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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
38DN06B02ELEMXPSA1	232.6400	RFQ	19	Infineon技术	-	托盘	积极的			底盘安装	do-200 ac，k-puk	38DN06			标准			BG-D-Elem-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	20		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																			600 v		960 MV @ 4500 A		50 ma @ 600 V	180°C （最大）	5140a	-
IPA60R180C7XKSA1	3.3800	RFQ	434	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						600 v	9A（TC）	10V	180MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 260µA	24 NC @ 10 V	±20V	1080 pf @ 400 V	-	29W（TC）
IAUC50N08S5N102ATMA1	0.6636	RFQ	8176	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-33	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						80 V	50a（TJ）	6V，10V	10.2MOHM @ 25A，10V	3.8V @ 24µA	21 NC @ 10 V	±20V	1394 PF @ 40 V	-	60W（TC）
FB30R06W1E3BOMA1	44.2700	RFQ	24	Infineon技术	EasyPim™	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FB30R06				115 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器																												沟渠场停止	600 v	39 a		2V @ 15V，30a					1 MA	是的	1.65 NF @ 25 V
IPA60R060P7XKSA1	6.8000	RFQ	8048	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R060			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						600 v	48A（TC）	10V	60mohm @ 15.9a，10v	4V @ 800µA	67 NC @ 10 V	±20V	2895 PF @ 400 V	-	29W（TC）
IRFHE4250DTRPBF	-	RFQ	6342	Infineon技术	Fastirfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	32-PowerWFQFN	IRFHE4250			MOSFET （金属 o化物）	156W		32-PQFN （6x6）	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）								25V	86a，303a		2.75mohm @ 27a，10v	2.1V @ 35µA	20NC @ 4.5V		1735pf @ 13V	逻辑级别门
IPI80P03P405AKSA1	-	RFQ	5044	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80p			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000396316	Ear99	8541.29.0095	500			P通道						30 V	80A（TC）	10V	5mohm @ 80a，10v	4V @ 253µA	130 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	137W（TC）
IRFH8316TRPBF	-	RFQ	8446	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道						30 V	27a（27A），50A（50A）（TC）	4.5V，10V	2.95MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 50µA	59 NC @ 10 V	±20V	3610 PF @ 10 V	-	3.6W（TA），59w（tc）
BFS 469L6 E6327	-	RFQ	7074	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		150°C（TJ）	表面安装	6-XFDFN					200MW，250MW		TSLP-6-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000								14.5db																						5V，10V	50mA，70mA										2 NPN （双）		130 @ 20mA，3v / 100 @ 5mA，3v	22GHz，9GHz	1.1db〜1.4dB @ 1.8GHz〜3GHz
IPP014N08NM6AKSA1	3.6906	RFQ	9223	Infineon技术	-	管子	积极的												-	rohs3符合条件						50
IKP03N120H2	-	RFQ	7596	Infineon技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准			62.5 w		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1					800V，3A，82OHM，15V																			42 ns					-	1200 v	9.6 a	9.9 a	2.8V @ 15V，3A	290µJ	22 NC	9.2NS/281NS
IPP60R190E6XKSA1	3.7100	RFQ	2	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R190			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						600 v	20.2A（TC）	10V	190MOHM @ 9.5A，10V	3.5V @ 630µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 100 V	-	151W（TC）
BSZ096N10LS5ATMA1	1.8800	RFQ	7	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ096			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						100 v	40a（TC）	4.5V，10V	9.6mohm @ 20a，10v	2.3V @ 36µA	22 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 50 V	标准	69W（TC）
SPB04N50C3	0.5900	RFQ	24	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						500 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IPA028N08N3GXKSA1	-	RFQ	7935	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA028			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						80 V	89A（TC）	6V，10V	2.8mohm @ 89a，10v	3.5V @ 270µA	206 NC @ 10 V	±20V	14200 PF @ 40 V	-	42W（TC）
BCX56E6327	1.0000	RFQ	8697	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					2 w		PG-SOT89-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																														80 V	1 a							100NA（ICBO）				500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
FF1200R17KE3NOSA1	1.0000	RFQ	6992	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FF1200				595000 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单菜器																												-	1700 v			2.45V @ 15V，1200A					5 ma	不	110 nf @ 25 V
DD600S16K4NOSA1	669.0400	RFQ	14	Infineon技术	-	大部分	积极的			底盘安装	模块				标准			-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																		2独立	600 v	600A（DC）	2.8 V @ 600 A		4 ma @ 1600 V	150°C
BFP843H6327	0.1700	RFQ	194	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343					125MW		SOT-343	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000								24.5db																						2.25V	55mA										NPN		150 @ 15mA，1.8V	-	0.9db〜1.85db @ 450MHz〜10GHz
IRGP50B60PDPBF	-	RFQ	6083	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRGP50	标准			370 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400					390V，33a，3.3孔，15V																			50 ns					npt	600 v	75 a	150 a	2.6V @ 15V，50a	（360µJ）（在380µJ上）	240 NC	34NS/130NS
SMBD914E6327HTSA1	0.4000	RFQ	64	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMBD914			标准			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			100 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	100 na @ 75 V	150°C （最大）	250mA	2pf @ 0v，1MHz
FS75R12KT4PB11BPSA1	162.7680	RFQ	9657	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的					FS75R12							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	10
IP165R660CFD	0.5600	RFQ	7905	Infineon技术	*	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	500
SPP47N10L	-	RFQ	5768	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp47n			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP000012102	Ear99	8541.29.0095	500			n通道						100 v	47A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 33a，10v	2V @ 2mA	135 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	175W（TC）
AUIRF1405Z	-	RFQ	3176	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						55 v	150a（TC）	10V	4.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IRG6IC30U-110P	-	RFQ	9198	Infineon技术	-	管子	过时的		-	通过洞	TO-220-3完整包	IRG6IC30	标准			43 W		TO-220AB全盘	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					-																								沟	330 v	28 a		2.38V @ 15V，120a	-		-
SPU30P06P	-	RFQ	6749	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SPU30P			MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			P通道						60 V	30A（TC）	10V	75MOHM @ 21.5A，10V	4V @ 1.7mA	48 NC @ 10 V	±20V	1535 PF @ 25 V	-	125W（TC）
PTFA211801E V4	-	RFQ	2716	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	H-36260-2	PTFA211801		2.14GHz	ldmos			H-36260-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	35				10µA		1.2 a	35W	15.5db											-																		28 V
BG3130RH6327XTSA1	-	RFQ	8239	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BG3130		800MHz	MOSFET			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			25mA		14 ma	-	24dB											1.3dB																		5 v
IDW20G65C5FKSA1	-	RFQ	3675	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产			通过洞	TO-247-3	IDW20G65			SIC （碳化硅）			PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240		没有恢复t> 500mA（IO）																			650 v		1.7 V @ 20 A	0 ns	700 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	20a	590pf @ 1V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²