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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
T660N26TOFXPSA1	229.2333	RFQ	2053	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	夹紧	DO-200AB，B-PUK	T660N26				单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	6				300 MA												2.6 kV	1500 a	2.2 v	13000a @ 50Hz	250 MA	660 a								1 scr
D921S45TXPSA1	2.0000	RFQ	7158	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	do-200AD	D921S45		标准				-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				4500 v	2.6 V @ 2500 A		100 ma @ 4500 V	-40°C〜140°C	1630a	-
IPB040N08NF2SATMA1	2.9800	RFQ	800	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB040N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IPB040N08NF2SATMA1DKR	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			50 V	107a（TC）	6V，10V	4mohm @ 80a，10v	3.8V @ 85µA	81 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 40 V	-	150W（TC）
IPL60R095CFD7AUMA1	6.1800	RFQ	6190	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL60R095		MOSFET （金属 o化物）				PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			600 v	25A（TC）	10V	95MOHM @ 1.4A，10V	4.5V @ 570µA	51 NC @ 10 V	±20V	2103 PF @ 400 V	-	147W（TC）
BSO080P03NS3 g	-	RFQ	3987	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				PG-DSO-8	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道			30 V	12a（12a）	6V，10V	8mohm @ 14.8A，10V	3.1V @ 150µA	81 NC @ 10 V	±25V	6750 PF @ 15 V	-	1.6W（TA）
AUIRFR6215TRL	3.0000	RFQ	1119	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR6215		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道			150 v	13A（TC）	10V	295MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	110W（TC）
BSZ105N04NSGATMA1	-	RFQ	8822	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			40 V	（11a）（ta），40a（tc）	10V	10.5MOHM @ 20A，10V	4V @ 14µA	17 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 20 V	-	2.1W（ta），35W（tc）
ISK036N03LM5AULA1	-	RFQ	4852	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powervdfn	ISK036N		MOSFET （金属 o化物）				PG-VSON-6-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-isk036n03lm5aula1dkr	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			30 V	44A（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	±16V	1400 pf @ 15 V	-	11W（TC）
IRF5803D2TRPBF	-	RFQ	9350	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道			40 V	3.4a（ta）	4.5V，10V	112MOHM @ 3.4A，10V	3V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）
BSZ100N06LS3GATMA1	1.1600	RFQ	121	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	BSZ100		MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			60 V	（11a）（ta），20A （TC）	4.5V，10V	10mohm @ 20a，10v	2.2V @ 23µA	45 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 30 V	-	2.1W（ta），50W（TC）
IKW75N60TA	-	RFQ	6488	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		428 w			pg-to247-3-41	下载					Ear99	8542.39.0001	1					400V，75A，5OHM，15V																			121 ns						沟渠场停止	600 v	80 a	225 a	2V @ 15V，75a	2MJ（在）上，2.5MJ（OFF）	470 NC	33ns/330n
SPD15P10PLGBTMA1	2.2600	RFQ	9	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD15P10		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道			100 v	15A（TC）	4.5V，10V	200mohm @ 11.3a，10v	2V @ 1.54mA	62 NC @ 10 V	±20V	1490 pf @ 25 V	-	128W（TC）
SPI20N65C3	-	RFQ	6796	Infineon技术	*	大部分	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
IRG7PG35UPBF	-	RFQ	6490	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	irg7pg	标准		210 w			TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001541454	Ear99	8541.29.0095	25					600V，20a，10ohm，15V																									沟	1000 v	55 a	60 a	2.2V @ 15V，20A	1.06mj（在）（620µJ）上）	85 NC	30NS/160NS
F4200R17N3E4B58BPSA1	371.6300	RFQ	8	Infineon技术	EasyPack™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F4200R			20兆		三相桥梁整流器	ag-econo3b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	完整的桥梁逆变器																													沟渠场停止	1700 v	200 a		2.3V @ 15V，200a				1 MA	是的	16 NF @ 25 V
D400N16BXPSA1	-	RFQ	4624	Infineon技术	-	大部分	过时的		螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	D400N		标准				-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				1600 v			40 mA @ 1600 V	-40°C〜180°C	450a	-
IPI50R399CPXKSA2	-	RFQ	5521	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI50R399		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			500 v	9A（TC）	10V	399MOHM @ 4.9A，10V	3.5V @ 330µA	23 NC @ 10 V	±20V	890 pf @ 100 V	-	83W（TC）
SPP80N06S2L-11	-	RFQ	5782	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP80N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			55 v	80A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 40a，10v	2V @ 93µA	80 NC @ 10 V	±20V	2650 pf @ 25 V	-	158W（TC）
IRG4RC10KDTRPBF	-	RFQ	8770	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC10	标准		38 w			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000					480V，5A，100OHM，15V																			28 ns						-	600 v	9 a	18 a	2.62V @ 15V，5A	（250µJ）（在140µJ上）	19 nc	49NS/97NS
SIDC06D120H8X1SA2	-	RFQ	7658	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	死	SIDC06D120		标准				锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000527596	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				1200 v	1.97 V @ 7.5 A		27 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	7.5a	-
BSC030P03NS3GAUMA1	2.8000	RFQ	37	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC030		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			P通道			30 V	25.4A（TA），100A（tc）	6V，10V	3mohm @ 50a，10v	3.1V @ 345µA	186 NC @ 10 V	±25V	14000 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），125W（tc）
IPAN60R125PFD7SXKSA1	2.8800	RFQ	2	Infineon技术	CoolMos™PFD7	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPAN60		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			650 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 7.8A，10V	4.5V @ 390µA	36 NC @ 10 V	±20V	1503 PF @ 400 V	-	32W（TC）
BCR108SE6327BTSA1	-	RFQ	3550	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR108			250MW			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																															50V	100mA						-			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	170MHz	2.2kohms	47kohms
AUIRR3705Z	-	RFQ	2305	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001519682	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			55 v	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2880 pf @ 25 V	-	130W（TC）
Auirrr3915trl	-	RFQ	4634	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520744	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			55 v	30A（TC）		14mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	92 NC @ 10 V		1870 pf @ 25 V	-	120W（TC）
T360N24TOFXPSA1	-	RFQ	3491	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	夹紧	DO-200AA，A-PUK	T360N				单身的			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				300 MA												2.6 kV	550 a	2 v	5000a @ 50Hz	200 MA	360 a								1 scr
IPB22N03S4L-15ATMA1	-	RFQ	6832	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			30 V	22a（TC）	4.5V，10V	14.6mohm @ 22a，10v	2.2V @ 10µA	14 NC @ 10 V	±16V	980 pf @ 25 V	-	31W（TC）
IRF7450TR	-	RFQ	3639	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			200 v	2.5a（ta）	10V	170MOHM @ 1.5A，10V	5.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	940 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IPD380P06NMATMA1	2.3500	RFQ	22	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD380		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道			60 V	35A（TC）	10V	38mohm @ 35a，10v	4V @ 1.7mA	63 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 30 V	-	125W（TC）
IPDQ65R029CFD7AXTMA1	10.1322	RFQ	3239	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				750

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²