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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IAUS200N08S5N023ATMA1	4.8300	RFQ	652	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼	IAUS200		MOSFET （金属 o化物）				PG-HSOG-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道			80 V	200a（TC）	6V，10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 130µA	110 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 40 V	-	200W（TC）
BC858AE6327HTSA1	0.0489	RFQ	4305	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC858			330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																															30 V	100 ma								15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	250MHz
TD250N16KOFAHPSA1	-	RFQ	3829	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TD250N				系列连接 -SCR/二极管			-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3				300 MA												1.8 kV	410 a	2 v	8000a @ 50Hz	200 ma	250 a								1 sc，1二极管
AUIRFZ48NXKMA1	-	RFQ	9397	Infineon技术	-	大部分	过时的				Auirfz48n							-					过时的		1
IDK09G65C5XTMA1	-	RFQ	6678	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IDK09G65		SIC （碳化硅）				pg-to263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		没有恢复t> 500mA（IO）																				650 v	1.8 V @ 9 A	0 ns	1.6 ma @ 650 V	-55°C 〜175°C	9a	270pf @ 1V，1MHz
BSZ070N08LS5ATMA1	1.6400	RFQ	10	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ070		MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			80 V	40a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 20a，10v	2.3V @ 36µA	5 NC @ 4.5 V	±20V	2340 pf @ 40 V	标准	69W（TC）
IRLR8503TRR	-	RFQ	4754	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			30 V	44A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	62W（TC）
BSS83PL6327HTSA1	-	RFQ	8332	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS83		MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道			60 V	330ma（ta）	4.5V，10V	2ohm @ 330mA，10v	2V @ 80µA	3.57 NC @ 10 V	±20V	78 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
BSF035NE2LQXUMA1	-	RFQ	4306	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-wdson	BSF035		MOSFET （金属 o化物）				MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP001034234	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			25 v	22a（22A），69a （TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 30a，10v	2V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1862 PF @ 12 V	-	2.2W（28），28W（tc）
IPB25N06S3L-22	-	RFQ	5746	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB25		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			55 v	25A（TC）	5V，10V	21.3mohm @ 17a，10v	2.2V @ 20µA	47 NC @ 10 V	±16V	2260 pf @ 25 V	-	50W（TC）
附件33752NOSA1	-	RFQ	7311	Infineon技术	-	大部分	过时的				附件3							-			到达不受影响	448-Accessory33752NOSA1	Ear99	8542.39.0001	1
IRLHS6276TR2PBF	-	RFQ	8157	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	6-Powervdfn	IRLHS6276		MOSFET （金属 o化物）	1.5W			6-PQFN 双重（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	2 n 通道（双）					20V	4.5a		45mohm @ 3.4a，4.5V	1.1V @ 10µA	3.1nc @ 4.5V		310pf @ 10V	逻辑级别门
FZ1500R33HL3NPSA1	1.0000	RFQ	40	Infineon技术	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FZ1500R33HL3NPSA1-448			1
IRF3707ZCSTRR	-	RFQ	1097	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			30 V	59A（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 21a，10V	2.25V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	57W（TC）
BCP 55-16 E6327	-	RFQ	3269	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP 55			2 w			PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																															60 V	1 a								100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	100MHz
SPI08N50C3IN	-	RFQ	2654	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	280			n通道			500 v	7.6A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	32 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 25 V	-	83W（TC）
IRF2807ZLPBF	-	RFQ	6876	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			75 v	75A（TC）	10V	9.4mohm @ 53a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	170W（TC）
FF1200R17IP5BPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon技术	PrimePack™2	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FF1200			20兆		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	半桥																													沟渠场停止	1700 v	1200 a		2.3V @ 15V，1200A						5 ma	是的	68 NF @ 25 V
BCV27E6327HTSA1	0.0815	RFQ	8630	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCV27			360兆w			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																															30 V	500 MA								100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	170MHz
IRG4IBC30FD	-	RFQ	1997	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		45 W			pg-to220-fp	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4IBC30FD	Ear99	8541.29.0095	50					480V，17a，23ohm，15v																			42 ns						-	600 v	20.3 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	630µJ（在）上，1.39mj off）	51 NC	42NS/230NS
BC 847BT E6327	-	RFQ	2507	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416				330兆			PG-SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																															45 v	100 ma								15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
T830N12TOFXPSA1	-	RFQ	7920	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	夹紧	DO-200AB，B-PUK	T830N				单身的			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				300 MA												1.8 kV	1500 a	1.5 v	14500a @ 50Hz	250 MA	844 a								1 scr
BAS3007ARPPE6327HTSA1	0.7200	RFQ	5	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAS3007		标准				PG-SOT-143-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000																									350 µA @ 30 V		900 MA											单相	30 V
IPF011N08NM6ATMA1	3.5613	RFQ	7487	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件						1,000
SPA11N80C3XKSA1	3.3200	RFQ	7	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA11N80		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			800 v	11A（TC）	10V	450MOHM @ 7.1A，10V	3.9V @ 680µA	85 NC @ 10 V	±20V	1600 PF @ 100 V	-	34W（TC）
IRF1405ZSPBF	-	RFQ	9202	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001564248	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			55 v	75A（TC）	10V	4.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IRL1404L	-	RFQ	8279	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL1404L	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			40 V	160a（TC）	4.3V，10V	4mohm @ 95a，10v	3V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IPA60R600CPXKSA1	-	RFQ	4185	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-31	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			600 v	6.1A（TC）	10V	600mohm @ 3.3a，10v	3.5V @ 220µA	27 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 100 V	-	28W（TC）
1SP0335V2M145NPSA1	-	RFQ	7200	Infineon技术	-	托盘	过时的											-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
BCR183SE6433BTMA1	-	RFQ	8783	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR183			250MW			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																															50V	100mA								-			2 PNP-）	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	200MHz	10KOHMS	10KOHMS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²