SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet 测试条件 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
IRF520NPBF Infineon Technologies IRF520NPBF 1.2900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF520 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 9.7a(TC) 10V 200mohm @ 5.7a,10v 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 330 pf @ 25 V - 48W(TC)
BSC046N02KSGAUMA1 Infineon Technologies BSC046N02KSGAUMA1 1.6700
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN BSC046 MOSFET (金属 o化物) PG-TDSON-8-1 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 20 v (19a(ta),80a tc(TC) 2.5V,4.5V 4.6mohm @ 50a,4.5V 1.2V @ 110µA 27.6 NC @ 4.5 V ±12V 4100 PF @ 10 V - 2.8W(TA),48W(tc)
IPA60R099C6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R099C6XKSA1 4.8603
RFQ
ECAD 8409 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 上次购买 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 IPA60R099 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-fp 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 37.9a(TC) 10V 99mohm @ 18.1a,10v 3.5V @ 1.21MA 119 NC @ 10 V ±20V 2660 pf @ 100 V - 35W(TC)
BFP640FE6327 Infineon Technologies BFP640FE6327 -
RFQ
ECAD 1886年 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,平坦的铅 BFP640 200MW 4-TSFP 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 23dB 4.5V 50mA NPN 110 @ 30mA,3v 40GHz 0.65db〜1.2db @ 1.8GHz〜6GHz
IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon Technologies IPD30N06S2L13ATMA4 1.6900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD30N06 MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 30A(TC) 4.5V,10V 13mohm @ 30a,10v 2V @ 80µA 69 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 25 V - 136W(TC)
IRLI2910 Infineon Technologies IRLI2910 -
RFQ
ECAD 3768 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB全盘 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRLI2910 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 31a(TC) 4V,10V 26mohm @ 16a,10v 2V @ 250µA 140 NC @ 5 V ±16V 3700 PF @ 25 V - 63W(TC)
DD104N12KKHPSA1 Infineon Technologies DD104N12KKHPSA1 -
RFQ
ECAD 5563 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 底盘安装 POW-R-Blok™模块 标准 POW-R-Blok™模块 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 15 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1200 v 104a 1.4 V @ 300 A 20 ma @ 1200 V 150°C
IPP50R299CPXKSA1 Infineon Technologies IPP50R299CPXKSA1 -
RFQ
ECAD 6483 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP50R MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 550 v 12A(TC) 10V 299MOHM @ 6.6a,10V 3.5V @ 440µA 31 NC @ 10 V ±20V 1190 pf @ 100 V - 104W(TC)
BFR720L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies BFR720L3RHE6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 2017 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-101,SOT-883 BFR720 80MW PG-TSLP-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 15,000 24dB 4.7V 20mA NPN 160 @ 13mA,3v 45GHz 0.5db〜0.8dB @ 1.8GHz〜6GHz
BAV 99 B5003 Infineon Technologies BAV 99 B5003 -
RFQ
ECAD 6262 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV 99 标准 PG-SOT23 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 80 V 200ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 150 na @ 70 V 150°C (最大)
IRL3714ZSTRR Infineon Technologies IRL3714ZSTRR -
RFQ
ECAD 6280 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 20 v 36a(TC) 4.5V,10V 16mohm @ 15a,10v 2.55V @ 250µA 7.2 NC @ 4.5 V ±20V 550 pf @ 10 V - 35W(TC)
BCR 158 B6327 Infineon Technologies BCR 158 B6327 -
RFQ
ECAD 6174 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BCR 158 200兆 PG-SOT23 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 30,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) pnp-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 70 @ 5mA,5V 200 MHz 2.2 kohms 47科姆斯
SPA11N60C3IN Infineon Technologies SPA11N60C3IN -
RFQ
ECAD 9196 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 SPA11N MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-31 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 11A(TC) 10V 380MOHM @ 7A,10V 3.9V @ 500µA 60 NC @ 10 V ±20V 1200 pf @ 25 V - 33W(TC)
BCR148E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR148E6327HTSA1 0.3800
RFQ
ECAD 350 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BCR148 200兆 PG-SOT23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 70 @ 5mA,5V 100 MHz 47科姆斯 47科姆斯
AUIRFP4568 Infineon Technologies AUIRFP4568 11.6800
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 AUIRFP4568 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 150 v 171a(TC) 10V 5.9MOHM @ 103A,10V 5V @ 250µA 227 NC @ 10 V ±30V 10470 pf @ 50 V - 517W(TC)
IRG4BC40UPBF Infineon Technologies IRG4BC40UPBF -
RFQ
ECAD 8163 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRG4BC40 标准 160 w TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 480V,20A,10欧姆,15V - 600 v 40 a 160 a 2.1V @ 15V,20A 320µJ(在)上,350µJ(350µJ) 100 NC 34NS/110NS
D1800N48TVFXPSA1 Infineon Technologies D1800N48TVFXPSA1 544.8450
RFQ
ECAD 1086 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 夹紧 do-200 ac,k-puk D1800N48 标准 - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 4 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 4800 v 1.32 V @ 1500 A 100 ma @ 4800 V -40°C〜160°C 1800a -
IRF520NL Infineon Technologies IRF520NL -
RFQ
ECAD 3111 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MOSFET (金属 o化物) TO-262 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRF520NL Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 9.7a(TC) 10V 200mohm @ 5.7a,10v 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 330 pf @ 25 V - 3.8W(ta),48W(tc)
BC857CWE6433HTMA1 Infineon Technologies BC857CWE6433HTMA1 -
RFQ
ECAD 6763 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BC857 250兆 PG-SOT323 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 420 @ 2mA,5V 250MHz
IPB22N03S4L15ATMA1 Infineon Technologies IPB22N03S4L15ATMA1 -
RFQ
ECAD 3362 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB22N03 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 30 V 22a(TC) 4.5V,10V 14.6mohm @ 22a,10v 2.2V @ 10µA 14 NC @ 10 V ±16V 980 pf @ 25 V - 31W(TC)
MMBTA56LT1HTSA1 Infineon Technologies MMBTA56LT1HTSA1 0.0655
RFQ
ECAD 5228 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBTA56 330兆 PG-SOT23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 80 V 500 MA 100NA PNP 250mv @ 10mA,100mA 100 @ 100mA,1V 100MHz
BC817K-16E6327 Infineon Technologies BC817K-16E6327 0.0400
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BC817 500兆 PG-SOT23 下载 不适用 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 8,219 45 v 500 MA 100NA(ICBO) 700mv @ 50mA,500mA 100 @ 100mA,1V 170MHz
BCX5416H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX5416H6327XTSA1 0.1920
RFQ
ECAD 4134 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA BCX5416 2 w PG-SOT89 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 45 v 1 a 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,2V 100MHz
IPU50R3K0CEAKMA1 Infineon Technologies IPU50R3K0CEAKMA1 -
RFQ
ECAD 6940 0.00000000 Infineon技术 CoolMos™CE 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA IPU50R MOSFET (金属 o化物) pg-to251-3 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 500 v 1.7A(TC) 13V 3ohm @ 400mA,13v 3.5V @ 30µA 4.3 NC @ 10 V ±20V 84 pf @ 100 V - 26W(TC)
IRF7468 Infineon Technologies IRF7468 -
RFQ
ECAD 4428 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MOSFET (金属 o化物) 8-so 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRF7468 Ear99 8541.29.0095 95 n通道 40 V 9.4A(TA) 4.5V,10V 15.5MOHM @ 9.4a,10V 2V @ 250µA 34 NC @ 4.5 V ±12V 2460 pf @ 20 V - 2.5W(TA)
DZ1070N22KHPSA3 Infineon Technologies DZ1070N22KHPSA3 516.2600
RFQ
ECAD 7807 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 底盘安装 模块 DZ1070 标准 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2200 v 1.11 V @ 3000 A 150 ma @ 2200 V -40°C〜150°C 1100a -
BCP54H6327XTSA1 Infineon Technologies BCP54H6327XTSA1 0.2968
RFQ
ECAD 3483 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA BCP54 2 w PG-SOT223-4-10 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 45 v 1 a 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 50mA,500mA 40 @ 150mA,2V 100MHz
IPB083N15N5LFATMA1 Infineon Technologies IPB083N15N5LFATMA1 6.7300
RFQ
ECAD 6968 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB083 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 150 v 105A(TC) 10V 8.3mohm @ 100a,10v 4.9V @ 134µA 45 NC @ 10 V ±20V 210 pf @ 75 V - 179W(TC)
BCR48PNH6433XTMA1 Infineon Technologies BCR48PNH6433XTMA1 0.0975
RFQ
ECAD 6346 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 BCR48 250MW PG-SOT363-PO 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 50V 70mA,100mA - 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 500µA,10mA 70 @ 5mA,5V 100MHz,200MHz 47KOHM,2.2KOHM 47kohms
IRL3715ZSTRL Infineon Technologies IRL3715ZSTRL -
RFQ
ECAD 8268 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 20 v 50A(TC) 4.5V,10V 11mohm @ 15a,10v 2.55V @ 250µA 11 NC @ 4.5 V ±20V 870 pf @ 10 V - 45W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库