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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IDK12G65C5XTMA2	6.3700	RFQ	977	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IDK12G65	SIC （碳化硅）			pg-to263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		没有恢复t> 500mA（IO）														650 v		1.8 V @ 12 A	0 ns		-55°C 〜175°C	12a	360pf @ 1V，1MHz
BC 846PN H6727	-	RFQ	6310	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC 846		250MW		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									65V	100mA		15NA（icbo）			NPN，PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	250MHz
IRLR024NTRLPBF	1.0000	RFQ	5821	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR024	MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		55 v	17a（TC）	4V，10V	65mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRFR1205TRRPBF	-	RFQ	2007	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR1205	MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		55 v	44A（TC）	10V	27mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	107W（TC）
BCR 164T E6327	-	RFQ	1521年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-75，SOT-416	BCR 164		250兆		PG-SC75-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	100 ma		100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	160 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
IRFB5615PBFXKMA1	-	RFQ	5367	Infineon技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFB5615PBFXKMA1	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		150 v	35A（TC）	10V	39mohm @ 21a，10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 50 V	-	144W（TC）
BCR166E6327HTSA1	0.0517	RFQ	4858	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR166		200兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	100 ma		100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	160 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
IPI120N08S403AKSA1	-	RFQ	5708	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI120	MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道		80 V	120A（TC）	10V	2.8MOHM @ 100A，10V	4V @ 223µA	167 NC @ 10 V	±20V	11550 PF @ 25 V	-	278W（TC）
ICA32V04X1SA1	-	RFQ	9634	Infineon技术	*	大部分	过时的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000949952	过时的	0000.00.0000	1
SPA11N60C3IN	-	RFQ	9196	Infineon技术	coolmos™	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA11N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		650 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	3.9V @ 500µA	60 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	33W（TC）
CHIPT0204GUE6327X6SA1	-	RFQ	7589	Infineon技术	*	大部分	上次购买				CHIPT0204					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000414074		0000.00.0000	1
IRF7726	-	RFQ	1764年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）			micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7726	Ear99	8541.29.0095	80			P通道		30 V	7a（ta）	4.5V，10V	26mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	69 NC @ 10 V	±20V	2204 PF @ 25 V	-	1.79W（TA）
IPI50R399CPXKSA1	-	RFQ	8852	Infineon技术	coolmos™	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI50R399	MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000680738	Ear99	8541.29.0095	500			n通道		500 v	9A（TC）	10V	399MOHM @ 4.9A，10V	3.5V @ 330µA	23 NC @ 10 V	±20V	890 pf @ 100 V	-	83W（TC）
Auirfz44ns	-	RFQ	8813	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001521658	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		55 v	49A（TC）	10V	17.5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
IRF6721STRPBF	-	RFQ	3333	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺		MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™SQ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道		30 V	14a（TA），60A （TC）	4.5V，10V	7.3mohm @ 14a，10v	2.4V @ 25µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1430 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
FZ1200R17HP4B2BOSA2	962.2100	RFQ	2	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FZ1200		7800 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	半桥																							沟渠场停止	1700 v	1200 a	2.25V @ 15V，1200A	5 ma	不	97 NF @ 25 V
IPB65R065C7ATMA1	-	RFQ	8602	Infineon技术	Coolmos™P6	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001080110	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	4.5V @ 200µA	12 nc @ 10 V	±20V	557 PF @ 100 V	-	171W（TC）
BSC252N10NSFGATMA1	1.3900	RFQ	11	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC252	MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		100 v	7.2A（ta），40a（tc）	10V	25.2MOHM @ 20A，10V	4V @ 43µA	17 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 50 V	-	78W（TC）
IQE046N08LM5CGATMA1	2.7200	RFQ	8312	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	9-POWERTDFN	IQE046	MOSFET （金属 o化物）			PG-TTFN-9-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				5,000			n通道		80 V	15.6A（ta），99a （TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 20a，10v	2.3V @ 47µA	38 NC @ 10 V	±20V	3250 pf @ 40 V	-	2.5W（TA），100W（TC）
BCR523E6327HTSA1	0.3900	RFQ	16	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR523		330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	500 MA		100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	70 @ 50mA，5V	100 MHz	1 kohms	10 kohms
SMBT3906E6327HTSA1	0.3700	RFQ	68	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MBT3906		330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									40 V	200 MA		50NA（iCBO）			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
IRF7805ZGTRPBF	-	RFQ	8336	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道		30 V	16A（TA）	4.5V，10V	6.8mohm @ 16a，10v	2.25V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±20V	2080 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRFH8330TR2PBF	-	RFQ	8798	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）			PQFN（5x6）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道		30 V	（17a）（ta），56a（tc）		6.6mohm @ 20a，10v	2.35V @ 25µA	20 nc @ 10 V		1450 pf @ 25 V	-
IRF3707L	-	RFQ	7773	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3707L	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		30 V	62A（TC）	4.5V，10V	12.5MOHM @ 15a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	1990 pf @ 15 V	-	87W（TC）
BCW67C	0.0300	RFQ	176	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			330兆		PG-SOT23-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									32 v	800 MA		20NA（ICBO）				700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	200MHz
BFR720L3RHE6327XTSA1	-	RFQ	2017	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	BFR720		80MW		PG-TSLP-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000				24dB																					4.7V	20mA					NPN		160 @ 13mA，3v	45GHz			0.5db〜0.8dB @ 1.8GHz〜6GHz
IRLR3715ZTRPBF	-	RFQ	1469	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000			n通道		20 v	49A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	810 pf @ 10 V	-	40W（TC）
IPLK70R900P7ATMA1	1.2300	RFQ	6959	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-POWERTDFN	IPLK70	MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		700 v	-	-	-	-		-		-	-
IRL3714ZSTRR	-	RFQ	6280	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		20 v	36a（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	7.2 NC @ 4.5 V	±20V	550 pf @ 10 V	-	35W（TC）
DD600N18KHPSA2	377.3500	RFQ	4729	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	模块	DD600N18	标准			模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1对系列连接	1800 v	600a	1.32 V @ 1800 A		40 ma @ 1800 V	-40°C〜150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²