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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IRF5850TR	-	RFQ	4759	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	IRF58	MOSFET （金属 o化物）	960MW	6-TSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001564468	Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）				20V	2.2a		135mohm @ 2.2a，4.5V	1.2V @ 250µA	5.4NC @ 4.5V		320pf @ 15V	逻辑级别门
IRL3715ZPBF	-	RFQ	2546	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		20 v	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	870 pf @ 10 V	-	45W（TC）
IRFZ44VZSPBF	1.1439	RFQ	5081	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		60 V	57A（TC）	10V	12mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	92W（TC）
BCX56H6327XTSA1	0.1920	RFQ	2292	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX56		2 w	PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																				80 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
SSP08N50C3	-	RFQ	1253	Infineon技术	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IRLR3714ZPBF	-	RFQ	7036	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道		20 v	37A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	7.1 NC @ 4.5 V	±20V	560 pf @ 10 V	-	35W（TC）
AUIRFP4568	11.6800	RFQ	37	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AUIRFP4568	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道		150 v	171a（TC）	10V	5.9MOHM @ 103A，10V	5V @ 250µA	227 NC @ 10 V	±30V	10470 pf @ 50 V	-	517W（TC）
IRFS4610pbf	-	RFQ	2252	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		100 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 44a，10v	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	190w（TC）
IRLHM620TR2PBF	-	RFQ	9524	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-vqfn裸露的垫子		MOSFET （金属 o化物）		PQFN（3x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道		20 v	26a（26a），40a（tc）		2.5MOHM @ 20A，4.5V	1.1V @ 50µA	78 NC @ 4.5 V		3620 PF @ 10 V	-
IRL540NSTRLPBF	2.3900	RFQ	54	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL540	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		100 v	36a（TC）	4V，10V	44mohm @ 18a，10v	2V @ 250µA	74 NC @ 5 V	±16V	1800 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），140W（TC）
IRF2804STRR	-	RFQ	9562	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		40 V	75A（TC）	10V	2mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 25 V	-	330W（TC）
BFP420H6801XTSA1	0.6900	RFQ	4395	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP420		160MW	PG-SOT343-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000				21dB																5V	35mA		NPN		60 @ 20mA，4V	25GHz	1.1db @ 1.8GHz
BSD840N L6327	-	RFQ	3728	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BSD840	MOSFET （金属 o化物）	500MW	PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）				20V	880mA		400MOHM @ 880mA，2.5V	750mv @ 1.6µA	0.26NC @ 2.5V		78pf @ 10V	逻辑级别门
IRF7807D2TRPBF	-	RFQ	6160	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道		30 V	8.3a（ta）	4.5V	25mohm @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±12V		Schottky 二极管（孤立）	2.5W（TA）
ICA37V01X1SA1	-	RFQ	6347	Infineon技术	*	大部分	过时的								下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001346206	过时的	0000.00.0000	1
BFG 193 E6433	-	RFQ	1768年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BFG 193		600MW	PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000				10.5db〜16dB																12V	80mA		NPN		70 @ 30mA，8v	8GHz	1db〜1.6dB @ 900MHz〜1.8GHz
IPA50R800CE	-	RFQ	4490	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA50R	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		500 v	5A（TC）	13V	800MOHM @ 1.5A，13V	3.5V @ 130µA	12.4 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 100 V	-	26.4W（TC）
IPB80N06S2H5AUMA1	-	RFQ	1248	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				IPB80				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1,000						-
IRLIZ34NPBF	1.4200	RFQ	863	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IRLIZ34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		55 v	22a（TC）	4V，10V	35mohm @ 12a，10v	2V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±16V	880 pf @ 25 V	-	37W（TC）
BUZ31 H3045A	1.2600	RFQ	1	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	BUZ31	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		200 v	14.5A（TC）	10V	200mohm @ 9a，10v	4V @ 1mA		±20V	1120 PF @ 25 V	-	95W（TC）
IRLMS6802TRPBF	0.6900	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	IRLMS6802	MOSFET （金属 o化物）		Micro6™tsop-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		20 v	5.6a（ta）	2.5V，4.5V	50mohm @ 5.1a，4.5V	1.2V @ 250µA	16 NC @ 5 V	±12V	1079 PF @ 10 V	-	2W（TA）
IPL60R650P6SATMA1	1.6500	RFQ	1925年	Infineon技术	Coolmos™P6	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPL60R650	MOSFET （金属 o化物）		8-thinpak（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		600 v	6.7A（TC）	10V	650MOHM @ 2.4A，10V	4.5V @ 200µA	12 nc @ 10 V	±20V	557 PF @ 100 V	-	56.8W（TC）
IRF6718L2TRPBF	-	RFQ	4665	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l6		MOSFET （金属 o化物）		DirectFet L6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道		25 v	61A（TA），270A （TC）	4.5V，10V	0.7MOHM @ 61A，10V	2.35V @ 150µA	96 NC @ 4.5 V	±20V	6500 PF @ 13 V	-	4.3W（ta），83W（tc）
MMBT2222ALT1HTSA1	0.3800	RFQ	66	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT2222		330兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				40 V	600 MA	10NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
BCR116E6393HTSA1	-	RFQ	1521年	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000010750	Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150MHz
IPU09N03LA g	-	RFQ	1988	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU09N	MOSFET （金属 o化物）		PG-TO251-3-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		25 v	50A（TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 30a，10v	2V @ 20µA	13 NC @ 5 V	±20V	1642 PF @ 15 V	-	63W（TC）
SPI11N60CFDHKSA1	-	RFQ	3916	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI11N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道		650 v	11A（TC）	10V	440MOHM @ 7A，10V	5V @ 500µA	64 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFSL4410pbf	-	RFQ	6574	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001550234	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		100 v	88A（TC）	10V	10mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	200W（TC）
D255N06BXPSA1	-	RFQ	5683	Infineon技术	-	大部分	过时的		螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	D255N	标准		-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													600 v	20 ma @ 600 V	-40°C〜180°C	255a	-
T4051N85TOHXPSA1	-	RFQ	8163	Infineon技术	-	托盘	过时的				T4051N				-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001206790	Ear99	8541.30.0080	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²