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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	电流 -最大	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	电容比	电容比条件	q @ vr，f
FS15R06XE3BOMA1	-	RFQ	4487	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FS15R06			71.5 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	完整的桥梁逆变器																-	600 v	22 a		2V @ 15V，15a						1 MA	是的	830 pf @ 25 V
IPA50R199CPXKSA1	2.4531	RFQ	7110	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA50R199		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			500 v	17a（TC）	10V	199mohm @ 9.9a，10V	3.5V @ 660µA	45 NC @ 10 V	±20V	1800 PF @ 100 V	-	139W（TC）
IAUZ40N10S5N130ATMA1	1.7100	RFQ	2	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IAUZ40		MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			100 v	40a（TC）	6V，10V	13mohm @ 20a，10v	3.8V @ 27µA	24 NC @ 10 V	±20V	1525 PF @ 50 V	-	68W（TC）
BSS87 E6433	-	RFQ	6510	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT89	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			240 v	260mA ta）	4.5V，10V	6ohm @ 260mA，10v	1.8V @ 108µA	5.5 NC @ 10 V	±20V	97 pf @ 25 V	-	1W（ta）
BSL316CH6327XTSA1	0.5900	RFQ	9225	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL316		MOSFET （金属 o化物）	500MW		PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道互补				30V	1.4a，1.5a		160MOHM @ 1.4A，10V	2V @ 3.7µA	0.6NC @ 5V		282pf @ 15V	逻辑级别门，4.5V驱动器
FF450R07ME4B11BPSA1	209.5800	RFQ	10	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF450R07			1450 w	标准	ag-econod	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																沟渠场停止	650 v	560 a		1.95V @ 15V，450a						1 MA	是的	27.5 nf @ 25 V
FS450R12KE3BOSA1	770.8400	RFQ	1980	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	FS450R12			2100 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4	三相逆变器																沟渠场停止	1200 v	600 a		2.15V @ 15V，450a						5 ma	是的	32 NF @ 25 V
IQE022N06LM5CGSCATMA1	2.8500	RFQ	5160	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	9-Powerwdfn	IQE022		MOSFET （金属 o化物）			PG-WHTFN-9	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			60 V	24A（24A），151a （TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 48µA	53 NC @ 10 V	±20V	4420 PF @ 30 V	-	2.5W（TA），100W（TC）
IPD90N06S405ATMA2	1.6300	RFQ	8107	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			60 V	90A（TC）	10V	5.1MOHM @ 90A，10V	4V @ 60µA	81 NC @ 10 V	±20V	6500 PF @ 25 V	-	107W（TC）
IKW40N65ES5XKSA1	6.0900	RFQ	9550	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW40N65	标准		230 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，40a，10ohm，15V											73 ns		沟	650 v	79 a	160 a	1.7V @ 15V，40a	（860µJ）（在400µJ上）	95 NC	19NS/130NS
IPI200N25N3GAKSA1	-	RFQ	8746	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI200		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			250 v	64A（TC）	10V	20mohm @ 64a，10v	4V @ 270µA	86 NC @ 10 V	±20V	7100 PF @ 100 V	-	300W（TC）
BA592E6327HTSA1	0.5000	RFQ	3	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）		SC-76，SOD-323	BA592E6327					PG-SOD323-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000			100 ma													1.1pf @ 3V，1MHz									标准 -单个	35V				500MOHM @ 10mA，100MHz
FD250R65KE3KNOSA1	1.0000	RFQ	3342	Infineon技术	-	托盘	积极的	-50°C〜125°C	底盘安装	模块	FD250R65			4800 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单身的																-	6500 v	250 a		3.4V @ 15V，250a						5 ma	不	69 NF @ 25 V
IKN04N60RC2ATMA1	0.9600	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ikn04n	标准		6.8 w		PG-SOT223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IKN04N60RC2ATMA1DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000				400V，4A，49ONM，15V											39 ns		-	600 v	7.5 a	12 a	2.3V @ 15V，4A	（95µJ）（在），62µJ（（（（（）	24 NC	8NS/126NS
IRLML6246TRPBF	0.5000	RFQ	201	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	IRLML6246		MOSFET （金属 o化物）			Micro3™/SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			20 v	4.1a（ta）	2.5V，4.5V	46mohm @ 4.1A，4.5V	1.1V @ 5µA	3.5 NC @ 4.5 V	±12V	290 pf @ 16 V	-	1.3W（TA）
IRF6645	-	RFQ	3784	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距SJ			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™SJ	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道			100 v	5.7A（ta），25a tc（TC）	10V	35mohm @ 5.7A，10V	4.9V @ 50µA	20 nc @ 10 V	±20V	890 pf @ 25 V	-	（3w（ta），42W（42W）TC）
BSM50GB120DLCHOSA1	-	RFQ	1688年	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM50G			460 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																-	1200 v	115 a		2.6V @ 15V，50a						5 ma	不	3.3 NF @ 25 V
IRLR3802TRLPBF	-	RFQ	5022	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			12 v	84A（TC）	2.8V，4.5V	8.5mohm @ 15a，4.5V	1.9V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±12V	2490 pf @ 6 V	-	88W（TC）
FP25R12W2T7BPSA1	61.1600	RFQ	30	Infineon技术	EasyPim™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP25R12			20兆	三相桥梁整流器	Ag-Easy2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																沟渠场停止	1200 v	25 a		-						5.6 µA	是的	4.77 NF @ 25 V
IGC99T120T8RLX1SA3	-	RFQ	1789年	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	死	IGC99T120	标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				-													沟渠场停止	1200 v		300 a	1.97V @ 15V，100a	-		-
SPI10N10	-	RFQ	2229	Infineon技术	Sipmos®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI10N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			100 v	10.3A（TC）	10V	170MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 21µA	19.4 NC @ 10 V	±20V	426 pf @ 25 V	-	50W（TC）
FS800R07A2E3IBPSA1	-	RFQ	5466	Infineon技术	Hybridpack™2	托盘	在sic中停产				FS800R07						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3
IRFR5505pbf	-	RFQ	7002	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		P通道			55 v	18A（TC）	10V	110MOHM @ 9.6a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 25 V	-	57W（TC）
98-0299	-	RFQ	5939	Infineon技术	-	管子	过时的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1						-
IPP65R190C7FKSA1	3.4900	RFQ	455	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R190		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			650 v	13A（TC）	10V	190MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 290µA	23 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 400 V	-	72W（TC）
IPI040N06N3GHKSA1	-	RFQ	8536	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI04N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			60 V	90A（TC）	10V	4MOHM @ 90A，10V	4V @ 90µA	98 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 30 V	-	188W（TC）
IPP80N06S209AKSA1	-	RFQ	5027	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			55 v	80A（TC）	10V	9.1MOHM @ 50a，10v	4V @ 125µA	80 NC @ 10 V	±20V	2360 pf @ 25 V	-	190w（TC）
DDB6U104N16RRB37BOSA1	-	RFQ	9551	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产				DDB6U104						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	10
IRFB52N15DPBF	3.4500	RFQ	41	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB52		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			150 v	51A（TC）	10V	32mohm @ 36a，10v	5V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±30V	2770 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），230W（TC）
BBY57-02V	-	RFQ	2696	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	SC-79，SOD-523						PG-SC79-2	下载					Ear99	8541.10.0070	1																5.5pf @ 4V，1MHz									单身的	10 v					4.5	C1/C4	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²