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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	电流 -最大	（ih）（IH））	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	trr）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
BAT 68-08S E6327	-	RFQ	1919年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）		6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BAT68						PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	6,000			130 MA																150兆								1pf @ 0v，1MHz										肖特基-3独立	8V				10ohm @ 5mA，10kHz
BAR63-05E6433	0.0900	RFQ	3083	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3								PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	2,496			100 ma																250兆								0.3pf @ 5V，1MHz										引脚-1对普通阴极	50V				1 OHM @ 10mA，100MHz
IPA65R065C7XKSA1	10.2700	RFQ	442	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		IPA65R065		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道								650 v	15A（TC）	10V	65mohm @ 17.1a，10v	4V @ 850µA	64 NC @ 10 V	±20V	3020 PF @ 400 V	-	34W（TC）
IPB77N06S212ATMA2	-	RFQ	4092	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		IPB77N06		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道								55 v	77A（TC）	10V	11.7mohm @ 38a，10v	4V @ 93µA	60 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	158W（TC）
FD800R17KE3B2NOSA1	1.0000	RFQ	1173	Infineon技术	IHM-B	托盘	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块		FD800R17			5200 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单菜器																												-	1700 v	1200 a		2.45V @ 15V，800A						5 ma	不	72 NF @ 25 V
BAR6305WE63 27HTSA1	-	RFQ	3058	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）		SC-70，SOT-323		BAR6305						PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000			100 ma																250兆								0.3pf @ 5V，1MHz										引脚-1对普通阴极	50V				1 OHM @ 10mA，100MHz
IM240S6Z1BALSA1	-	RFQ	7790	Infineon技术	IM240-m6	管子	过时的		表面安装	23-SMD模块	IGBT								下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	15	3相逆变器						3 a	600 v	1900vrms
IPN80R1K4P7	-	RFQ	5268	Infineon技术	coolmos™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道								800 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.4A，10V	3.5V @ 70µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 500 V	-	7W（TC）
IPP60R600P7	0.7600	RFQ	500	Infineon技术	-	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
F3L600R10W4S7FH11BPSA1	225.1700	RFQ	6798	Infineon技术	-	托盘	积极的												-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-F3L600R10W4S7FH11BPSA1			6
T1590N28TOFVTXPSA1	769.5800	RFQ	1115	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	do-200AD		T1590N28				单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2				300 MA																2.8 kV	3200 a	3 V	3200a @ 50Hz	300 MA	1590 a			1 scr
IRFZ24NSTRL	-	RFQ	7127	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道								55 v	17a（TC）	10V	70mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
Si4410dytrpbf	-	RFQ	6838	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道								30 V	10a（10a）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 10A，10V	1V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1585 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
BAT1704E6583HTSA1	0.0600	RFQ	21	Infineon技术	*	大部分	积极的												下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BAT1704E6583HTSA1-448			1
BC858BE6327	0.0400	RFQ	121	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,460																														30 V	100 ma								15NA（icbo）				PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	250MHz
FF600R12IS4F	-	RFQ	4667	Infineon技术	PrimePack™2	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块		FF600R12			3700 w		标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001426596	Ear99	8541.29.0095	3	2独立																												-	1200 v	600 a		3.75V @ 15V，600A						5 ma	是的	39 NF @ 25 V
IRFC2604B	-	RFQ	9136	Infineon技术	-		过时的		表面安装	-				-				-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		-									-		-	-				-	-
FP75R12KT4B11BOSA1	220.1300	RFQ	40	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		FP75R12			385 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																												沟渠场停止	1200 v	75 a		2.15V @ 15V，75a						1 MA	是的	4.3 NF @ 25 V
auirfs4010-7trl	4.4141	RFQ	4085	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001518838	Ear99	8541.29.0095	800		n通道								100 v	190a（TC）		4mohm @ 110a，10v	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V		9830 PF @ 50 V	-	380W（TC）
BFP420H6433	0.1800	RFQ	80	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343					210MW			PG-SOT343-4-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000						21dB																								4.5V	60mA												NPN		60 @ 20mA，4V	25GHz	1.1db @ 1.8GHz
IPA80R1K4CEXKSA2	1.6600	RFQ	490	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		IPA80R1		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道								800 v	3.9a（TC）	10V	1.4OHM @ 2.3a，10V	3.9V @ 240µA	23 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 100 V	-	31W（TC）
IQE036N08NM6ATMA1	1.1064	RFQ	2006	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的												-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IQE036N08NM6ATMA1TR			5,000
SMBTA56E6433	0.0400	RFQ	125	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	6,709																														80 V	500 MA								100NA				PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
IRFS23N20DPBF	-	RFQ	5882	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道								200 v	24A（TC）	10V	100mohm @ 14a，10v	5.5V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1960 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），170W（TC）
IRF7460TR	-	RFQ	8381	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道								20 v	12a（12a）	4.5V，10V	10mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	2050 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
IPDD60R090CFD7XTMA1	6.4300	RFQ	1637年	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-powersop模块		ipdd60		MOSFET （金属 o化物）				PG-HDSOP-10-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,700		n通道								600 v	33A（TC）		90mohm @ 9.3a，10v	4.5V @ 470µA	42 NC @ 10 V	±20V	1747 PF @ 400 V	-	227W（TC）
auirgs4062d1trl	-	RFQ	6005	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		AUIRGS4062	标准		246 w			D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800					400V，24a，10ohm，15V																					102 ns			沟	600 v	59 a	72 a	1.77V @ 15V，24a	（532µJ）（在311µJ上）	77 NC	19NS/90NS
IRFR3708TRR	-	RFQ	3034	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道								30 V	61A（TC）	2.8V，10V	12.5MOHM @ 15a，10v	2V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±12V	2417 PF @ 15 V	-	87W（TC）
IRF7306PBF	-	RFQ	9086	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF73		MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001564984	Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）									30V	3.6a		100mohm @ 1.8A，10V	1V @ 250µA	25nc @ 10V		440pf @ 25V	逻辑级别门
IKP15N65H5XKSA1	3.2700	RFQ	3463	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IKP15N65	标准		105 w			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					400V，7.5a，39onm，15V																					48 ns			-	650 v	30 a	45 a	2.1V @ 15V，15a	120µJ（在）上，50µJ（50µJ）	38 NC	17ns/160ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²