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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IPC60R125C6UNSAWNX6SA1	-	RFQ	4171	Infineon技术	-	大部分	过时的					IPC60R							-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000857778	过时的	0000.00.0000	1										-
IRFH5004TR2PBF	-	RFQ	1467	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	8-Powervdfn				MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道						40 V	28a（28a），100a（tc）		2.6mohm @ 50a，10v	4V @ 150µA	110 NC @ 10 V		4490 pf @ 20 V	-
ISZ56DP15LMATMA1	1.1000	RFQ	5	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的												-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000
IPD30N08S2L21ATMA1	1.5700	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD30N08			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						75 v	30A（TC）	4.5V，10V	20.5MOHM @ 25a，10v	2V @ 80µA	72 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	136W（TC）
IPB100N04S204ATMA4	6.9700	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB100			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						40 V	100A（TC）	10V	3.3mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	172 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BC817K-25WE63 27	-	RFQ	9434	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817				500兆		PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																																			45 v	500 MA						100NA（ICBO）		700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	170MHz
IRFB7537pbf	2.2100	RFQ	72	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB7537			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						60 V	173a（TC）	6V，10V	3.3MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 150µA	210 NC @ 10 V	±20V	7020 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IRF3805STRLPBF	4.4300	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF3805			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						55 v	75A（TC）	10V	3.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	290 NC @ 10 V	±20V	7960 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IPP065N06LGAKSA1	-	RFQ	4808	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP065N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						60 V	80A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 80A，10V	2V @ 180µA	157 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 30 V	-	250W（TC）
SIGC14T60NCX7SA2	-	RFQ	7782	Infineon技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC14	标准					死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1						300V，15a，18ohm，15V																												npt	600 v	15 a	45 a	2.5V @ 15V，15a	-		21NS/110NS
SPB03N60C3ATMA1	-	RFQ	6791	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SPB03N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						650 v	3.2A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	3.9V @ 135µA	17 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	38W（TC）
TD251N18KOFHPSA1	-	RFQ	2720	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TD251N18					系列连接 -SCR/二极管		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3					300 MA														1.8 kV	410 a	2 v	9100A @ 50Hz	200 ma	250 a									1 sc，1二极管
IPA60R600P7SE8228XKSA1	0.7002	RFQ	2876	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R600			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						600 v	6A（TC）	10V	600MOHM @ 1.7A，10V	4V @ 80µA	9 NC @ 10 V	±20V	363 PF @ 400 V	-	21W（TC）
AUIRF7103Q	-	RFQ	2457	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIRF7103			MOSFET （金属 o化物）	2.4W		8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001521578	Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）								50V	3a		130MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	15nc @ 10V		255pf @ 25V	-
IRF9395MTRPBF	-	RFQ	4892	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MC	IRF9395			MOSFET （金属 o化物）	2.1W		DirectFet™MC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001566526	Ear99	8541.29.0095	4,800	2（p 通道（双）								30V	14a		7mohm @ 14a，10v	2.4V @ 50µA	64NC @ 10V		3241pf @ 15V	逻辑级别门
PTVA123501ECV2XWSA1	-	RFQ	2346	Infineon技术	-	托盘	过时的	105 v		表面安装	2-flatpack，鳍线			1.2GHz〜1.4GHz	ldmos			H-36248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001237182	Ear99	8541.29.0095	50	双重的			10µA			350W	17dB																	-
IPG20N06S3L-35	-	RFQ	3757	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IPG20N			MOSFET （金属 o化物）	30W		PG-TDSON-8-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）								55V	20a		35mohm @ 11a，10v	2.2V @ 15µA	23nc @ 10V		1730pf @ 25V	逻辑级别门
IRFB4410ZPBF	1.6600	RFQ	10	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB4410			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						100 v	97A（TC）	10V	9mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4820 PF @ 50 V	-	230W（TC）
BCR196WE6327HTSA1	-	RFQ	6837	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323	BCR196				250兆		PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																			50 V	70 MA						100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5v	150 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
BC849CWE6327HTSA1	-	RFQ	3259	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC849				250兆		PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																			30 V	100 ma						15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
IRFIZ48NPBF	-	RFQ	3572	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						55 v	40a（TC）	10V	16mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	54W（TC）
IRF7492	-	RFQ	3399	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			n通道						200 v	3.7a（ta）	10V	79mohm @ 2.2a，10v	2.5V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IDW40G65C5XKSA1	15.8800	RFQ	462	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	IDW40G65			SIC （碳化硅）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001632890	Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）																								650 v	1.7 V @ 40 A	0 ns	220 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	40a	1140pf @ 1V，1MHz
IKY75N120CH3XKSA1	18.8900	RFQ	425	Infineon技术	-	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IKY75N120	标准			938 w		pg-to247-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30						600V，75a，6ohm，15V																						292 ns						-	1200 v	150 a	300 a	2.35V @ 15V，75a	3.4MJ（在）上，2.9MJ off）	370 NC	38NS/303NS
BSD235NH6327XTSA1	0.4200	RFQ	21	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BSD235			MOSFET （金属 o化物）	500MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）								20V	950mA		350MOHM @ 950mA，4.5V	1.2V @ 1.6µA	0.32NC @ 4.5V		63pf @ 10V	逻辑级别门
AIHD03N60RFATMA1	-	RFQ	6976	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AIHD03	标准			53.6 w		PG-TO252-3-313	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001346868	Ear99	8541.29.0095	2,500						400V，2.5a，68onm，15V																												沟渠场停止	600 v	5 a	7.5 a	2.5V @ 15V，2.5a	（50µJ），40µJ（40µJ）	17.1 NC	10NS/128NS
SGI02N120XKSA1	-	RFQ	1818年	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SGI02N	标准			62 W		pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500						800V，2a，91ohm，15V																												npt	1200 v	6.2 a	9.6 a	3.6V @ 15V，2A	220µJ	11 NC	23NS/260NS
IRF7604TRPBF	-	RFQ	7336	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）			micro8™	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道						20 v	3.6a（ta）	2.7V，4.5V	90MOHM @ 2.4a，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	20 NC @ 4.5 V	±12V	590 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
AIHD10N60RATMA1	-	RFQ	4575	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AIHD10	标准			150 w		PG-TO252-3-313	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001346846	Ear99	8541.29.0095	2,500						400V，10a，23ohm，15V																												沟渠场停止	600 v	20 a	30 a	2.1V @ 15V，10a	210µJ（在）上，380µJ降低）	64 NC	14NS/192NS
BSF050N03LQ3GXUMA1	-	RFQ	2520	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-wdson				MOSFET （金属 o化物）			MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						30 V	（15a）（TA），60a （TC）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 15 V	-	2.2W（28），28W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²