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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C
SPD50N03S2L06T	0.9900	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD50N		MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		30 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.4mohm @ 50a，10v	2V @ 85µA	68 NC @ 10 V	±20V	2530 pf @ 25 V	-	136W（TC）
SPP42N03S2L13	-	RFQ	7493	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp42n		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道		30 V	42A（TC）	4.5V，10V	12.9mohm @ 21a，10v	2V @ 37µA	30.5 NC @ 10 V	±20V	1130 PF @ 25 V	-	83W（TC）
IRF6610TR1PBF	-	RFQ	8486	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺			MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™SQ	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		20 v	（15a）（TA），66A （TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1520 pf @ 10 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IRF6610TRPBF	-	RFQ	9902	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺			MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™SQ	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800	n通道		20 v	（15a）（TA），66A （TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1520 pf @ 10 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IRF6621TR1PBF	-	RFQ	3577	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺			MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™SQ	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		30 V	（12a）（ta），55a（tc（TC）	4.5V，10V	9.1MOHM @ 12A，10V	2.25V @ 250µA	17.5 NC @ 4.5 V	±20V	1460 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IRF6623TRPBF	2.3700	RFQ	8	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距St	IRF6623		MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™st	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800	n通道		20 v	16a（16A），55a（tc）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1360 pf @ 10 V	-	1.4W（ta），42W（（（（（（（
irf6631tr1pbf	-	RFQ	6794	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺			MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™SQ	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		30 V	（13a）（ta），57A（tc）	4.5V，10V	7.8mohm @ 13a，10v	2.35V @ 25µA	18 nc @ 4.5 V	±20V	1450 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IRF6636TR1PBF	-	RFQ	8690	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距St			MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™st	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		20 v	18A（18A），81A（81A）（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 18A，10V	2.45V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±20V	2420 PF @ 10 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
irf664444tr1pbf	-	RFQ	8973	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mn			MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™Mn	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		100 v	10.3A（ta），60a（tc）	10V	13mohm @ 10.3a，10v	4.8V @ 150µA	47 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRF6645TRPBF	1.8200	RFQ	21	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距SJ	IRF6645		MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™SJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800	n通道		100 v	5.7A（ta），25a tc（TC）	10V	35mohm @ 5.7A，10V	4.9V @ 50µA	20 nc @ 10 V	±20V	890 pf @ 25 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IRF6646TRPBF	2.9700	RFQ	7	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mn	IRF6646		MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™Mn	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800	n通道		80 V	（12a）（TA），68a tc（TC）	10V	9.5MOHM @ 12A，10V	4.9V @ 150µA	50 NC @ 10 V	±20V	2060 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRF6665TRPBF	0.5441	RFQ	8156	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距sh	IRF6665		MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800	n通道		100 v	4.2A（TA），19a （TC）	10V	62MOHM @ 5A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IRF6668TR1PBF	-	RFQ	2759	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mz			MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™MZ	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		80 V	55A（TC）	10V	15mohm @ 12a，10v	4.9V @ 100µA	31 NC @ 10 V	±20V	1320 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
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IPP80R1K4P7XKSA1	1.6600	RFQ	28	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP80R1		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	SP001422718	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		800 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.4A，10V	3.5V @ 70µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 500 V	-	32W（TC）
IPP80R280P7XKSA1	3.8900	RFQ	500	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP80R280		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		800 v	17a（TC）	10V	280MOHM @ 7.2A，10V	3.5V @ 360µA	36 NC @ 10 V	±20V	1200 PF @ 500 V	-	101W（TC）
AUXS20956S	-	RFQ	9846	Infineon技术	-	管子	过时的								下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	45				-
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IRFC4020D	-	RFQ	7235	Infineon技术	-	大部分	过时的								下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001577750	过时的	0000.00.0000	1				-
IRFC4468ED	-	RFQ	2092	Infineon技术	-	大部分	过时的								下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1				-
IPD80R1K4P7ATMA1	1.3100	RFQ	2	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD80R1		MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		800 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.4A，10V	3.5V @ 700µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 500 V	-	32W（TC）
IRGIB4610DPBF	-	RFQ	9769	Infineon技术	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3完整包		标准		TO-220FP	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001546242	Ear99	8541.29.0095	500		-											-	600 v	10 a	-	122µJ（在）上，56µJ（OFF）	-
IRGP4269D-EPBF	-	RFQ	7197	Infineon技术	-	管子	过时的								下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001542378	Ear99	8541.29.0095	240
IRGB4710DPBF	-	RFQ	8565	Infineon技术	-	管子	过时的								下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001549640	Ear99	8541.29.0095	500
IDT05S60CHKSA1	-	RFQ	6756	Infineon技术	-	管子	过时的				IDT05S60				下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	500
IDT06S6 0CHKSA1	-	RFQ	9865	Infineon技术	-	管子	过时的				IDT06S6 0				下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	500
IDT16S60CHKSA1	-	RFQ	4603	Infineon技术	-	管子	过时的				IDT16S60				下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	500
IRL40SC209	4.2200	RFQ	1	Infineon技术	strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB	IRL40SC209		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		40 V	478a（TC）	4.5V，10V	0.8MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	267 NC @ 4.5 V	±20V	15270 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IPD60R360P7ATMA1	1.7700	RFQ	4	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r		MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		600 v	9A（TC）	10V	360MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 140µA	13 NC @ 10 V	±20V	555 pf @ 400 V	-	41W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²