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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SIDC08D60C8X1SA1	-	RFQ	2200	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	死	SIDC08		标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																									600 v		1.95 V @ 30 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	30a	-
SIDC07D60F6X1SA5	-	RFQ	2821	Infineon技术	-	大部分	过时的			表面安装	死	SIDC07D60		标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																									600 v		1.6 V @ 22.5 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	22.5a	-
PTFA210601EV4XWSA1	-	RFQ	1288	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		表面安装	H-36265-2	PTFA210601	2.14GHz	ldmos				H-36265-2	下载		3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50				10µA		550 MA	12W	16dB																	-															28 V
T1901N80TS05PRXPSA1	-	RFQ	2195	Infineon技术	-	大部分	过时的		125°C（TJ）	底盘安装	TO-200AF					单身的			-			到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	1					350 MA														8 kV	3300 a	2.5 v	67000a @ 50Hz	350 MA	2930 a											1 scr
IRL1404ZSPBF	-	RFQ	8509	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						40 V	75A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 75A，10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 V	±16V	5080 pf @ 25 V	-	230W（TC）
PTFA212401F V4 R250	-	RFQ	7943	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA212401	2.14GHz	ldmos				H-37260-2	下载		3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250				10µA		1.6 a	50W	15.8db																	-															30 V
D6001N50TXPSA1	3.0000	RFQ	8428	Infineon技术	-	托盘	积极的			底盘安装	do-200ae	D6001N50		标准				-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																									5000 v		1.3 V @ 6000 A		400 MA @ 5000 V	-40°C〜160°C	8010a	-
IPW60R125P6	-	RFQ	5062	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）				pg-to247-3	下载					0000.00.0000	1			n通道						600 v	30A（TC）	10V	125mohm @ 11.6a，10v	4.5V @ 960µA	56 NC @ 10 V	±20V	2660 pf @ 100 V	-	219W（TC）
STT3400N16P76XPSA1	1.0000	RFQ	9060	Infineon技术	-	托盘	积极的												-	rohs3符合条件			Ear99	8541.30.0080	1
SPU04N60C3BKMA1	-	RFQ	6382	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SPU04N		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO251-3-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道						650 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IPB65R110CFD7ATMA1	6.0500	RFQ	5667	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						650 v	22a（TC）	10V	110MOHM @ 9.7a，10V	4.5V @ 480µA	41 NC @ 10 V	±20V	1942 PF @ 400 V	-	114W（TC）
BCP53-10E6327	0.1200	RFQ	17	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				2 w			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000																																					80 V	1 a			100NA（ICBO）			500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	125MHz
STT3300N16P76XPSA1	1.0000	RFQ	1903年	Infineon技术	*	托盘	积极的					STT3300N							-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	1
BSC240N12NS3G	-	RFQ	3584	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道						120 v	37A（TC）	10V	24mohm @ 31a，10v	4V @ 35µA	27 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 60 V	-	66W（TC）
FS950R08A6P2BBPSA1	917.7000	RFQ	9	Infineon技术	HybridPack™	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FS950R08			870 w		标准	Ag-Hybridd-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器																																			沟渠场停止	750 v	950 a	1.35V @ 15V，450a		1 MA	是的	80 nf @ 50 V
TT570N18KOFHPSA1	395.7600	RFQ	2	Infineon技术	-	托盘	积极的		125°C（TJ）	底盘安装	模块	TT570N				系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	2					300 MA														1.8 kV	1050 a	2 v	20000a	250 MA	566 a											2 scr
IPP60R600E6	-	RFQ	9675	Infineon技术	Coolmos E6™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道						600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	3.5V @ 200µA	20.5 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	63W（TC）
IRL2203NSTRR	-	RFQ	8315	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800			n通道						30 V	116a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 60a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±16V	3290 pf @ 25 V	-	3.8W（180W），180W（tc）
IPD50N10S3L16ATMA1	2.0500	RFQ	3	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						100 v	50A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 50a，10v	2.4V @ 60µA	64 NC @ 10 V	±20V	4180 pf @ 25 V	-	100W（TC）
BSC014N06NSSCATMA1	3.6000	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	BSC014		MOSFET （金属 o化物）				PG-WSON-8-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道						60 V	261a（TC）	6V，10V	1.4mohm @ 50a，10v	3.3V @ 120µA	104 NC @ 10 V	±20V	8125 PF @ 30 V	-	3W（3W），188w（tc）
IPP052NE7N3GXKSA1	2.9400	RFQ	6	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP052		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						75 v	80A（TC）	10V	5.2MOHM @ 80A，10V	3.8V @ 91µA	68 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 37.5 V	-	150W（TC）
BAS70-07E6327	-	RFQ	1363	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAS70		肖特基				PG-SOT143-4	下载				Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																								2独立	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C
auxakf1405zs-7p	-	RFQ	2794	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK（7铅）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						55 v	120A（TC）	10V	4.9mohm @ 88a，10v	4V @ 150µA	230 NC @ 10 V	±20V	5360 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IPD50N04S308ATMA1	0.6684	RFQ	1845年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						40 V	50A（TC）	10V	7.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 40µA	35 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 25 V	-	68W（TC）
AIDW10S65C5XKSA1	3.0995	RFQ	7332	Infineon技术	汽车，AEC-Q100/101，Coolsic™	管子	上次购买			通过洞	TO-247-3	AIDW10		SIC （碳化硅）				pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	240		没有恢复t> 500mA（IO）																									650 v		1.7 V @ 10 A	0 ns	60 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	10a	303pf @ 1V，1MHz
PX8746JDNG029XTMA1	-	RFQ	8384	Infineon技术	-	托盘	过时的					PX8746JD							下载	rohs3符合条件		到达不受影响	过时的	0000.00.0000	1
BAS40B5000	0.0300	RFQ	90	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS40		肖特基				PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									40 V		1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C	120mA	3pf @ 0v，1MHz
IRFHM8329TRPBF	-	RFQ	9501	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）				PQFN（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道						30 V	16a（16A），57A （TC）	4.5V，10V	6.1MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 25µA	26 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 10 V	-	2.6W（TA），33W（tc）
FZ600R65KE3NOSA1	2.0000	RFQ	1	Infineon技术	-	托盘	积极的		-50°C〜125°C	底盘安装	模块	FZ600R65			2400 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		8541.29.0095	1	单身的																																			-	6500 v	600 a	3.4V @ 15V，600A		5 ma	不	160 nf @ 25 V
BAT54WE6327	0.0200	RFQ	21	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	BAT54		肖特基				PG-SOT323-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	15,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									30 V		800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C	200mA	10pf @ 1V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²