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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IDD05SG60CXTMA2	1.9507	RFQ	6564	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IDD05SG60		SIC （碳化硅）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	没有恢复t> 500mA（IO）													600 v	2.3 V @ 5 A	0 ns	30 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	5a	110pf @ 1V，1MHz
IDD09SG60CXTMA2	3.8742	RFQ	9340	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IDD09SG60		SIC （碳化硅）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	没有恢复t> 500mA（IO）													600 v	2.1 V @ 9 A	0 ns	80 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	9a	280pf @ 1V，1MHz
IDH04SG60CXKSA2	2.9100	RFQ	486	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	IDH04SG60		SIC （碳化硅）		pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	没有恢复t> 500mA（IO）													600 v	2.3 V @ 4 A	0 ns	25 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	4a	80pf @ 1V，1MHz
IDH09SG60CXKSA2	4.0156	RFQ	8861	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	上次购买		通过洞	TO-220-2	IDH09SG60		SIC （碳化硅）		pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	没有恢复t> 500mA（IO）													600 v	2.1 V @ 9 A	0 ns	80 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	9a	280pf @ 1V，1MHz
IDD04SG60CHUMA1	-	RFQ	6008	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				IDD04SG60					下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000607030	Ear99	8541.10.0080	2,500
AIGW40N65F5XKSA1	6.7400	RFQ	190	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AIGW40	标准		250 w	pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，20a，15ohm，15V																		沟	650 v	74 a	120 a	2.1V @ 15V，40a	350µJ（在）上，100µJ（100µJ）	95 NC	19NS/165NS
AIKQ100N60CTXKSA1	15.3400	RFQ	4358	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AIKQ100	标准		714 w	PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，100A，3.6ONM，15V																		沟渠场停止	600 v	160 a	400 a	2V @ 15V，100a	3.1mj（在）上，2.5MJ off）	610 NC	30NS/290NS
AIKW20N60CTXKSA1	6.5600	RFQ	4944	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	aikw20	标准		166 w	pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001346790	Ear99	8541.29.0095	30			400V，20A，12OHM，15V																		沟渠场停止	600 v	40 a	60 a	2.05V @ 15V，20A	（310µJ）（在460µJ上）	120 NC	18NS/199N
AIKW40N65DF5XKSA1	9.8400	RFQ	6011	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Aikw40	标准		250 w	pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，20a，15ohm，15V																		沟	650 v	74 a	120 a	2.1V @ 15V，40a	350µJ（在）上，100µJ（100µJ）	95 NC	19NS/165NS
AIKW50N60CTXKSA1	10.2500	RFQ	9147	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	aikw50	标准		333 w	pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，50a，7ohm，15V																		沟渠场停止	600 v	80 a	150 a	2V @ 15V，50a	1.2MJ（在）上，1.4MJ off）	310 NC	26NS/299NS
AIKW50N65DF5XKSA1	10.4300	RFQ	9998	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	aikw50	标准		270 w	pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，25a，12ohm，15V																		沟	650 v		150 a	2.1V @ 15V，50a	（490µJ）（在140µJ上）	1018 NC	21NS/156NS
AIKW50N65DH5XKSA1	11.1100	RFQ	7873	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	aikw50	标准		270 w	pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，25a，12ohm，15V																		沟	650 v		150 a	2.1V @ 15V，50a	（490µJ）（在140µJ上）	1018 NC	21NS/156NS
AIKW75N60CTXKSA1	13.1600	RFQ	3220	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	aikw75	标准		428 w	pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，75A，5OHM，15V																		沟渠场停止	600 v	80 a	225 a	2V @ 15V，75a	2MJ（在）上，2.5MJ（OFF）	470 NC	33ns/330n
IKA10N65ET6XKSA1	-	RFQ	1714年	Infineon技术	-	管子	积极的				IKA10N65					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001639786		0000.00.0000	500
IKQ40N120CH3XKSA1	12.7300	RFQ	1206	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKQ40N120	标准		500 w	PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，12ohm，15V																		-	1200 v	80 a	160 a	2.35V @ 15V，40a	3.3mj（在）上，1.3MJ off）	190 NC	30NS/300NS
IKQ50N120CH3XKSA1	12.6600	RFQ	237	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKQ50N120	标准		652 w	PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，50a，10ohm，15V																		-	1200 v	100 a	200 a	2.35V @ 15V，50a	3MJ（在）上，1.9MJ（OFF）	235 NC	34NS/297NS
IKQ75N120CH3XKSA1	17.6700	RFQ	9404	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKQ75N120	标准		938 w	PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，75a，6ohm，15V																		-	1200 v	150 a	300 a	2.35V @ 15V，75a	6.4mj（在）上，2.8MJ（2.8MJ）	370 NC	34NS/282NS
IPAN80R450P7XKSA1	2.7500	RFQ	8554	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPAN80		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	11A（TC）	10V	450MOHM @ 4.5A，10V	3.5V @ 220µA	24 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 500 V	-	29W（TC）
IPAW70R950CEXKSA1	-	RFQ	9040	Infineon技术	CoolMos™CE	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	ipaw70		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		n通道		700 v	7.4A（TC）	10V	950MOHM @ 1.5A，10V	3.5V @ 150µA	15.3 NC @ 10 V	±20V	328 pf @ 100 V	-	68W（TC）
IPP039N10N5AKSA1	4.0000	RFQ	3721	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP039		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	100A（TC）	6V，10V	3.9mohm @ 50a，10v	3.8V @ 125µA	95 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 50 V	-	188W（TC）
IPSA70R950CEAKMA1	-	RFQ	1553	Infineon技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	IPSA70		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO251-3-347	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		700 v	8.7A（TC）	10V	950MOHM @ 1.5A，10V	3.5V @ 150µA	15.3 NC @ 10 V	±20V	328 pf @ 100 V	-	94W（TC）
IRF200P223	6.9300	RFQ	277	Infineon技术	strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRF200		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		200 v	100A（TC）	10V	11.5MOHM @ 60a，10v	4V @ 270µA	102 NC @ 10 V	±20V	5094 PF @ 50 V	-	313W（TC）
IRF300P226	9.8900	RFQ	1	Infineon技术	strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRF300		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		300 v	100A（TC）	10V	19mohm @ 45a，10v	4V @ 270µA	191 NC @ 10 V	±20V	10030 PF @ 50 V	-	556W（TC）
SIPC69N65C3X1SA1	-	RFQ	7421	Infineon技术	-	大部分	积极的				SIPC69					-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP000437778		0000.00.0000	1					-
AIHD03N60RFATMA1	-	RFQ	6976	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AIHD03	标准		53.6 w	PG-TO252-3-313	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001346868	Ear99	8541.29.0095	2,500			400V，2.5a，68onm，15V																		沟渠场停止	600 v	5 a	7.5 a	2.5V @ 15V，2.5a	（50µJ），40µJ（40µJ）	17.1 NC	10NS/128NS
AIHD04N60RATMA1	-	RFQ	3780	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AIHD04	标准		75 w	pg-to252-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001346862	Ear99	8541.29.0095	2,500			400V，4A，43OHM，15V																		沟渠场停止	600 v	8 a	12 a	2.1V @ 15V，4A	（90µJ）（在150µJ）上（OFF）	27 NC	14NS/146NS
AIHD10N60RATMA1	-	RFQ	4575	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AIHD10	标准		150 w	PG-TO252-3-313	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001346846	Ear99	8541.29.0095	2,500			400V，10a，23ohm，15V																		沟渠场停止	600 v	20 a	30 a	2.1V @ 15V，10a	210µJ（在）上，380µJ降低）	64 NC	14NS/192NS
AIHD15N60RFATMA1	-	RFQ	3667	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AIHD15	标准		240 w	PG-TO252-3-313	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			400V，15A，15欧姆，15V																		沟渠场停止	600 v	30 a	45 a	2.5V @ 15V，15a	270µJ（在）上，250µJ（250µJ）	90 nc	13NS/160NS
BSC350N20NSFDATMA1	3.5900	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC350		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		200 v	35A（TC）	10V	35MOHM @ 35A，10V	4V @ 90µA	30 NC @ 10 V	±20V	2410 pf @ 100 V	-	150W（TC）
BSZ0703LSATMA1	1.1800	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ0703		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		60 V	40a（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 20µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1800 pf @ 30 V	标准	46W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²