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离散半导体产品（（16626）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 结构 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 fet （ih）（IH）） （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （（av）（av）） SCR，二极管的数量
IRFH5300TRPBF Infineon Technologies IRFH5300TRPBF 1.6200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IRFH5300 MOSFET （金属 o化物） 8-pqfn（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 30 V 40a（TA），100A （TC） 4.5V，10V 1.4mohm @ 50a，10v 2.35V @ 150µA 120 NC @ 10 V ±20V 7200 PF @ 15 V - 3.6W（TA），250W（TC）
TD140N22KOFHPSA1 Infineon Technologies TD140N22KOFHPSA1 -
RFQ
 ECAD 9414 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 -40°C〜125°C 底盘安装 模块 TD140N22 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 8 200 ma 2.2 kV 250 a 2 v 4000a @ 50Hz 150 ma 159 a 1 sc，1二极管
TT61N12KOFB2HPSA1 Infineon Technologies TT61N12KOFB2HPSA1 -
RFQ
 ECAD 8464 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 底盘安装 模块 TT61N 系列连接 -scr 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 15 200 ma 1.2 kV 120 a 1.4 v 1550a @ 50Hz 120 MA 76 a 2 scr
IRFS4115PBF Infineon Technologies IRFS4115pbf -
RFQ
 ECAD 6409 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） D2PAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 195a（TC） 10V 12.1MOHM @ 62a，10v 5V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 5270 pf @ 50 V - 375W（TC）
IPD90N06S404ATMA1 Infineon Technologies IPD90N06S404ATMA1 -
RFQ
 ECAD 5955 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IPD90 MOSFET （金属 o化物） PG-TO252-3-11 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 90A（TC） 10V 3.8mohm @ 90A，10V 4V @ 90µA 128 NC @ 10 V ±20V 10400 PF @ 25 V - 150W（TC）
IRF4905PBF Infineon Technologies IRF4905pbf 2.8100
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IRF4905 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 55 v 74A（TC） 10V 20mohm @ 38a，10v 4V @ 250µA 180 NC @ 10 V ±20V 3400 PF @ 25 V - 200W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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