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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
IPT60T040S7XTMA1	4.8790	RFQ	4897	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				2,000
SPP07N60S5XKSA1	-	RFQ	1722年	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP07N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000681034	Ear99	8541.29.0095	500			n通道				600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	5.5V @ 350µA	35 NC @ 10 V	±20V	970 pf @ 25 V	-	83W（TC）
IPW60R041P6FKSA1	13.4900	RFQ	4596	Infineon技术	Coolmos™P6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW60R041		MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道				600 v	77.5A（TC）	10V	41MOHM @ 35.5a，10V	4.5V @ 2.96mA	170 NC @ 10 V	±20V	8180 pf @ 100 V	-	481W（TC）
IKWH50N65EH7XKSA1	6.2400	RFQ	230	Infineon技术	-	管子	积极的										下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240
F3L600R10WS7B11BPSA1	146.6700	RFQ	7719	Infineon技术	*	托盘	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-F3L600R10WS7B11BPSA1			8
ipi16cne8n g	-	RFQ	1583年	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI16C		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道				85 v	53A（TC）	10V	16.5MOHM @ 53A，10V	4V @ 61µA	48 NC @ 10 V	±20V	3230 PF @ 40 V	-	100W（TC）
IRG7PK42UD1MPBF	-	RFQ	8358	Infineon技术	-	大部分	过时的				irg7pk						下载		不适用	到达不受影响	SP001542046	过时的	0000.00.0000	1
IRF8910TRPBF-1	-	RFQ	1715年	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF89		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）		8-so	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）						20V	10a（10a）		13.4mohm @ 10a，10v	2.55V @ 250µA	11NC @ 4.5V		960pf @ 10V	-
IDW40G65C5XKSA1	15.8800	RFQ	462	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	IDW40G65		SIC （碳化硅）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001632890	Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）																						650 v		1.7 V @ 40 A	0 ns	220 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	40a	1140pf @ 1V，1MHz
IKY75N120CH3XKSA1	18.8900	RFQ	425	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IKY75N120	标准		938 w		pg-to247-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					600V，75a，6ohm，15V																						292 ns						-	1200 v	150 a	300 a	2.35V @ 15V，75a	3.4MJ（在）上，2.9MJ off）	370 NC	38NS/303NS
BSF050N03LQ3GXUMA1	-	RFQ	2520	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-wdson			MOSFET （金属 o化物）			MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				30 V	（15a）（TA），60a （TC）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 15 V	-	2.2W（28），28W（tc）
IPC30S2SN08NX2MA1	3.2013	RFQ	3812	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				IPC30S2						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				3,000
BB439E6327HTSA1	0.7700	RFQ	24	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	BB439					pg-sod323-3d	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																															6pf @ 25V，1MHz										单身的	28 V									8	C2/C25	600 @ 25V，200MHz
BCR196WE6327HTSA1	-	RFQ	6837	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR196			250兆		PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																		50 V	70 MA								100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5v	150 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
D740N40TXPSA1	-	RFQ	1152	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	DO-200AB，B-PUK	D740N40		标准			-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						4000 v		1.45 V @ 700 A		70 ma @ 4000 V	-40°C〜160°C	750a	-
AIHD03N60RFATMA1	-	RFQ	6976	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AIHD03	标准		53.6 w		PG-TO252-3-313	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001346868	Ear99	8541.29.0095	2,500					400V，2.5a，68onm，15V																												沟渠场停止	600 v	5 a	7.5 a	2.5V @ 15V，2.5a	（50µJ），40µJ（40µJ）	17.1 NC	10NS/128NS
IRFB4410ZPBF	1.6600	RFQ	10	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB4410		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				100 v	97A（TC）	10V	9mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4820 PF @ 50 V	-	230W（TC）
BC849CWE6327HTSA1	-	RFQ	3259	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC849			250兆		PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																		30 V	100 ma								15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
BSD235NH6327XTSA1	0.4200	RFQ	21	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BSD235		MOSFET （金属 o化物）	500MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						20V	950mA		350MOHM @ 950mA，4.5V	1.2V @ 1.6µA	0.32NC @ 4.5V		63pf @ 10V	逻辑级别门
TD251N18KOFHPSA1	-	RFQ	2720	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TD251N18				系列连接 -SCR/二极管		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3				300 MA													1.8 kV	410 a	2 v	9100A @ 50Hz	200 MA	250 a										1 sc，1二极管
IPA60R600P7SE8228XKSA1	0.7002	RFQ	2876	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R600		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道				600 v	6A（TC）	10V	600MOHM @ 1.7A，10V	4V @ 80µA	9 NC @ 10 V	±20V	363 PF @ 400 V	-	21W（TC）
AUIRF7103Q	-	RFQ	2457	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIRF7103		MOSFET （金属 o化物）	2.4W		8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001521578	Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）						50V	3a		130MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	15nc @ 10V		255pf @ 25V	-
IRF9395MTRPBF	-	RFQ	4892	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MC	IRF9395		MOSFET （金属 o化物）	2.1W		DirectFet™MC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001566526	Ear99	8541.29.0095	4,800	2（p 通道（双）						30V	14a		7mohm @ 14a，10v	2.4V @ 50µA	64NC @ 10V		3241pf @ 15V	逻辑级别门
BFP740FESDH6327XTSA1	0.5700	RFQ	8993	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP740			160MW		4-TSFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						9db〜31dB																												4.7V	45mA									NPN		160 @ 25mA，3v	47GHz			0.5db〜1.45dB @ 150MHz〜10GHz
IPT60R022S7XTMA1	14.0000	RFQ	5246	Infineon技术	CoolMos™S7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT60R022		MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-8-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道				600 v	23A（TC）	12V	22mohm @ 23a，12v	4.5V @ 1.44mA	150 NC @ 12 V	±20V	5639 PF @ 300 V	-	390W（TC）
IRF7467TRPBF	-	RFQ	2989	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道				30 V	11a（11a）	2.8V，10V	12mohm @ 11a，10v	2V @ 250µA	32 NC @ 4.5 V	±12V	2530 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
BFP420FH6327XTSA1	0.4400	RFQ	15	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP420			160MW		4-TSFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						19.5db																												5.5V	35mA									NPN		60 @ 5mA，4V	25GHz			1.1db @ 1.8GHz
BB833E6327HTSA1	-	RFQ	7945	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	BB833					PG-SOD323-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																															0.9pf @ 28V，1MHz										单身的	30 V									12.4	C1/C28	-
BAT5404WH6327XTSA1	0.5000	RFQ	88	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BAT5404		肖特基			PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																					1对系列连接	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C （最大）
IRG4BC30U-STRRP	-	RFQ	4816	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRG4BC30	标准		100 W		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800					480V，12a，23ohm，15V																												-	600 v	23 a	92 a	2.1V @ 15V，12A	160µJ（在）上，200µJ（200µJ）	50 NC	17NS/78NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²