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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IRF6655TR1PBF	-	RFQ	4066	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距sh			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™SH	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001576858	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			100 v	4.2A（TA），19a （TC）	10V	62MOHM @ 5A，10V	4.8V @ 25µA	11.7 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IRF7241pbf	-	RFQ	7248	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001551208	Ear99	8541.29.0095	3,800			P通道			40 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	41MOHM @ 6.2A，10V	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3220 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
BC848BL3E6327	0.0900	RFQ	180	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,468																								30 V	100 ma						15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	250MHz
BCR 199F E6327	-	RFQ	2820	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SOT-723	BCR 199			250兆	PG-TSFP-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																								50 V	70 MA						100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	200 MHz	47科姆斯
SMBTA64E6327	-	RFQ	7147	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MBTA64			330兆	PG-SOT23	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																								30 V	500 MA						100NA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
IRLR3410PBF-INF	-	RFQ	4239	Infineon技术	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道			100 v	17a（TC）	4V，10V	105mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±16V	800 pf @ 25 V	-	79W（TC）
D121K20BXPSA1	-	RFQ	2638	Infineon技术	-	大部分	过时的		螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	D121K		标准		-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														2000 v			20 ma @ 2000 V	-40°C〜180°C	210a	-
D170U25CXPSA1	-	RFQ	6401	Infineon技术	-	大部分	过时的		螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	D170U25		标准		-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														2500 v	2.15 V @ 650 A		5 ma @ 2500 V	-40°C〜140°C	210a	-
IRLML2244TRPBF	0.4500	RFQ	25	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	IRLML2244		MOSFET （金属 o化物）		Micro3™/SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道			20 v	4.3a（ta）	2.5V，4.5V	54MOHM @ 4.3A，4.5V	1.1V @ 10µA	6.9 NC @ 4.5 V	±12V	570 pf @ 16 V	-	1.3W（TA）
IRFR12N25DCTRRP	-	RFQ	5770	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			250 v	14A（TC）	10V	260MOHM @ 8.4a，10V	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	810 pf @ 25 V	-	144W（TC）
IRF520NPBF	1.2900	RFQ	6	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF520		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			100 v	9.7a（TC）	10V	200mohm @ 5.7a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	48W（TC）
BCR 158 B6327	-	RFQ	6174	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR 158			200兆	PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	30,000																								50 V	100 ma						100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
MMBTA42LT1HTSA1	0.0830	RFQ	1207	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA42			360兆w	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																								300 v	500 MA						100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	70MHz
IRFSL59N10D	-	RFQ	7447	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFSL59N10D	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			100 v	59A（TC）	10V	25mohm @ 35.4a，10v	5.5V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±30V	2450 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
BFS 483 E6327	-	RFQ	1632年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BFS 483			450MW	PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					19db																			12V	65mA							2 NPN （双）		70 @ 15mA，8v	8GHz			0.9db〜1.4dB @ 900MHz〜1.8GHz
BCR148E6393HTSA1	-	RFQ	2755	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR148			200兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																								50 V	100 ma						100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	100 MHz	47科姆斯	47科姆斯
IKQ140N120CH7XKSA1	19.9000	RFQ	215	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKQ140	标准		962 w	pg-to247-3-U01	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				-														144 ns					沟渠场停止	1200 v	175 a	560 a	2.15V @ 15V，140a	8.84MJ（在）上，3.38MJ off）	970 NC	68NS/541NS
IRF6603	-	RFQ	4117	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MT			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MT	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道			30 V	27a（27A），92A （TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 25a，10v	2.5V @ 250µA	72 NC @ 4.5 V	+20V，-12V	6590 pf @ 15 V	-	3.6W（ta），42W（（（TC）
BC817K25E6327HTSA1	0.3700	RFQ	89	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817			500兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																								45 v	500 MA						100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	170MHz
IRF7421D1	-	RFQ	6771	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7421D1	Ear99	8541.29.0095	95			n通道			30 V	5.8A（ta）	4.5V，10V	35MOHM @ 4.1A，10V	1V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	510 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）
IKWH50N65WR6XKSA1	5.0100	RFQ	238	Infineon技术	Trenchstop™5 WR6	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKWH50N	标准		205 w	PG-TO247-3-32	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，50a，22ohm，15V																			沟渠场停止	650 v	85 a	150 a	1.85V @ 15V，50a	1.5MJ（在）上，730µJ（OFF）	144 NC	40NS/351NS
IRFH5301TRPBF	1.2500	RFQ	15	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH5301		MOSFET （金属 o化物）		PQFN（5x6）单个死亡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			30 V	35A（TA），100A （TC）	4.5V，10V	1.85MOHM @ 50a，10v	2.35V @ 100µA	77 NC @ 10 V	±20V	5114 PF @ 15 V	-	3.6W（ta），110W（TC）
IRF7304pbf	-	RFQ	3122	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001561936	Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）					20V	4.3a		90MOHM @ 2.2a，4.5V	700MV @ 250µA	22nc @ 4.5V		610pf @ 15V	逻辑级别门
BCR141WH6327XTSA1	-	RFQ	1575年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR141			250兆	PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																								50 V	100 ma						100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5v	130 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
IRF6156	-	RFQ	2360	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Flipfet™	IRF615		MOSFET （金属 o化物）	2.5W	6-Flipfet™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF6156	Ear99	8541.29.0095	6,000	2 n 通道（双）					20V	6.5a		40mohm @ 6.5a，4.5V	1.2V @ 250µA	18NC @ 5V		950pf @ 15V	逻辑级别门
SMBTA92E6327HTSA1	0.4800	RFQ	3104	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MBTA92			360兆w	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																								300 v	500 MA						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
BC847BWH6433XTMA1	0.0534	RFQ	4306	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC847			250兆	PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																								45 v	100 ma						15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	250MHz
AUIRFR5410	-	RFQ	3591	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道			100 v	13A（TC）	10V	205MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 25 V	-	66W（TC）
BC860BE6327HTSA1	0.0555	RFQ	9571	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC860			330兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																								45 v	100 ma						15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	250MHz
IRL540NLPBF	-	RFQ	2890	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			100 v	36a（TC）	4V，10V	44mohm @ 18a，10v	2V @ 250µA	74 NC @ 5 V	±16V	1800 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），140W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²