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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRG4BC15MDPBF	-	RFQ	9852	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRG4BC15	标准		49 W	TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			480V，8.6a，75ohm，15V											28 ns	-	600 v	14 a	28 a	2.3V @ 15V，8.6a	（320µJ）（在1.93mj）上	46 NC	21NS/540NS
IRF8010SPBF	-	RFQ	5468	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	80A（TC）	10V	15mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	3830 pf @ 25 V	-	260W（TC）
IRGS10B60KDPBF	-	RFQ	1817年	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRGS10	标准		156 w	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			400V，10a，47ohm，15V											90 ns	npt	600 v	22 a	44 a	2.2V @ 15V，10a	140µJ（在）上，250µJ（OFF）	38 NC	30NS/230NS
IRF2805SPBF	-	RFQ	3081	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	135a（TC）	10V	4.7MOHM @ 104A，10V	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	5110 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRFP2907ZPBF	4.4400	RFQ	3	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP2907		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		75 v	90A（TC）	10V	4.5MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	310W（TC）
irg4ph40ud2-ep	-	RFQ	7797	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	400			800V，21a，10ohm，15V											50 ns	-	1200 v	41 a	82 a	3.1V @ 15V，21a	（1.95MJ），（1.71mj off）	100 NC	22NS/100NS
IRG4PC40UPBF	-	RFQ	7898	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w	TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	25			480V，20A，10欧姆，15V												-	600 v	40 a	160 a	2.1V @ 15V，20A	320µJ（在）上，350µJ（350µJ）	100 NC	34NS/110NS
IRG4PC40KPBF	-	RFQ	8166	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PC40	标准		160 w	TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	400			480V，25a，10ohm，15V												-	600 v	42 a	84 a	2.6V @ 15V，25a	620µJ（在）上，330µJ（OFF）	120 NC	30NS/140NS
IRG4PH20KDPBF	-	RFQ	6829	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PH20	标准		60 W	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	400			800V，5A，50OHM，15V											51 ns	-	1200 v	11 a	22 a	4.3V @ 15V，5A	620µJ（在）上，300µJ（OFF）	28 NC	50NS/100NS
IRG4PC40FDPBF	-	RFQ	9205	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	400			480V，27a，10ohm，15V											42 ns	-	600 v	49 a	196 a	1.7V @ 15V，27a	（950µJ）（在），2.01mj（（）	100 NC	63NS/230NS
IRG4PC40UDPBF	-	RFQ	9586	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	400			480V，20A，10欧姆，15V											42 ns	-	600 v	40 a	160 a	2.1V @ 15V，20A	（710µJ）（在350µJ上）	100 NC	54NS/110NS
IRG4PC50KPBF	-	RFQ	4416	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PC50	标准		200 w	TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	400			480V，30a，5ohm，15V												-	600 v	52 a	104 a	2.2V @ 15V，30a	490µJ（在）上，680µJ降低）	200 NC	38NS/160NS
IRFPS3810pbf	-	RFQ	5785	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-274AA			MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		100 v	170a（TC）	10V	9MOHM @ 100A，10V	5V @ 250µA	390 NC @ 10 V	±30V	6790 pf @ 25 V	-	580W（TC）
IRG4PC50KDPBF	-	RFQ	7055	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	400			480V，30a，5ohm，15V											50 ns	-	600 v	52 a	104 a	2.2V @ 15V，30a	1.61mj（在）上（840µJ）off）	200 NC	63NS/150NS
IRG4PSH71KPBF	-	RFQ	3405	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		标准		350 w	SUPER-247™to-274AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	25			960V，42A，5OHM，15V												-	1200 v	78 a	156 a	3.9V @ 15V，42a	2.35mj（在）上，3.14MJ off）	410 NC	45NS/220NS
IRG4PH50UDPBF	-	RFQ	3942	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PH50	标准		200 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	400			800V，24A，5OHM，15V											90 ns	-	1200 v	45 a	180 a	3.7V @ 15V，24a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	160 NC	47NS/110NS
IRG4PSC71UDPBF	-	RFQ	2444	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		标准		350 w	SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	25			480V，60a，5ohm，15V											82 ns	-	600 v	85 a	200 a	2V @ 15V，60a	3.26mj（在）上，2.27mj（2.27MJ）	340 NC	90NS/245NS
IRL3714LPBF	-	RFQ	7430	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		20 v	36a（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	±20V	670 pf @ 10 V	-	47W（TC）
IRFZ24NLPBF	-	RFQ	7262	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	17a（TC）	10V	70mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
IRGP50B60PDPBF	-	RFQ	6083	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRGP50	标准		370 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	400			390V，33a，3.3孔，15V											50 ns	npt	600 v	75 a	150 a	2.6V @ 15V，50a	（360µJ）（在380µJ上）	240 NC	34NS/130NS
IRG4PC50UD-EPBF	-	RFQ	6292	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PC50	标准		200 w	TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	400			480V，27a，5ohm，15V											50 ns	-	600 v	55 a	220 a	2V @ 15V，27a	（990µJ）（在590µJ上）	180 NC	46NS/140NS
IRGPS40B120UPBF	-	RFQ	9642	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		标准		595 w	SUPER-247™to-274AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	25			600V，40a，4.7Ohm，15V												npt	1200 v	80 a	160 a	3.71V @ 15V，50a	1.4MJ（在）上，1.65MJ OFF）	340 NC	-
IRGPS40B120UDP	-	RFQ	4748	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	IRGPS40	标准		595 w	SUPER-247™to-274AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	25			600V，40a，4.7Ohm，15V											180 ns	npt	1200 v	80 a	160 a	3.7V @ 15V，50a	1.4MJ（在）上，1.65MJ OFF）	340 NC	-
IRLR3103TRPBF	-	RFQ	4767	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		30 V	55A（TC）	4.5V，10V	19mohm @ 33a，10v	1V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±16V	1600 pf @ 25 V	-	107W（TC）
IRLL014NTRPBF	0.9100	RFQ	69	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRLL014		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		55 v	2A（TA）	4V，10V	140mohm @ 2a，10v	2V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±16V	230 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRLML6302TRPBF	0.5600	RFQ	282	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	IRLML6302		MOSFET （金属 o化物）		Micro3™/SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	780mA（TA）	2.7V，4.5V	600mohm @ 610mA，4.5V	1.5V @ 250µA	3.6 NC @ 4.45 V	±12V	97 pf @ 15 V	-	540MW（TA）
IRLMS1503TRPBF	0.6500	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	IRLMS1503		MOSFET （金属 o化物）		Micro6™tsop-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	3.2A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 2.2a，10v	1V @ 250µA	9.6 NC @ 10 V	±20V	210 pf @ 25 V	-	1.7W（TA）
IRLMS5703TRPBF	-	RFQ	1937年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		Micro6™tsop-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	2.4A（TA）	4.5V，10V	180MOHM @ 1.6A，10V	1V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	1.7W（TA）
IRF7341TRPBF	1.2900	RFQ	4108	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF734		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）			55V	4.7a		50mohm @ 4.7A，10V	1V @ 250µA	36NC @ 10V		740pf @ 25V	逻辑级别门
IRF7309TRPBF	1.0400	RFQ	11	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73		MOSFET （金属 o化物）	1.4W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	4,000	n和p通道			30V	4a，3a		50mohm @ 2.4a，10v	1V @ 250µA	25nc @ 4.5V		520pf @ 15V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²