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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
Auirru3114z	-	RFQ	4822	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Auirru3114		MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001516750	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				40 V	130a（TC）	4.5V，10V	4.9MOHM @ 42A，10V	2.5V @ 100µA	56 NC @ 4.5 V	±16V	3810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRF6618TRPBF	-	RFQ	7765	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MT	IRF6618		MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道				30 V	（30a）（TA），170A （TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 30a，10V	2.35V @ 250µA	65 NC @ 4.5 V	±20V	5640 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRFS4610pbf	-	RFQ	2252	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				100 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 44a，10v	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	190w（TC）
IPU04N03LA g	-	RFQ	2858	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU04N		MOSFET （金属 o化物）			P-TO251-3-1	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道				25 v	50A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 50a，10v	2V @ 80µA	41 NC @ 5 V	±20V	5199 PF @ 15 V	-	115W（TC）
SIDC06D120F6X1SA2	-	RFQ	2530	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死	SIDC06D120		标准			锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1200 v	2.1 V @ 5 A		27 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	5a	-
IMIC41V07X6SA1	-	RFQ	6905	Infineon技术	*	大部分	积极的				IMIC41						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001583524		0000.00.0000	1
BFP740FH6327XTSA1	0.5500	RFQ	6	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP740			160MW		4-TSFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					27.5db																										4.7V	30mA							NPN		160 @ 25mA，3v	42GHz	0.5db〜0.75db @ 1.8GHz〜6GHz
IRF1405STRRPBF	-	RFQ	9342	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF1405		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道				55 v	131a（TC）	10V	5.3MOHM @ 101A，10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	5480 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IRG4BC30UDPBF	-	RFQ	2770	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		100 W		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				480V，12a，23ohm，15V																				42 ns						-	600 v	23 a	92 a	2.1V @ 15V，12A	（380µJ）（在160µJ上）	50 NC	40NS/91NS
SIDC23D120F6X1SA1	-	RFQ	2124	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死	sidc23d		标准			锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1200 v	2.1 V @ 25 A		27 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	25a	-
T2160N20TOFVTXPSA1	988.9400	RFQ	2006	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	do-200ae	T2160N20				单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2			300 MA													2.8 kV	4600 a	3 V	44000a @ 50Hz	300 MA	2400 a								1 scr
IPD26DP06NMSAUMA1	-	RFQ	6506	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD26DP06		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP004987236	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道				60 V	-	-	-	-		-		-	-
irfu3418pbf	-	RFQ	7533	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			IPAK（TO-251AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*irfu3418pbf	Ear99	8541.29.0095	75		n通道				80 V	70A（TC）	10V	14mohm @ 18a，10v	5.5V @ 250µA	94 NC @ 10 V	±20V	3510 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），140W（TC）
IRLR2705TRPBF	0.9700	RFQ	16	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR2705		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道				55 v	28a（TC）	4V，10V	40mohm @ 17a，10v	2V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±16V	880 pf @ 25 V	-	68W（TC）
AUIRR1404ZL	-	RFQ	4513	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001521256	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				40 V	160a（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 75A，10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 V	±16V	5080 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IRG4BC20SD-SPBF	-	RFQ	9229	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		60 W		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				480V，10a，50ohm，15V																				37 ns						-	600 v	19 a	38 a	1.6V @ 15V，10a	320µJ（在）上，2.58MJ off）	27 NC	62NS/690NS
IPA50R190CEXKSA2	2.3700	RFQ	490	Infineon技术	CoolMos™CE	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA50R190		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				500 v	18.5A（TC）	13V	190mohm @ 6.2a，13v	3.5V @ 510µA	47.2 NC @ 10 V	±20V	1137 PF @ 100 V	-	32W（TC）
IRFS23N20DTRRP	-	RFQ	7794	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001565068	Ear99	8541.29.0095	800		n通道				200 v	24A（TC）	10V	100mohm @ 14a，10v	5.5V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1960 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），170W（TC）
SMBT3904UPNE6327HTSA1	0.1205	RFQ	2581	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	SMBT 3904			330MW		PG-SC74-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																															40V	200mA						50NA（iCBO）	NPN，PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
BGR420H6327XTSA1	-	RFQ	7824	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343				120MW		PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	3,000					-																										13V	25mA							NPN		-	-	1.5db〜1.7dB @ 400MHz〜1.8GHz
IRF7524D1PBF	-	RFQ	3378	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）			micro8™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	80		P通道				20 v	1.7A（TA）	2.7V，4.5V	270MOHM @ 1.2A，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	8.2 NC @ 4.5 V	±12V	240 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
SI4435DY	-	RFQ	2560	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*SI4435DY	Ear99	8541.29.0095	95		P通道				30 V	8A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 8a，10v	1V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2320 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
BCP5316H6433XTMA1	0.2533	RFQ	2224	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP53			2 w		PG-SOT223-4-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																															80 V	1 a						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	125MHz
irlu2703pbf	-	RFQ	8324	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			IPAK（TO-251AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道				30 V	23A（TC）	4.5V，10V	45mohm @ 14a，10v	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±16V	450 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IPB45P03P4L11ATMA2	0.9150	RFQ	9219	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB45p		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道				30 V	45A（TC）	4.5V，10V	10.8mohm @ 45a，10v	2V @ 85µA	55 NC @ 10 V	+5V，-16V	3770 pf @ 25 V	-	58W（TC）
IRFZ48ZL	-	RFQ	4116	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ48ZL	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				55 v	61A（TC）	10V	11mohm @ 37a，10v	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1720 PF @ 25 V	-	91W（TC）
IRGP50B60PD1PBF	-	RFQ	3767	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		390 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400				390V，33a，3.3孔，15V																				42 ns						npt	600 v	75 a	150 a	2.85V @ 15V，50a	（255µJ）（在），375µj（（（（（）	205 NC	30NS/130NS
IPS60R1K5CEAKMA1	0.3086	RFQ	7334	Infineon技术	CoolMos™CE	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPS60R1		MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道				600 v	5A（TJ）	10V	1.5OHM @ 1.1A，10V	3.5V @ 90µA	9.4 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 100 V	-	49W（TC）
irll014ntr	-	RFQ	1154	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001558818	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				55 v	2A（TA）	4V，10V	140mohm @ 2a，10v	2V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±16V	230 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRFP7537pbf	3.5000	RFQ	366	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP7537		MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道				60 V	172a（TC）	6V，10V	3.3MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 150µA	210 NC @ 10 V	±20V	7020 PF @ 25 V	-	230W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²