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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IRF7304Tr	-	RFQ	3014	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）			20V	4.3a		90MOHM @ 2.2a，4.5V	700MV @ 250µA	22nc @ 4.5V		610pf @ 15V	逻辑级别门
IRLML2502TR	-	RFQ	7768	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		Micro3™/SOT-23	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	20 v	4.2A（ta）		45MOHM @ 4.2A，4.5V	1.2V @ 250µA	12 nc @ 5 V		740 pf @ 15 V	-
IRD3CH16DF6	-	RFQ	7260	Infineon技术	-	大部分	过时的				IRD3CH16				下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540428	Ear99	8541.10.0080	1
IPD70N10S3L12ATMA1	2.6300	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD70	MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	100 v	70A（TC）	4.5V，10V	11.5MOHM @ 70A，10V	2.4V @ 83µA	77 NC @ 10 V	±20V	5550 pf @ 25 V	-	125W（TC）
BSS225H6327FTSA1	0.6600	RFQ	5692	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BSS225	MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	600 v	90mA（ta）	4.5V，10V	45ohm @ 90mA，10v	2.3V @ 94µA	5.8 NC @ 10 V	±20V	131 PF @ 25 V	-	1W（ta）
IPU80R2K0P7AKMA1	1.1100	RFQ	4726	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU80R2	MOSFET （金属 o化物）		pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道	800 v	3A（TC）	10V	2ohm @ 940mA，10v	3.5V @ 50µA	9 NC @ 10 V	±20V	175 PF @ 500 V	-	24W（TC）
BCW68FE6327HTSA1	0.0662	RFQ	1208	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW68		330兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					45 v	800 MA	20NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	200MHz
IRLZ44ZL	-	RFQ	6602	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLZ44ZL	Ear99	8541.29.0095	50			n通道	55 v	51A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 31a，10v	3V @ 250µA	36 NC @ 5 V	±16V	1620 PF @ 25 V	-	80W（TC）
AUIRF3710Z	-	RFQ	7681	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	100 v	59A（TC）	10V	18mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	160W（TC）
IMT65R030M1HXUMA1	20.6300	RFQ	7590	Infineon技术	COOLSIC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-Powersfn		sicfet （碳化硅）		PG-HSOF-8-1	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			-	650 v	-	18V	-	-		-		-	-
SPP80N06S2L-05	-	RFQ	1215	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP80N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道	55 v	80A（TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	7530 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IDC40D120T6HX1SA1	-	RFQ	5526	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IDC40D120	标准		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1200 v	2.25 V @ 75 A		14 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	75a	-
IPI320N20N3GAKSA1	-	RFQ	2949	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI320	MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道	200 v	34A（TC）	10V	32MOHM @ 34A，10V	4V @ 90µA	29 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 100 V	-	136W（TC）
BCP29	1.0000	RFQ	8393	Infineon技术	-	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1,000
IPW60R160P6FKSA1	4.7600	RFQ	240	Infineon技术	Coolmos™P6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW60R160	MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道	600 v	23.8a（TC）	10V	160MOHM @ 9A，10V	4.5V @ 750µA	44 NC @ 10 V	±20V	2080 pf @ 100 V	-	176W（TC）
IRL3103D2PBF	-	RFQ	6344	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3103D2PBF	Ear99	8541.29.0095	50			n通道	30 V	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 32a，10v	1V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±16V	2300 PF @ 25 V	-	（2W）（70W（ta）（TC）
IRL3705Z	-	RFQ	5661	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3705Z	Ear99	8541.29.0095	50			n通道	55 v	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2880 pf @ 25 V	-	130W（TC）
BSZ0904NSIATMA1	1.0500	RFQ	281	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ0904	MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	30 V	18A（18A），40A （TC）	4.5V，10V	4mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	1463 PF @ 15 V	（（（）	2.1W（ta），37W（tc）
IRF2807Z	-	RFQ	2080	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF2807Z	Ear99	8541.29.0095	50			n通道	75 v	75A（TC）	10V	9.4mohm @ 53a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	170W（TC）
IRFR220NTRR	-	RFQ	5433	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR220	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	200 v	5A（TC）	10V	600mohm @ 2.9a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	43W（TC）
IRF7319pbf	-	RFQ	4284	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF731	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	n和p通道			30V	-		29mohm @ 5.8A，10V	1V @ 250µA	33nc @ 10V		650pf @ 25V	-
IRF7353D1PBF	-	RFQ	5871	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001559814	Ear99	8541.29.0095	95			n通道	30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	32MOHM @ 5.8A，10V	1V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）
IPD036N04LGBTMA1	-	RFQ	9983	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD036N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	40 V	90A（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 90A，10V	2V @ 45µA	78 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 20 V	-	94W（TC）
SPP100N03S203	-	RFQ	5634	Infineon技术	Optimos™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP100N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道	30 V	100A（TC）	10V	3.3mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	7020 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BCR112WH6327	-	RFQ	3006	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR112		250兆	PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	7,123																					50 V	100 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	140 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
IRFSL23N20D102P	-	RFQ	6325	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	200 v	24A（TC）	10V	100mohm @ 14a，10v	5.5V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1960 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），170W（TC）
BC807-25WE6327	0.0200	RFQ	360	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	PG-SOT23-3-11	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																					45 v	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	200MHz
IRF1010EZL	-	RFQ	1039	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF1010EZL	Ear99	8541.29.0095	50			n通道	60 V	75A（TC）	10V	8.5MOHM @ 51A，10V	4V @ 100µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
BAT64B5000	-	RFQ	7800	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		肖特基		PG-SOT23-3-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												40 V	750 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C	120mA	4pf @ 1V，1MHz
IRF6678	2.3200	RFQ	4	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX		MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道	30 V	（30a）（TA），150A （TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 30a，10V	2.25V @ 250µA	65 NC @ 4.5 V	±20V	5640 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²