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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IRF7807VD1	-	RFQ	3938	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7807VD1	Ear99	8541.29.0095	95			n通道				30 V	8.3a（ta）	4.5V	25mohm @ 7A，4.5V	3V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V		Schottky 二极管（孤立）	2.5W（TA）
TT500N16KOFS01HPSA1	-	RFQ	8103	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TT500N				系列连接 -SCR/二极管			-		不适用	到达不受影响	SP000492386	Ear99	8541.30.0080	1				300 MA													1.6 kV	900 a	2.2 v	17000a @ 50Hz	250 MA	500 a									2 scr
IRFI520N	-	RFQ	7202	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI520N	Ear99	8541.29.0095	50			n通道				100 v	7.6A（TC）	10V	200mohm @ 4.3a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	30W（TC）
FZ3600R12KE3NOSA1	1.0000	RFQ	7	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块				15000 w		标准	AG-IHM190-2-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																															-	1200 v	4700 a		2.15V @ 15V，3.6ka				5 ma	不	260 NF @ 25 V
IRF8915	-	RFQ	3254	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF89		MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF8915	Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）						20V	8.9a		18.3mohm @ 8.9a，10v	2.5V @ 250µA	7.4NC @ 4.5V		540pf @ 10V	逻辑级别门
BCV27E6327HTSA1	0.0815	RFQ	8630	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCV27			360兆w			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																	30 V	500 MA						100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	170MHz
IRFSL7762PBF	1.2000	RFQ	54	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001576382	Ear99	8541.29.0095	50			n通道				75 v	85A（TC）	6V，10V	6.7MOHM @ 51A，10V	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4440 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRFR3412TRRPBF	-	RFQ	5324	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				100 v	48A（TC）	10V	25mohm @ 29a，10v	5.5V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	3430 pf @ 25 V	-	140W（TC）
auirgs30b60ktrl	-	RFQ	5001	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AUIRGS30	标准		370 w			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001511192	Ear99	8541.29.0095	800					400V，30a，10ohm，15V																											npt	600 v	78 a	120 a	2.35V @ 15V，30a	（350µJ）（825µJ降），OFF）	102 NC	46NS/185NS
BFP420E6327	0.1600	RFQ	139	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343				160MW			PG-SOT343-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,888						21dB																											5V	35mA									NPN		60 @ 20mA，4V	25GHz	1.1db @ 1.8GHz
SIGC14T60SNCX7SA1	-	RFQ	4816	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC14	标准					死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					400V，15A，21OHM，15V																											npt	600 v	15 a	45 a	2.5V @ 15V，15a	-		31NS/261NS
SMBTA92E6327HTSA1	0.4800	RFQ	3104	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MBTA92			360兆w			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																	300 v	500 MA						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
IRFHM831TR2PBF	-	RFQ	4658	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）				PQFN（3x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道				30 V	14a（14A），40A （TC）		7.8mohm @ 12a，10v	2.35V @ 25µA	16 NC @ 10 V		1050 pf @ 25 V	-
IDC08S60CEX1SA2	-	RFQ	4755	Infineon技术	COOLSIC™+	大部分	过时的		表面安装	死	IDC08S60		SIC （碳化硅）				死	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000599932	Ear99	8541.10.0080	1		没有恢复t> 500mA（IO）																						600 v	1.7 V @ 8 A	0 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	8a	310pf @ 1V，1MHz
SIDC110D170HX1SA2	-	RFQ	5477	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死	SIDC110D		标准				锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						1700 v	1.8 V @ 200 A		27 µA @ 1700 V	-55°C〜150°C	200a	-
TD250N1825KOFHPSA1	-	RFQ	5648	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TD250N				系列连接 -SCR/二极管			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3				300 MA													1.8 kV	410 a	2 v	8000a @ 50Hz	200 ma	250 a									1 sc，1二极管
SMBTA14E6327HTSA1	0.1265	RFQ	3574	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMBTA14			330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																	30 V	300 MA						100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
BFP640FESDH6327XTSA1	0.7200	RFQ	9874	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP640			200MW			4-TSFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						8b〜30.5dB																											4.7V	50mA									NPN		110 @ 30mA，3v	46GHz	0.55db〜1.7dB @ 150MHz〜10GHz
BSP61E6327HTSA1	-	RFQ	5055	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP61			1.5 w			PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																	60 V	1 a						10µA			pnp-达灵顿	1.8V @ 1mA，1a	2000 @ 500mA，10V	200MHz
BC858BE6327HTSA1	0.0489	RFQ	2115	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC858			330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																	30 V	100 ma						15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	250MHz
C3100N65X122XPSA1	2.0000	RFQ	9446	Infineon技术	-	托盘	积极的	-	-	-							-	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2																				-			标准恢复
BFR106E6327HTSA1	0.4300	RFQ	21	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFR106			700MW			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						8.5db〜13dB																											15V	210mA									NPN		70 @ 70mA，8v	5GHz	1.8db〜3db @ 900MHz〜1.8GHz
IPP120N06S402AKSA2	-	RFQ	3814	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP120N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道				60 V	120A（TC）	10V	2.8MOHM @ 100A，10V	4V @ 140µA	195 NC @ 10 V	±20V	15750 PF @ 25 V	-	188W（TC）
IPL60R365P7AUMA1	2.8100	RFQ	4352	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL60R365		MOSFET （金属 o化物）				PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				600 v	10A（TC）	10V	365mohm @ 2.7a，10v	4V @ 140µA	13 NC @ 10 V	±20V	555 pf @ 400 V	-	46W（TC）
IRFS4227pbf	-	RFQ	8080	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				200 v	62A（TC）	10V	26mohm @ 46a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±30V	4600 PF @ 25 V	-	330W（TC）
IRFR3806TRPBF	1.2600	RFQ	62	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR3806		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道				60 V	43A（TC）	10V	15.8mohm @ 25a，10v	4V @ 50µA	30 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 50 V	-	71W（TC）
IRLHS6376TRPBF	0.6700	RFQ	159	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	IRLHS6376		MOSFET （金属 o化物）	1.5W			6-PQFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）						30V	3.6a		63mohm @ 3.4a，4.5V	1.1V @ 10µA	2.8NC @ 4.5V		270pf @ 25V	逻辑级别门
IRF7452TRPBF	-	RFQ	6881	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道				100 v	4.5A（ta）	10V	60mohm @ 2.7a，10v	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	930 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
FF450R12ME7B11BPSA1	222.8300	RFQ	10	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FF450R12			20兆		标准	ag-econod	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																															沟渠场停止	1200 v	450 a		1.75V @ 15V，450a				40 µA	是的	69 NF @ 25 V
2PS24017E3CE32778NWSA1	-	RFQ	4962	Infineon技术	-	大部分	过时的											-			到达不受影响	448-2PS24017EE3CE32778NWSA1	Ear99	8541.29.0095	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²