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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	（ih）（IH））	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
SIGC08T60EX1SA1	-	RFQ	1822年	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC08	标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1						-																										沟渠场停止	600 v	15 a	45 a	1.9V @ 15V，15a	-		-
TT430N22KOFHPSA2	384.3900	RFQ	2077	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TT430N22				系列连接 -scr		下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2					300 MA													2.2 kV	800 a	2.2 v		250 MA	430 a								2 scr
IRLR4343Tr	-	RFQ	6059	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道					55 v	26a（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 4.7A，10V	1V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 50 V	-	79W（TC）
BUZ31L E3044A	-	RFQ	7256	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					200 v	13.5A（TC）	5V	200mohm @ 7a，5v	2V @ 1mA		±20V	1600 pf @ 25 V	-	95W（TC）
IPC60R190E6X1SA1	-	RFQ	1301	Infineon技术	-	大部分	积极的				IPC60						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000745330		0000.00.0000	1									-
IRL530NSPBF	-	RFQ	4644	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					100 v	17a（TC）	4V，10V	100mohm @ 9a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），79w（tc）
T1330N20TOFVTXPSA1	-	RFQ	2836	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AC	T1330N				单身的		下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1					300 MA													2.2 kV	2600 a	2.2 v	2650a @ 50Hz	250 MA	1330 a								1 scr
TZ425N08KOFHPSA1	-	RFQ	7882	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TZ425N				单身的		下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3					300 MA													800 v	800 a	1.5 v	14500a @ 50Hz	250 MA	510 a								1 scr
IRLMS5703TRPBF	-	RFQ	1937年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）			Micro6™tsop-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道					30 V	2.4A（TA）	4.5V，10V	180MOHM @ 1.6A，10V	1V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	1.7W（TA）
IRF5852	-	RFQ	3439	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	IRF58		MOSFET （金属 o化物）	960MW		6-TSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	100	2 n 通道（双）							20V	2.7a		90MOHM @ 2.7a，4.5V	1.25V @ 250µA	6NC @ 4.5V		400pf @ 15V	逻辑级别门
BCX70HE6327HTSA1	0.0492	RFQ	6876	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCX70			330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																	45 v	100 ma								20NA（ICBO）		NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	180 @ 2mA，5v	250MHz
IPP60R190E6XKSA1	3.7100	RFQ	2	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R190		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					600 v	20.2A（TC）	10V	190MOHM @ 9.5A，10V	3.5V @ 630µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 100 V	-	151W（TC）
BCP52-16	0.0400	RFQ	7597	Infineon技术	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.4 w		SOT-223	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	1,128																																	60 V	1 a								100NA（ICBO）		PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	50MHz
IKP03N120H2	-	RFQ	7596	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		62.5 w		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1						800V，3A，82OHM，15V																				42 ns						-	1200 v	9.6 a	9.9 a	2.8V @ 15V，3A	290µJ	22 NC	9.2NS/281NS
SPB04N50C3	0.5900	RFQ	24	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					500 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 25 V	-	50W（TC）
BFS 469L6 E6327	-	RFQ	7074	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	6-XFDFN				200MW，250MW		TSLP-6-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000							14.5db																										5V，10V	50mA，70mA										2 NPN （双）		130 @ 20mA，3v / 100 @ 5mA，3v	22GHz，9GHz	1.1db〜1.4dB @ 1.8GHz〜3GHz
IPP014N08NM6AKSA1	3.6906	RFQ	9223	Infineon技术	-	管子	积极的										-	rohs3符合条件						50
IPI80P03P405AKSA1	-	RFQ	5044	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80p		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000396316	Ear99	8541.29.0095	500			P通道					30 V	80A（TC）	10V	5mohm @ 80a，10v	4V @ 253µA	130 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	137W（TC）
BSZ096N10LS5ATMA1	1.8800	RFQ	7	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ096		MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道					100 v	40a（TC）	4.5V，10V	9.6mohm @ 20a，10v	2.3V @ 36µA	22 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 50 V	标准	69W（TC）
IRFH8316TRPBF	-	RFQ	8446	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道					30 V	27a（27A），50A（50A）（TC）	4.5V，10V	2.95MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 50µA	59 NC @ 10 V	±20V	3610 PF @ 10 V	-	3.6W（TA），59w（tc）
IPI50R250CP	1.1100	RFQ	10	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					500 v	13A（TC）	10V	250MOHM @ 7.8A，10V	3.5V @ 520µA	36 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 100 V	-	114W（TC）
IAUA200N04S5N010AUMA1	2.9800	RFQ	3	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn	IAUA200		MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-5-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道					40 V	200a（TC）	7V，10V	1MOHM @ 100A，10V	3.4V @ 100µA	132 NC @ 10 V	±20V	7650 pf @ 25 V	-	167W（TC）
IRF7466	-	RFQ	1312	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7466	Ear99	8541.29.0095	95			n通道					30 V	11a（11a）	4.5V，10V	12.5MOHM @ 11A，10V	3V @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±20V	2100 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
SIDC08D120F6X1SA3	-	RFQ	7249	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死	SIDC08		标准			锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						1200 v	2.1 V @ 7 A		27 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	7a	-
BCP72M	1.0000	RFQ	7779	Infineon技术	-	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	3,000
IPB093N04LG	0.3500	RFQ	17	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			PG至263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					40 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 50a，10v	2V @ 77µA	28 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 20 V	-	47W（TC）
IPB180N10S403ATMA1	5.5100	RFQ	343	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB180		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					100 v	180a（TC）	10V	3.3MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 180µA	140 NC @ 10 V	±20V	10120 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IRF6635TR1	-	RFQ	2137	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MX	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					30 V	32A（TA），180a （TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 32a，10v	2.35V @ 250µA	71 NC @ 4.5 V	±20V	5970 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IPP80N06S4L05AKSA1	-	RFQ	3124	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道					60 V	80A（TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 80A，10V	2.2V @ 60µA	110 NC @ 10 V	±16V	8180 pf @ 25 V	-	107W（TC）
BAR6302VH6327XTSA1	0.3800	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）		SC-79，SOD-523	BAR63					PG-SC79-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000				100 ma													250兆													0.3pf @ 5V，1MHz										PIN-单	50V		1 OHM @ 10mA，100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²