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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BCR196WE6327HTSA1	-	RFQ	6837	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323	BCR196				250兆		PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																												50 V	70 MA									100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5v	150 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
BC849CWE6327HTSA1	-	RFQ	3259	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC849				250兆		PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																												30 V	100 ma									15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
IRFIZ48NPBF	-	RFQ	3572	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						55 v	40a（TC）	10V	16mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	54W（TC）
IRF7492	-	RFQ	3399	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			n通道						200 v	3.7a（ta）	10V	79mohm @ 2.2a，10v	2.5V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IDW40G65C5XKSA1	15.8800	RFQ	462	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	IDW40G65			SIC （碳化硅）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001632890	Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）																		650 v	1.7 V @ 40 A	0 ns	220 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	40a	1140pf @ 1V，1MHz
IKY75N120CH3XKSA1	18.8900	RFQ	425	Infineon技术	-	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IKY75N120	标准			938 w		pg-to247-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					600V，75a，6ohm，15V																	292 ns					-	1200 v	150 a	300 a	2.35V @ 15V，75a	3.4MJ（在）上，2.9MJ off）	370 NC	38NS/303NS
BSD235NH6327XTSA1	0.4200	RFQ	21	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BSD235			MOSFET （金属 o化物）	500MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）								20V	950mA		350MOHM @ 950mA，4.5V	1.2V @ 1.6µA	0.32NC @ 4.5V		63pf @ 10V	逻辑级别门
AIHD03N60RFATMA1	-	RFQ	6976	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AIHD03	标准			53.6 w		PG-TO252-3-313	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001346868	Ear99	8541.29.0095	2,500					400V，2.5a，68onm，15V																						沟渠场停止	600 v	5 a	7.5 a	2.5V @ 15V，2.5a	（50µJ），40µJ（40µJ）	17.1 NC	10NS/128NS
SGI02N120XKSA1	-	RFQ	1818年	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SGI02N	标准			62 W		pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500					800V，2a，91ohm，15V																						npt	1200 v	6.2 a	9.6 a	3.6V @ 15V，2A	220µJ	11 NC	23NS/260NS
IRF7604TRPBF	-	RFQ	7336	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）			micro8™	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道						20 v	3.6a（ta）	2.7V，4.5V	90MOHM @ 2.4a，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	20 NC @ 4.5 V	±12V	590 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
AIHD10N60RATMA1	-	RFQ	4575	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AIHD10	标准			150 w		PG-TO252-3-313	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001346846	Ear99	8541.29.0095	2,500					400V，10a，23ohm，15V																						沟渠场停止	600 v	20 a	30 a	2.1V @ 15V，10a	210µJ（在）上，380µJ降低）	64 NC	14NS/192NS
BSF050N03LQ3GXUMA1	-	RFQ	2520	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-wdson				MOSFET （金属 o化物）			MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						30 V	（15a）（TA），60a （TC）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 15 V	-	2.2W（28），28W（tc）
IPC30S2SN08NX2MA1	3.2013	RFQ	3812	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					IPC30S2							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				3,000
BB439E6327HTSA1	0.7700	RFQ	24	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	BB439						pg-sod323-3d	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																										6pf @ 25V，1MHz										单身的	28 V										8	C2/C25	600 @ 25V，200MHz
BSP125 E6433	-	RFQ	5008	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道						600 v	120mA（ta）	4.5V，10V	45ohm @ 120mA，10v	2.3V @ 94µA	6.6 NC @ 10 V	±20V	150 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IRLR3915TRPBF	1.6200	RFQ	7	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR3915			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						55 v	30A（TC）	5V，10V	14mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±16V	1870 pf @ 25 V	-	120W（TC）
IRL8113STRR	-	RFQ	6659	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						30 V	105A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 21a，10v	2.25V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±20V	2840 pf @ 15 V	-	110W（TC）
D740N40TXPSA1	-	RFQ	1152	Infineon技术	-	大部分	过时的			底盘安装	DO-200AB，B-PUK	D740N40			标准			-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																		4000 v	1.45 V @ 700 A		70 ma @ 4000 V	-40°C〜160°C	750a	-
ISC022N10NM6ATMA1	5.0900	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC022N			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSON-8-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						100 v	25A（23A），230a （TC）	8V，10V	2.24mohm @ 50a，10v	3.3V @ 147µA	91 NC @ 10 V	±20V	6880 pf @ 50 V	-	（3W）（254W）（TC）
SPA11N65C3XKSA1	4.2700	RFQ	5306	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA11N65			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						650 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	3.9V @ 500µA	60 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	33W（TC）
IGZ50N65H5XKSA1	4.5858	RFQ	3918	Infineon技术	Trenchstop™5	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IGZ50N65	标准			273 w		pg-to247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240					400V，25a，12ohm，15V																						沟	650 v	85 a	200 a	2.1V @ 15V，50a	（410µJ）（在190µJ上）	109 NC	20NS/250NS
AUIRFB8405	6.2200	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AUIRFB8405			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						40 V	120A（TC）	10V	2.5MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 100µA	161 NC @ 10 V	±20V	5193 PF @ 25 V	-	163W（TC）
D1821SH45TS05XOSA1	-	RFQ	4105	Infineon技术	-	大部分	过时的			底盘安装	DO-200，变体	D1821SH45			标准			BG-D10026K-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001303724	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																		4500 v				-	1710a	-
FF150R17KE4HOSA1	168.7000	RFQ	7032	Infineon技术	c	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF150R17					标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																										沟渠场停止	1700 v	150 a		2.3V @ 15V，150a							1 MA	不	12 nf @ 25 V
BF2030WE6814BTSA1	-	RFQ	9355	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	SC-82A，SOT-343	BF2030		800MHz	MOSFET			PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道			40mA		10 MA	-	23dB											1.5dB																5 v
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1	134.6156	RFQ	7569	Infineon技术	Hexfet®	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				（SIC）	20mw		模块	-	rohs3符合条件			448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1			18	2 n通道								1200V	200a（200a tj）		5.63mohm @ 200a，15v	5.55V @ 80mA	496nc @ 15V		14700pf @ 800V	（SIC）
IRG4PC50K	-	RFQ	2555	Infineon技术	-	包	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			200 w		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4PC50K	Ear99	8541.29.0095	25					480V，30a，5ohm，15V																						-	600 v	52 a	104 a	2.2V @ 15V，30a	490µJ（在）上，680µJ降低）	200 NC	38NS/160NS
IAUA200N04S5N010AUMA1	2.9800	RFQ	3	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn	IAUA200			MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-5-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						40 V	200a（TC）	7V，10V	1MOHM @ 100A，10V	3.4V @ 100µA	132 NC @ 10 V	±20V	7650 pf @ 25 V	-	167W（TC）
IRF7466	-	RFQ	1312	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7466	Ear99	8541.29.0095	95			n通道						30 V	11a（11a）	4.5V，10V	12.5MOHM @ 11A，10V	3V @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±20V	2100 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
BC 817-16 E6433	-	RFQ	8013	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC 817				330兆		PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																												45 v	500 MA									100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	170MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²