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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IPA50R399CPXKSA1	-	RFQ	9725	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA50R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-31	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	500 v	9A（TC）	10V	399MOHM @ 4.9A，10V	3.5V @ 330µA	23 NC @ 10 V	±20V	890 pf @ 100 V	-	83W（TC）
IPA60R250CPXKSA1	-	RFQ	2245	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-31	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	650 v	12A（TC）	10V	250MOHM @ 7.8A，10V	3.5V @ 440µA	35 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 100 V	-	33W（TC）
IPA60R520CPXKSA1	-	RFQ	4674	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-31	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	600 v	6.8A（TC）	10V	520MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	630 PF @ 100 V	-	30W（TC）
IPB011N04LGATMA1	5.4700	RFQ	1539年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB011	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	40 V	180a（TC）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 100A，10V	2V @ 200µA	346 NC @ 10 V	±20V	29000 PF @ 20 V	-	250W（TC）
IPB011N04NGATMA1	3.4600	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB011	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	40 V	180a（TC）	10V	1.1MOHM @ 100A，10V	4V @ 200µA	250 NC @ 10 V	±20V	20000 PF @ 20 V	-	250W（TC）
IPB015N04LGATMA1	4.8700	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB015	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	40 V	120A（TC）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 100A，10V	2V @ 200µA	346 NC @ 10 V	±20V	28000 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IPB020N04NGATMA1	3.0800	RFQ	6	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB020	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	40 V	140a（TC）	10V	2MOHM @ 100A，10V	4V @ 95µA	120 NC @ 10 V	±20V	9700 PF @ 20 V	-	167W（TC）
IPB023N06N3GATMA1	-	RFQ	2239	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB023N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-7	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	140a（TC）	10V	2.3MOHM @ 100A，10V	4V @ 141µA	198 NC @ 10 V	±20V	16000 PF @ 30 V	-	214W（TC）
IPB025N08N3GATMA1	5.7600	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB025	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	80 V	120A（TC）	6V，10V	2.5MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 270µA	206 NC @ 10 V	±20V	14200 PF @ 40 V	-	300W（TC）
IPB030N08N3GATMA1	4.1700	RFQ	752	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB030	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	80 V	160a（TC）	6V，10V	3MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 155µA	117 NC @ 10 V	±20V	8110 PF @ 40 V	-	214W（TC）
IPB034N06N3GATMA1	-	RFQ	9266	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB034N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-7	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	100A（TC）	10V	3.4mohm @ 100a，10v	4V @ 93µA	130 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 30 V	-	167W（TC）
IPB042N10N3GATMA1	3.0600	RFQ	82	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB042	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	100A（TC）	6V，10V	4.2MOHM @ 50a，10v	3.5V @ 150µA	117 NC @ 10 V	±20V	8410 PF @ 50 V	-	214W（TC）
IPB054N08N3GATMA1	2.1200	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB054	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	80 V	80A（TC）	6V，10V	5.4mohm @ 80a，10v	3.5V @ 90µA	69 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 40 V	-	150W（TC）
IPB067N08N3GATMA1	2.7800	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB067	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	80 V	80A（TC）	6V，10V	6.7MOHM @ 73A，10V	3.5V @ 73µA	56 NC @ 10 V	±20V	3840 pf @ 40 V	-	136W（TC）
IPB072N15N3GATMA1	6.9500	RFQ	8	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB072	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	150 v	100A（TC）	8V，10V	7.2MOHM @ 100A，10V	4V @ 270µA	93 NC @ 10 V	±20V	5470 pf @ 75 V	-	300W（TC）
IPB083N10N3GATMA1	1.6900	RFQ	960	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB083	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	80A（TC）	6V，10V	8.3MOHM @ 73A，10V	3.5V @ 75µA	55 NC @ 10 V	±20V	3980 pf @ 50 V	-	125W（TC）
IPB093N04LGATMA1	-	RFQ	4676	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB093N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 50a，10v	2V @ 16µA	28 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 20 V	-	47W（TC）
IPB100N04S2L03ATMA1	-	RFQ	8882	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB100N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IPB100N06S2L05ATMA1	-	RFQ	8535	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB100N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	55 v	100A（TC）	4.5V，10V	4.4mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	5660 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IPB114N03L g	-	RFQ	5825	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB114N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	11.4mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 15 V	-	38W（TC）
IPB147N03LGATMA1	-	RFQ	8730	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB147N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	14.7mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 15 V	-	31W（TC）
IPB160N04S203ATMA1	-	RFQ	5720	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB160N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	40 V	160a（TC）	10V	2.9MOHM @ 60a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IPB160N04S2L03ATMA1	-	RFQ	5621	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB160N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	40 V	160a（TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 80A，10V	2V @ 250µA	230 NC @ 5 V	±20V	6000 pf @ 15 V	-	300W（TC）
IPB200N15N3GATMA1	3.1500	RFQ	109	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB200	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	150 v	50A（TC）	8V，10V	20mohm @ 50a，10v	4V @ 90µA	31 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 75 V	-	150W（TC）
IPB34CN10NGATMA1	-	RFQ	7110	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB34C	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	27a（TC）	10V	34mohm @ 27a，10v	4V @ 29µA	24 NC @ 10 V	±20V	1570 pf @ 50 V	-	58W（TC）
IPB47N10SL26ATMA1	-	RFQ	2155	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB47N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	47A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 33a，10v	2V @ 2mA	135 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	175W（TC）
IPB60R125CPATMA1	7.4000	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™CP	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB60R125	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 100 V	-	208W（TC）
IPB60R199CPATMA1	4.6000	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™CP	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB60R199	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	16A（TC）	10V	199mohm @ 9.9a，10V	3.5V @ 660µA	43 NC @ 10 V	±20V	1520 PF @ 100 V	-	139W（TC）
IPB60R299CPATMA1	-	RFQ	4761	Infineon技术	Coolmos™CP	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB60R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	11A（TC）	10V	299MOHM @ 6.6a，10V	3.5V @ 440µA	29 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	96W（TC）
IPB60R385CPATMA1	-	RFQ	4600	Infineon技术	Coolmos™CP	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB60R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	9A（TC）	10V	385MOHM @ 5.2A，10V	3.5V @ 340µA	22 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 100 V	-	83W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²