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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IQE036N08NM6ATMA1	1.1064	RFQ	2006	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IQE036N08NM6ATMA1TR			5,000
SMBTA56E6433	0.0400	RFQ	125	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	6,709																	80 V	500 MA						100NA	PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
IRFS23N20DPBF	-	RFQ	5882	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			200 v	24A（TC）	10V	100mohm @ 14a，10v	5.5V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1960 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），170W（TC）
IRF7460TR	-	RFQ	8381	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			20 v	12a（12a）	4.5V，10V	10mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	2050 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
IPDD60R090CFD7XTMA1	6.4300	RFQ	1637年	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-powersop模块	ipdd60		MOSFET （金属 o化物）		PG-HDSOP-10-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,700		n通道			600 v	33A（TC）		90mohm @ 9.3a，10v	4.5V @ 470µA	42 NC @ 10 V	±20V	1747 PF @ 400 V	-	227W（TC）
auirgs4062d1trl	-	RFQ	6005	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	AUIRGS4062	标准		246 w	D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			400V，24a，10ohm，15V												102 ns	沟	600 v	59 a	72 a	1.77V @ 15V，24a	（532µJ）（在311µJ上）	77 NC	19NS/90NS
IRFR3708TRR	-	RFQ	3034	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	61A（TC）	2.8V，10V	12.5MOHM @ 15a，10v	2V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±12V	2417 PF @ 15 V	-	87W（TC）
IRF7306PBF	-	RFQ	9086	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001564984	Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）				30V	3.6a		100mohm @ 1.8A，10V	1V @ 250µA	25nc @ 10V		440pf @ 25V	逻辑级别门
IKP15N65H5XKSA1	3.2700	RFQ	3463	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IKP15N65	标准		105 w	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，7.5a，39onm，15V												48 ns	-	650 v	30 a	45 a	2.1V @ 15V，15a	120µJ（在）上，50µJ（50µJ）	38 NC	17ns/160ns
IRG4BC20UD-SPBF	-	RFQ	5127	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		标准		60 W	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			480V，6.5a，50ohm，15V												37 ns	-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	160µJ（在）上，130µJ（OFF）	27 NC	39NS/93NS
IPP12CN10LGHKSA1	-	RFQ	3362	Infineon技术	Optimos™2	管子	积极的				IPP12CN10					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000308792	Ear99	8541.29.0095	500						69A（TC）
IRF7901D1	-	RFQ	7749	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7901		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7901D1	Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）				30V	6.2a		38mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	10.5NC @ 5V		780pf @ 16V	逻辑级别门
ISP20EP10LMXTSA1	0.7900	RFQ	7724	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ISP20E		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道			100 v	650mA（ta），990mA（tc）	4.5V，10V	2ohm @ 600mA，10v	2V @ 78µA	3.5 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 50 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）
BSO303Phxuma1	-	RFQ	4185	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO303		MOSFET （金属 o化物）	2W	PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）				30V	7a		21mohm @ 8.2a，10v	2V @ 100µA	49nc @ 10V		2678pf @ 25V	逻辑级别门
BSL211SPT	-	RFQ	5779	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		PG-TSOP6-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			20 v	4.7a（ta）	2.5V，4.5V	67MOHM @ 4.7A，4.5V	1.2V @ 25µA	12.4 NC @ 4.5 V	±12V	654 pf @ 15 V	-	2W（TA）
IRG4PH50KDPBF-INF	-	RFQ	6216	Infineon技术	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1
BSC085N025S g	-	RFQ	6621	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			25 v	（14a）（35A）（35A）（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 35A，10V	2V @ 25µA	14 NC @ 5 V	±20V	1800 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），52W（（ta）
IPA60R520C6XKSA1	-	RFQ	2005	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			600 v	8.1A（TC）	10V	520MOHM @ 2.8A，10V	3.5V @ 230µA	23.4 NC @ 10 V	±20V	512 PF @ 100 V	-	29W（TC）
IPB50R250CP	-	RFQ	4955	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			500 v	13A（TC）	10V	250MOHM @ 7.8A，10V	3.5V @ 520µA	36 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 100 V	-	114W（TC）
IRLR3410TRR	-	RFQ	9764	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			100 v	17a（TC）	4V，10V	105mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±16V	800 pf @ 25 V	-	79W（TC）
AUXCLF1404STRL	-	RFQ	7266	Infineon技术	*	管子	积极的				AUXCLF1404					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001518930	Ear99	8541.29.0095	50
BFR949L3E6327	0.0900	RFQ	13	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883				250MW	PG-TSLP-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,463				21.5db													10V	50mA							NPN		100 @ 5mA，6v	9GHz	1db〜2.5db @ 1GHz
IRF8010STRLPBF	2.8400	RFQ	3	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF8010		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			100 v	80A（TC）	10V	15mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	3830 pf @ 25 V	-	260W（TC）
IRFB4229pbf	4.2100	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB4229		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			250 v	46A（TC）	10V	46mohm @ 26a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4560 pf @ 25 V	-	330W（TC）
BCW67BE6327	0.0500	RFQ	9	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆	PG-SOT23-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,948																	32 v	800 MA						20NA（ICBO）		700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	200MHz
BC807-25B5003	0.0200	RFQ	147	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆	PG-SOT23-3-11	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																	45 v	500 MA						100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	200MHz
IPP65R110CFD7XKSA1	5.7700	RFQ	107	Infineon技术	CoolMos™CFD7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp65r		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			650 v	22a（TC）	10V	110MOHM @ 9.7a，10V	4.5V @ 480µA	41 NC @ 10 V	±20V	1942 PF @ 400 V	-	114W（TC）
IRFR18N15DTRR	-	RFQ	8301	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			150 v	18A（TC）	10V	125mohm @ 11a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±30V	900 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IPP60R180C7XKSA1	3.3800	RFQ	239	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R180		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001277624	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			600 v	13A（TC）	10V	180MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 260µA	24 NC @ 10 V	±20V	1080 pf @ 400 V	-	68W（TC）
PX8143HDMG008XTMA1	-	RFQ	6956	Infineon技术	-	托盘	过时的				PX8143HD					-	rohs3符合条件		到达不受影响		过时的		1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²