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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | 测试条件 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) | 噪声图( db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF520NPBF | 1.2900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF520 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 9.7a(TC) | 10V | 200mohm @ 5.7a,10v | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 330 pf @ 25 V | - | 48W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC046N02KSGAUMA1 | 1.6700 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | BSC046 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TDSON-8-1 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 20 v | (19a(ta),80a tc(TC) | 2.5V,4.5V | 4.6mohm @ 50a,4.5V | 1.2V @ 110µA | 27.6 NC @ 4.5 V | ±12V | 4100 PF @ 10 V | - | 2.8W(TA),48W(tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA60R099C6XKSA1 | 4.8603 | ![]() | 8409 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 管子 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | IPA60R099 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-fp | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 37.9a(TC) | 10V | 99mohm @ 18.1a,10v | 3.5V @ 1.21MA | 119 NC @ 10 V | ±20V | 2660 pf @ 100 V | - | 35W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP640FE6327 | - | ![]() | 1886年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,平坦的铅 | BFP640 | 200MW | 4-TSFP | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 23dB | 4.5V | 50mA | NPN | 110 @ 30mA,3v | 40GHz | 0.65db〜1.2db @ 1.8GHz〜6GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD30N06S2L13ATMA4 | 1.6900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IPD30N06 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-11 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 55 v | 30A(TC) | 4.5V,10V | 13mohm @ 30a,10v | 2V @ 80µA | 69 NC @ 10 V | ±20V | 1800 pf @ 25 V | - | 136W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLI2910 | - | ![]() | 3768 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB全盘 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRLI2910 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 31a(TC) | 4V,10V | 26mohm @ 16a,10v | 2V @ 250µA | 140 NC @ 5 V | ±16V | 3700 PF @ 25 V | - | 63W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DD104N12KKHPSA1 | - | ![]() | 5563 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | POW-R-Blok™模块 | 标准 | POW-R-Blok™模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1200 v | 104a | 1.4 V @ 300 A | 20 ma @ 1200 V | 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP50R299CPXKSA1 | - | ![]() | 6483 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IPP50R | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 550 v | 12A(TC) | 10V | 299MOHM @ 6.6a,10V | 3.5V @ 440µA | 31 NC @ 10 V | ±20V | 1190 pf @ 100 V | - | 104W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFR720L3RHE6327XTSA1 | - | ![]() | 2017 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | BFR720 | 80MW | PG-TSLP-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 24dB | 4.7V | 20mA | NPN | 160 @ 13mA,3v | 45GHz | 0.5db〜0.8dB @ 1.8GHz〜6GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV 99 B5003 | - | ![]() | 6262 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV 99 | 标准 | PG-SOT23 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3714ZSTRR | - | ![]() | 6280 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 20 v | 36a(TC) | 4.5V,10V | 16mohm @ 15a,10v | 2.55V @ 250µA | 7.2 NC @ 4.5 V | ±20V | 550 pf @ 10 V | - | 35W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 158 B6327 | - | ![]() | 6174 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BCR 158 | 200兆 | PG-SOT23 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 30,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 70 @ 5mA,5V | 200 MHz | 2.2 kohms | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPA11N60C3IN | - | ![]() | 9196 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | SPA11N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3-31 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 650 v | 11A(TC) | 10V | 380MOHM @ 7A,10V | 3.9V @ 500µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 1200 pf @ 25 V | - | 33W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR148E6327HTSA1 | 0.3800 | ![]() | 350 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BCR148 | 200兆 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 70 @ 5mA,5V | 100 MHz | 47科姆斯 | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFP4568 | 11.6800 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | AUIRFP4568 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 150 v | 171a(TC) | 10V | 5.9MOHM @ 103A,10V | 5V @ 250µA | 227 NC @ 10 V | ±30V | 10470 pf @ 50 V | - | 517W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC40UPBF | - | ![]() | 8163 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRG4BC40 | 标准 | 160 w | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 480V,20A,10欧姆,15V | - | 600 v | 40 a | 160 a | 2.1V @ 15V,20A | 320µJ(在)上,350µJ(350µJ) | 100 NC | 34NS/110NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D1800N48TVFXPSA1 | 544.8450 | ![]() | 1086 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 夹紧 | do-200 ac,k-puk | D1800N48 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4800 v | 1.32 V @ 1500 A | 100 ma @ 4800 V | -40°C〜160°C | 1800a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF520NL | - | ![]() | 3111 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRF520NL | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 9.7a(TC) | 10V | 200mohm @ 5.7a,10v | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 330 pf @ 25 V | - | 3.8W(ta),48W(tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857CWE6433HTMA1 | - | ![]() | 6763 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BC857 | 250兆 | PG-SOT323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 420 @ 2mA,5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB22N03S4L15ATMA1 | - | ![]() | 3362 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IPB22N03 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-3-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 30 V | 22a(TC) | 4.5V,10V | 14.6mohm @ 22a,10v | 2.2V @ 10µA | 14 NC @ 10 V | ±16V | 980 pf @ 25 V | - | 31W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTA56LT1HTSA1 | 0.0655 | ![]() | 5228 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBTA56 | 330兆 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80 V | 500 MA | 100NA | PNP | 250mv @ 10mA,100mA | 100 @ 100mA,1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC817K-16E6327 | 0.0400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BC817 | 500兆 | PG-SOT23 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,219 | 45 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | 700mv @ 50mA,500mA | 100 @ 100mA,1V | 170MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX5416H6327XTSA1 | 0.1920 | ![]() | 4134 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | BCX5416 | 2 w | PG-SOT89 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 45 v | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPU50R3K0CEAKMA1 | - | ![]() | 6940 | 0.00000000 | Infineon技术 | CoolMos™CE | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | IPU50R | MOSFET (金属 o化物) | pg-to251-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n通道 | 500 v | 1.7A(TC) | 13V | 3ohm @ 400mA,13v | 3.5V @ 30µA | 4.3 NC @ 10 V | ±20V | 84 pf @ 100 V | - | 26W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7468 | - | ![]() | 4428 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-so | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRF7468 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | n通道 | 40 V | 9.4A(TA) | 4.5V,10V | 15.5MOHM @ 9.4a,10V | 2V @ 250µA | 34 NC @ 4.5 V | ±12V | 2460 pf @ 20 V | - | 2.5W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DZ1070N22KHPSA3 | 516.2600 | ![]() | 7807 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DZ1070 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2200 v | 1.11 V @ 3000 A | 150 ma @ 2200 V | -40°C〜150°C | 1100a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP54H6327XTSA1 | 0.2968 | ![]() | 3483 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | BCP54 | 2 w | PG-SOT223-4-10 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 45 v | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 40 @ 150mA,2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB083N15N5LFATMA1 | 6.7300 | ![]() | 6968 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IPB083 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 150 v | 105A(TC) | 10V | 8.3mohm @ 100a,10v | 4.9V @ 134µA | 45 NC @ 10 V | ±20V | 210 pf @ 75 V | - | 179W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR48PNH6433XTMA1 | 0.0975 | ![]() | 6346 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 | BCR48 | 250MW | PG-SOT363-PO | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50V | 70mA,100mA | - | 1 npn,1 pnp- 预偏(二) | 300mv @ 500µA,10mA | 70 @ 5mA,5V | 100MHz,200MHz | 47KOHM,2.2KOHM | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3715ZSTRL | - | ![]() | 8268 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 20 v | 50A(TC) | 4.5V,10V | 11mohm @ 15a,10v | 2.55V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 V | ±20V | 870 pf @ 10 V | - | 45W(TC) |
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