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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRL3302S	-	RFQ	1467	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3302S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		20 v	39A（TC）	4.5V，7V	20mohm @ 23a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	31 NC @ 4.5 V	±10V	1300 pf @ 15 V	-	57W（TC）
IRF7501TR	-	RFQ	7557	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	IRF7501		MOSFET （金属 o化物）	1.25W	Micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）			20V	2.4a		135mohm @ 1.7A，4.5V	700MV @ 250µA	8NC @ 4.5V		260pf @ 15V	逻辑级别门
IRF7663Tr	-	RFQ	9098	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		Micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道		20 v	8.2a（ta）		20mohm @ 7A，4.5V	1.2V @ 250µA	45 NC @ 5 V		2520 PF @ 10 V	-
IRG4BC20K-S	-	RFQ	2205	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		60 W	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC20K-S	Ear99	8541.29.0095	50			480V，9a，50ohm，15V												-	600 v	16 a	32 a	2.8V @ 15V，9a	（150µJ）（在），250µJ（250µJ）中	34 NC	28NS/150NS
IRG4BC10	-	RFQ	1212	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		38 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC10	Ear99	8541.29.0095	50			480V，8A，100OHM，15V												-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	140µJ（在）上，2.58MJ off）	15 NC	25NS/630NS
IRG4BC30W-S	-	RFQ	6415	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG4BC30W-S	标准		100 W	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC30W-S	Ear99	8541.29.0095	50			480V，12a，23ohm，15V												-	600 v	23 a	92 a	2.7V @ 15V，12A	（130µJ）（在130µJ上）	51 NC	25NS/99NS
IRG4BC20SD	-	RFQ	4268	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC20SD	Ear99	8541.29.0095	50			480V，10a，50ohm，15V											37 ns	-	600 v	19 a	38 a	1.6V @ 15V，10a	320µJ（在）上，2.58MJ off）	27 NC	62NS/690NS
IRG4IBC10UD	-	RFQ	4177	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		25 w	pg-to220-fp	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4IBC10UD	Ear99	8541.29.0095	50			480V，5A，100OHM，15V											28 ns	-	600 v	6.8 a	27 a	2.6V @ 15V，5A	140µJ（在）上，120µJ（120µJ）	15 NC	40NS/87NS
IRG4PC30U	-	RFQ	8068	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PC30	标准		100 W	TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4PC30U	Ear99	8541.29.0095	25			480V，12a，23ohm，15V												-	600 v	23 a	92 a	2.1V @ 15V，12A	160µJ（在）上，200µJ（200µJ）	50 NC	17NS/78NS
IRG4PC50K	-	RFQ	2555	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4PC50K	Ear99	8541.29.0095	25			480V，30a，5ohm，15V												-	600 v	52 a	104 a	2.2V @ 15V，30a	490µJ（在）上，680µJ降低）	200 NC	38NS/160NS
IRL3215	-	RFQ	7420	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	12A（TC）	4V，10V	166MOHM @ 7.2A，10V	2V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±16V	775 PF @ 25 V	-	80W（TC）
IRF3704	-	RFQ	7824	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3704	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		20 v	77A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	1996 PF @ 10 V	-	87W（TC）
IRF3704L	-	RFQ	1012	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3704L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		20 v	77A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	1996 PF @ 10 V	-	87W（TC）
IRF530NL	-	RFQ	8923	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF530NL	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	17a（TC）	10V	90mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	920 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），70W（70W）TC）
IRFZ44EL	-	RFQ	6587	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ44EL	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	48A（TC）	10V	23mohm @ 29a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1360 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRL2910L	-	RFQ	4432	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL2910L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	55A（TC）	4V，10V	26mohm @ 29a，10v	2V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±16V	3700 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRF5305L	-	RFQ	9509	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF5305L	Ear99	8541.29.0095	50		P通道		55 v	31a（TC）	10V	60mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
IRF6215L	-	RFQ	2023	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF6215L	Ear99	8541.29.0095	50		P通道		150 v	13A（TC）	10V	290MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
IRF9540NL	-	RFQ	3630	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9540NL	Ear99	8541.29.0095	50		P通道		100 v	23A（TC）	10V	117mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	97 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），140W（TC）
IRF9Z34NL	-	RFQ	8279	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9Z34NL	Ear99	8541.29.0095	50		P通道		55 v	19a（tc）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），68w（tc）
IRLML5203	-	RFQ	8814	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		Micro3™/SOT-23	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		P通道		30 V	3A（3A）	4.5V，10V	98mohm @ 3a，10v	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	510 pf @ 25 V	-	1.25W（TA）
IRF7526D1	-	RFQ	2121	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		Micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		P通道		30 V	2A（TA）	4.5V，10V	200mohm @ 1.2A，10V	1V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
IRF1404STRR	-	RFQ	6396	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		40 V	162a（TC）	10V	4mohm @ 95a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7360 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRF1405S	-	RFQ	1951年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	131a（TC）	10V	5.3MOHM @ 101A，10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	5480 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IRF3707STRR	-	RFQ	2455	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		30 V	62A（TC）	4.5V，10V	12.5MOHM @ 15a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	1990 pf @ 15 V	-	87W（TC）
IRF3708	-	RFQ	5225	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3708S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		30 V	62A（TC）	2.8V，10V	12mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±12V	2417 PF @ 15 V	-	87W（TC）
IRF520NSTRR	-	RFQ	4377	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	= 94-4024	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	9.7a（TC）	10V	200mohm @ 5.7a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），48W（tc）
IRF7233Tr	-	RFQ	6172	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道		12 v	9.5A（TA）	2.5V，4.5V	20mohm @ 9.5A，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	74 NC @ 5 V	±12V	6000 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
IRF7324D1TR	-	RFQ	1902年	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道		20 v	2.2A（ta）	2.7V，4.5V	270MOHM @ 1.2A，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	7.8 NC @ 4.5 V	±12V	260 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）
irlr2703trr	-	RFQ	1579年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	23A（TC）	4V，10V	45mohm @ 14a，10v	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±16V	450 pf @ 25 V	-	45W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²