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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	电流 -最大	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BC 847BF E6327	-	RFQ	2279	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	BC 847				250兆			PG-TSFP-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																																							45 v	100 ma									15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
IPB022N04LG	0.8300	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道								40 V	90A（TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 90A，10V	2V @ 95µA	166 NC @ 10 V	±20V	13000 PF @ 20 V	-	167W（TC）
IPAW60R600P7SXKSA1	1.2200	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	不适合新设计		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	ipaw60			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	45			n通道								600 v	6A（TC）	10V	600MOHM @ 1.7A，10V	4V @ 80µA	9 NC @ 10 V	±20V	363 PF @ 400 V	-	21W（TC）
BSM100GB120DN2HOSA1	185.3680	RFQ	9504	Infineon技术	-	托盘	上次购买		150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM100				800 w		标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10	半桥																																					-	1200 v	150 a		3V @ 15V，100a							2 ma	不	6.5 nf @ 25 V
IKW75N60TFKSA1	9.5400	RFQ	6036	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW75N60	标准			428 w			PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30							400V，75A，5OHM，15V																									121 ns						沟渠场停止	600 v	80 a	225 a	2V @ 15V，75a	4.5MJ	470 NC	33ns/330n
SIGC42T60NCX1SA6	-	RFQ	8343	Infineon技术	-	大部分	过时的		-55°C〜150°C	表面安装	死	SIGC42T60	标准						死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	过时的		1							300V，50a，3.3ohm，15V																															npt	600 v	50 a	150 a	2.5V @ 15V，50a	-		43NS/130NS
IPW65R045C7FKSA1	15.0100	RFQ	8515	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R045			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			n通道								650 v	46A（TC）	10V	45mohm @ 24.9a，10v	4V @ 1.25mA	93 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 400 V	-	227W（TC）
IDH09SG60CXKSA1	-	RFQ	9488	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产			通过洞	TO-220-2	IDH09SG60			SIC （碳化硅）				PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）																											600 v		2.1 V @ 9 A	0 ns	80 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	9a	280pf @ 1V，1MHz
PTFA261301E V1	-	RFQ	3652	Infineon技术	Goldmos®	托盘	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍线			2.68GHz	ldmos				H-30260-2	下载		3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	35				10µA				1.4 a	130W	13.5dB																	-																			28 V
IPAN60R210PFD7SXKSA1	2.3400	RFQ	831	Infineon技术	CoolMos™PFD7	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPAN60			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道								650 v	16A（TC）	10V	210MOHM @ 4.9A，10V	4.5V @ 240µA	23 NC @ 10 V	±20V	1015 PF @ 400 V	-	25W（TC）
BSM50GX120DN2BOSA1	162.1200	RFQ	8104	Infineon技术	-	托盘	上次购买					BSM50G								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10
IPA60R520CPXKSA1	-	RFQ	4674	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-31	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500			n通道								600 v	6.8A（TC）	10V	520MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	630 PF @ 100 V	-	30W（TC）
BAS70-06B5003	0.0300	RFQ	60	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS70			肖特基				PG-SOT23-3-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																										1对公共阳极	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA		100 na @ 50 V	150°C
IRLHS2242TR2PBF	-	RFQ	7601	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	6-Powervdfn				MOSFET （金属 o化物）				6-PQFN （2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	400			P通道								20 v	7.2A（ta），15a（tc）		31mohm @ 8.5a，4.5V	1.1V @ 10µA	12 nc @ 10 V		877 PF @ 10 V	-
BA892E6770	0.0400	RFQ	5195	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）		SC-80								PG-SCD80-2	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	6,000					100 ma																															1.1pf @ 3V，1MHz											标准 -单个	35V				500MOHM @ 10mA，100MHz
IRLR4343TRRPBF	-	RFQ	5937	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道								55 v	26a（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 4.7A，10V	1V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 50 V	-	79W（TC）
BAS 70 B5003	-	RFQ	3449	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS 70			肖特基				PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																											70 v		1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	-55°C〜125°C	70mA	2pf @ 0v，1MHz
IRFH8307TRPBF	1.5500	RFQ	2	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IRFH8307			MOSFET （金属 o化物）				8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道								30 V	42A（TA），100A（tc）	4.5V，10V	1.3MOHM @ 50a，10v	2.35V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	7200 PF @ 15 V	-	3.6W（TA），156W（TC）
IPB65R190C6ATMA1	-	RFQ	4026	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB65R			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道								650 v	20.2A（TC）	10V	190MOHM @ 7.3A，10V	3.5V @ 730µA	73 NC @ 10 V	±20V	1620 PF @ 100 V	-	151W（TC）
IPB80N03S4L03	1.1000	RFQ	2	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	295			n通道								30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 80A，10V	2.2V @ 45µA	75 NC @ 10 V	±16V	5100 PF @ 25 V	-	94W（TC）
TZ800N18KOFB1TIMHDSA1	-	RFQ	9720	Infineon技术	-	大部分	过时的					TZ800N18								-				过时的		1
IRFH8337TRPBF	-	RFQ	4620	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）				PQFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道								30 V	12a（12a），35a（tc）	4.5V，10V	12.8mohm @ 16.2a，10v	2.35V @ 25µA	10 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 10 V	-	3.2W（TA），27W（TC）
IKW75N60H3	1.0000	RFQ	8822	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			428 w			pg-to247-3-41	下载				Ear99	8541.29.0095	1							400V，75A，5.2OHM，15V																									190 ns						沟渠场停止	600 v	80 a	225 a	2.3V @ 15V，75a	3MJ（在）上，1.7MJ（OFF）	470 NC	31NS/265NS
BSC010NE2LSATMA1	1.7200	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC010			MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道								25 v	39A（TA），100A（tc）	4.5V，10V	1mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 12 V	-	2.5W（ta），96w（tc）
D4201N20TXPSA1	-	RFQ	5058	Infineon技术	-	托盘	过时的			底盘安装	do-200ae	D4201N20			标准				-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																											2000 v		1 V @ 4000 A		200 ma @ 2000 V	-40°C〜160°C	6010a	-
IGC10T65U8QX1SA1	-	RFQ	8806	Infineon技术	-	大部分	积极的		-	-	-	IGC10	-						-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		0000.00.0000	1							-																															-				-	-		-
IGB30N60H3XKSA1	-	RFQ	8197	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		标准			187 W			pg-to263-3-2	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1,000							400V，30a，10.5Ohm，15V																															沟渠场停止	600 v	60 a	120 a	2.4V @ 15V，30a	（730µJ）（在），440µJ（（（（（）	165 NC	18NS/207NS
IKD04N60R6EDV1	-	RFQ	2362	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准			75 w			PG-TO252-3-313	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1							400V，4A，43OHM，15V																									43 ns						沟渠场停止	600 v	8 a	12 a	2.1V @ 15V，4A	（90µJ）（在150µJ）上（OFF）	27 NC	14NS/146NS
IPP50CN10NGHKSA1	-	RFQ	3009	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道								100 v	20A（TC）	10V	50mohm @ 20a，10v	4V @ 20µA	16 NC @ 10 V	±20V	1090 pf @ 50 V	-	44W（TC）
TZ860N16KOFTIMHPSA1	589.6600	RFQ	4502	Infineon技术	-	托盘	积极的		125°C（TJ）	底盘安装	模块	TZ860N16					单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	1						500 MA															1.6 kV	1500 a	2 v	46000a @ 50Hz	250 MA	860 a											1 scr

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²