BCR 149 | 250兆 | PG-TSLP-3-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 50 V | 70 MA | 100NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 120 @ 5mA,5V | 150 MHz | 47科姆斯 | ||||||||||||||||
![]() | BCR 149T E6327 | - | ![]() | 1445 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | BCR 149 | 250兆 | PG-SC75-3D | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 70 MA | 100NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 120 @ 5mA,5V | 150 MHz | 47科姆斯 | ||||||||||||||||
![]() | BCR 151F E6327 | - | ![]() | 4449 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | SOT-723 | BCR 151 | 250兆 | PG-TSFP-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 50 mA | 100NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 70 @ 5mA,5V | 120 MHz | 100 kohms | 100 kohms | |||||||||||||||
![]() | SPB80N04S2-H4 | - | ![]() | 3858 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SPB80N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-3-2 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 40 V | 80A(TC) | 10V | 4mohm @ 80a,10v | 4V @ 250µA | 148 NC @ 10 V | ±20V | 5890 pf @ 25 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||
![]() | SPB80N04S2L-03 | - | ![]() | 7811 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SPB80N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-3-2 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 40 V | 80A(TC) | 4.5V,10V | 3.1MOHM @ 80A,10V | 2V @ 250µA | 213 NC @ 10 V | ±20V | 7930 PF @ 25 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||
![]() | SPB80N06S08ATMA1 | - | ![]() | 7954 | 0.00000000 | Infineon技术 | Sipmos® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SPB80N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-3-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 55 v | 80A(TC) | 10V | 7.7MOHM @ 80A,10V | 4V @ 240µA | 187 NC @ 10 V | ±20V | 3660 pf @ 25 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||
![]() | SPB80N06S2L-05 | - | ![]() | 7356 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SPB80N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-3-2 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 55 v | 80A(TC) | 4.5V,10V | 4.5mohm @ 80a,10v | 2V @ 250µA | 230 NC @ 10 V | ±20V | 7530 PF @ 25 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||
![]() | SPB80N06S2L-07 | - | ![]() | 2635 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SPB80N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-3-2 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 55 v | 80A(TC) | 4.5V,10V | 7mohm @ 60a,10v | 2V @ 150µA | 130 NC @ 10 V | ±20V | 4210 PF @ 25 V | - | 210W(TC) | ||||||||||||
![]() | SPB80N06S2L-09 | - | ![]() | 4572 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SPB80N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-3-2 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 55 v | 80A(TC) | 4.5V,10V | 8.5MOHM @ 52A,10V | 2V @ 125µA | 105 NC @ 10 V | ±20V | 3480 pf @ 25 V | - | 190w(TC) | ||||||||||||
![]() | SPB80N10L | - | ![]() | 9304 | 0.00000000 | Infineon技术 | Sipmos® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SPB80N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-3-2 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 100 v | 80A(TC) | 4.5V,10V | 14mohm @ 58a,10v | 2V @ 2mA | 240 NC @ 10 V | ±20V | 4540 pf @ 25 V | - | 250W(TC) | ||||||||||||
![]() | SPB80N10L g | - | ![]() | 9920 | 0.00000000 | Infineon技术 | Sipmos® | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SPB80N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-3-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 100 v | 80A(TC) | 4.5V,10V | 14mohm @ 58a,10v | 2V @ 2mA | 240 NC @ 10 V | ±20V | 4540 pf @ 25 V | - | 250W(TC) | ||||||||||||
![]() | SPD01N60C3BTMA1 | - | ![]() | 5481 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SPD01N | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-11 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 650 v | 800mA(TC) | 10V | 6ohm @ 500mA,10v | 3.9V @ 250µA | 5 NC @ 10 V | ±20V | 100 pf @ 25 V | - | 11W(TC) | |||||||||||||
![]() | SPD04N80C3BTMA1 | - | ![]() | 8498 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SPD04N | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-11 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 800 v | 4A(TC) | 10V | 1.3OHM @ 2.5A,10V | 3.9V @ 240µA | 26 NC @ 10 V | ±20V | 570 pf @ 25 V | - | 63W(TC) | ||||||||||||
![]() | SPD08P06P | - | ![]() | 3599 | 0.00000000 | Infineon技术 | Sipmos® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SPD08P | MOSFET (金属 o化物) | pg-to252-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 60 V | 8.83A(TA) | 300mohm @ 6.2a,10v | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | 420 pf @ 25 V | - | 42W(TC) | |||||||||||||||
![]() | SPD14N06S2-80 | - | ![]() | 1611 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SPD14N | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-11 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 55 v | 17a(TC) | 10V | 80MOHM @ 7A,10V | 4V @ 14µA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 400 pf @ 25 V | - | 30W(TC) | ||||||||||||
![]() | SPD15N06S2L-64 | - | ![]() | 9274 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SPD15N | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-11 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 55 v | 19a(tc) | 4.5V,10V | 64mohm @ 8a,10v | 2V @ 14µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | 445 pf @ 25 V | - | 47W(TC) | ||||||||||||
![]() | SPD25N06S2-40 | - | ![]() | 3989 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SPD25N | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-11 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 55 v | 29A(TC) | 10V | 40mohm @ 13a,10v | 4V @ 26µA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 710 PF @ 25 V | - | 68W(TC) | ||||||||||||
![]() | SPD26N06S2L-35 | - | ![]() | 4335 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SPD26N | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-11 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 55 v | 30A(TC) | 4.5V,10V | 35mohm @ 13a,10v | 2V @ 26µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | 790 pf @ 25 V | - | 68W(TC) | ||||||||||||
![]() | SPD30N06S2L-13 | - | ![]() | 3269 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SPD30N | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-11 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 55 v | 30A(TC) | 4.5V,10V | 13mohm @ 30a,10v | 2V @ 80µA | 69 NC @ 10 V | ±20V | 2300 PF @ 25 V | - | 136W(TC) | ||||||||||||
![]() | SPI10N10 | - | ![]() | 2229 | 0.00000000 | Infineon技术 | Sipmos® | 管子 | 在sic中停产 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | SPI10N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 100 v | 10.3A(TC) | 10V | 170MOHM @ 7.8A,10V | 4V @ 21µA | 19.4 NC @ 10 V | ±20V | 426 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||
![]() | SPI16N50C3HKSA1 | - | ![]() | 5671 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | SPI16N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3-1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 560 v | 16A(TC) | 10V | 280mohm @ 10a,10v | 3.9V @ 675µA | 66 NC @ 10 V | ±20V | 1600 pf @ 25 V | - | 160W(TC) | |||||||||||||
![]() | SPI20N65C3XKSA1 | - | ![]() | 4260 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | SPI20N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3-1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 650 v | 20.7A(TC) | 10V | 190mohm @ 13.1a,10v | 3.9V @ 1mA | 114 NC @ 10 V | ±20V | 2400 PF @ 25 V | - | 208W(TC) | |||||||||||||
![]() | SPI70N10L | - | ![]() | 1082 | 0.00000000 | Infineon技术 | Sipmos® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | SPI70N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3-1 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000014005 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 100 v | 70A(TC) | 4.5V,10V | 16mohm @ 50a,10v | 2V @ 2mA | 240 NC @ 10 V | ±20V | 4540 pf @ 25 V | - | 250W(TC) | |||||||||||
![]() | SPI80N08S2-07R | - | ![]() | 6020 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 在sic中停产 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | SPI80N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3-1 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 75 v | 80A(TC) | 10V | 7.3mohm @ 80a,10v | 4V @ 250µA | 185 NC @ 10 V | ±20V | 5830 PF @ 25 V | - | 300W(TC) |
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