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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	电流 -最大	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f
BAT6806WH6327XTSA1	-	RFQ	3201	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		SC-70，SOT-323		BAT6806							PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000					130 MA																		150兆																1pf @ 0v，1MHz											肖特基 -1对公共阳极	8V				10ohm @ 5mA，10kHz
IPP039N10N5AKSA1	4.0000	RFQ	3721	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP039			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道											100 v	100A（TC）	6V，10V	3.9mohm @ 50a，10v	3.8V @ 125µA	95 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 50 V	-	188W（TC）
BSS223PWL6327	-	RFQ	4062	Infineon技术	Optimos®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323					MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT323-3-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道											20 v	390mA（ta）	2.5V，4.5V	1.2OHM @ 390mA，4.5V	1.2V @ 1.5µA	0.62 NC @ 4.5 V	±12V	56 pf @ 15 V	-	250MW（TA）
IPAN70R600P7SXKSA1	1.2400	RFQ	2668	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		IPAN70			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道											700 v	8.5A（TC）	10V	600MOHM @ 1.8A，10V	3.5V @ 90µA	10.5 NC @ 10 V	±16V	364 PF @ 400 V	-	24.9W（TC）
IAUC100N04S6L025ATMA1	1.2000	RFQ	38	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		IAUC100			MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道											40 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.56mohm @ 50a，10v	2V @ 24µA	34 NC @ 10 V	±16V	2019 PF @ 25 V	-	62W（TC）
SPI07N65C3HKSA1	-	RFQ	6873	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		SPI07N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道											650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
FF6MR12W2M1HB70BPSA1	252.3600	RFQ	1381	Infineon技术	-	托盘	积极的														-		（1 （无限）	到达不受影响				15
Si4435dytrpbf	1.0300	RFQ	22	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		SI4435			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道											30 V	8A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 8a，10v	1V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2320 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IDH03G65C5XKSA2	2.1100	RFQ	460	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	不适合新设计			通过洞	TO-220-2		IDH03G65			SIC （碳化硅）				pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）																														650 v		1.7 V @ 3 A	0 ns	50 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	3a	100pf @ 1V，1MHz
IAUC120N04S6N010ATMA1	2.5800	RFQ	8194	Infineon技术	Optimos™-6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		IAUC120			MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道											40 V	150a（TC）	7V，10V	1.03Mohm @ 60a，10v	3V @ 90µA	108 NC @ 10 V	±20V	6878 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IRGB6B60KDPBF	-	RFQ	1052	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			标准			90 W			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000							400V，5A，100OHM，15V																												70 ns						npt	600 v	13 a	26 a	2.2V @ 15V，5A	110µJ（在）上，135µJ（OFF）	18.2 NC	25NS/215NS
TD175N16SOFHPSA1	64.1200	RFQ	30	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		TD175N16					系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10						400 MA																		1.6 kV	275 a	2 v	5400A @ 50Hz	150 ma	175 a											1 sc，1二极管
IRF3709ZSTRRPBF	1.6600	RFQ	4330	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		IRF3709			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道											30 V	87A（TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 21a，10V	2.25V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±20V	2130 PF @ 15 V	-	79W（TC）
BAS28	0.0300	RFQ	7642	Infineon技术	*	大部分	积极的						BAS28								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS28	Ear99	8541.10.0070	3,000
IRAMX30TP60A-INF	-	RFQ	7137	Infineon技术	-	管子	积极的			通过洞	23-Powersip模块，19条线索，形成铅	IGBT									下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3相逆变器										30 a	600 v	2000vrms
IRF7473PBF	-	RFQ	4360	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）					MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001572110	Ear99	8541.29.0095	95			n通道											100 v	6.9a（ta）	10V	26mohm @ 4.1A，10V	5.5V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	3180 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
FS150R17PE4BOSA1	365.9067	RFQ	5138	Infineon技术	Econopack™4	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FS150R17				835 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器																																								沟渠场停止	1700 v	150 a		2.3V @ 15V，150a							1 MA	是的	13.5 nf @ 25 V
BAS70-06E6327	-	RFQ	8731	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAS70			肖特基				PG-SOT23	下载					Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																													1对公共阳极	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C
IAUS300N08S5N011TATMA1	8.9100	RFQ	5880	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	16-Powersop模块					MOSFET （金属 o化物）				PG-HDSOP-16-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道											80 V	300A（TJ）	6V，10V	1.1MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 275µA	231 NC @ 10 V	±20V	16250 PF @ 40 V	-	375W（TC）
IRG7T 400SD12B	-	RFQ	6406	Infineon技术	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®62模块		irg7t				2140 w		标准	Powir®62	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001542008	Ear99	8541.29.0095	15	单身的																																								-	1200 v	780 a		2.2V @ 15V，400A							4 mA	不	58.5 nf @ 25 V
BSZ086P03NS3EGATMA1	0.9700	RFQ	19	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSZ086			MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			P通道											30 V	13.5A（TA），40a （TC）	6V，10V	8.6mohm @ 20a，10v	3.1V @ 105µA	57.5 NC @ 10 V	±25V	4785 pf @ 15 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
BG3123H6327XTSA1	-	RFQ	7714	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BG3123		800MHz	MOSFET				PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			25mA，20mA				14 ma	-	25DB																				1.8dB																			5 v
IPD11DP10NMATMA1	1.8500	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD11D			MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道											100 v	3.4a（TA），22a （TC）	10V	111MOHM @ 18A，10V	4V @ 1.7mA	74 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 50 V	-	（3W）（125W（ta）（TC）
D650N04TXPSA1	-	RFQ	9620	Infineon技术	-	大部分	过时的			底盘安装	DO-200AA，A-PUK		D650N04			标准				-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																														400 v		950 MV @ 450 A		20 ma @ 400 V	-40°C〜180°C	650a	-
SIDC03D60C8F1SA1	-	RFQ	1159	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	死		SIDC03			标准				死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																														600 v		1.95 V @ 10 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	10a	-
IPB049NE7N3GATMA1	2.8000	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		IPB049			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道											75 v	80A（TC）	10V	4.9Mohm @ 80a，10v	3.8V @ 91µA	68 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 37.5 V	-	150W（TC）
BSB053N03LP g	-	RFQ	1041	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-wdson					MOSFET （金属 o化物）				MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道											30 V	（17a）（ta），71a（tc）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	2700 pf @ 15 V	-	2.3W（ta），42W（（（TC）
IRFR5305TRRPBF	-	RFQ	4473	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001573302	Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道											55 v	31a（TC）	10V	65mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRF7321D2TR	-	RFQ	7221	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）					MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道											30 V	4.7a（ta）	4.5V，10V	62MOHM @ 4.9A，10V	1V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）
IRFHM830TRPBF	0.9300	RFQ	4	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		IRFHM830			MOSFET （金属 o化物）				8-pqfn二（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道											30 V	21a（21a），40a （TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 20a，10v	2.35V @ 50µA	31 NC @ 10 V	±20V	2155 pf @ 25 V	-	2.7W（TA），37W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²