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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
ICA37V01X1SA1	-	RFQ	6347	Infineon技术	*	大部分	过时的												下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001346206	过时的	0000.00.0000	1
BCX5316H6327XTSA1	0.1920	RFQ	4635	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX5316				2 w		PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																		80 V	1 a							100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	125MHz
IRF7811A	-	RFQ	3635	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		n通道							28 V	11a（11a）	4.5V	10mohm @ 11a，10v	3V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±12V	1760 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
BFR182WH6327XTSA1	0.4100	RFQ	37	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BFR182				250MW		PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000								19db																										12V	35mA								NPN		70 @ 10mA，8v	8GHz	0.9db〜1.3db @ 900MHz〜1.8GHz
PTFB082817FHV1S250XTMA1	-	RFQ	4441	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰			821MHz	ldmos			H-34288-4/2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000905168	过时的	0000.00.0000	1			-			2.15 a	60W	19.3db																	-																28 V
IPT60R035CFD7XTMA1	13.7500	RFQ	6580	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT60R035			MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道							600 v	67A（TC）	10V	35mohm @ 24.9a，10v	4.5V @ 1.25mA	109 NC @ 10 V	±20V	4354 PF @ 400 V	-	351W（TC）
D1800N48TVFXPSA1	544.8450	RFQ	1086	Infineon技术	-	托盘	积极的			夹紧	do-200 ac，k-puk	D1800N48			标准			-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	4	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																									4800 v	1.32 V @ 1500 A	100 ma @ 4800 V	-40°C〜160°C	1800a	-
IRF520NL	-	RFQ	3111	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF520NL	Ear99	8541.29.0095	50		n通道							100 v	9.7a（TC）	10V	200mohm @ 5.7a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），48W（tc）
T1601N35TOFXPSA1	-	RFQ	6633	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AF	T1601N35					单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				350 MA															3.6 kV	29900 a	2.5 v	44000a @ 50Hz	350 MA	1900 a								1 scr
IPB80N06S3-05	-	RFQ	2642	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000102222	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道							55 v	80A（TC）	10V	5.1MOHM @ 63A，10V	4V @ 110µA	240 NC @ 10 V	±20V	10760 pf @ 25 V	-	165W（TC）
BCX56H6327XTSA1	0.1920	RFQ	2292	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX56				2 w		PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																		80 V	1 a							100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
BFR 182 B6663	-	RFQ	6676	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFR 182				250MW		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	30,000								12db〜18dB																										12V	35mA								NPN		70 @ 10mA，8v	8GHz	0.9db〜1.3db @ 900MHz〜1.8GHz
BCV46E6327HTSA1	0.0820	RFQ	6347	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCV46				360兆w		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																		60 V	500 MA							100NA（ICBO）	pnp-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	200MHz
BC847BE6433HTMA1	0.0418	RFQ	5482	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847				330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																		45 v	100 ma							15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	250MHz
BCV62AE6327HTSA1	0.4400	RFQ	8	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BCV62				300MW		PG-SOT-143-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																		30V	100mA							15NA（icbo）	2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	250MHz
IRF6646TR1PBF	-	RFQ	3727	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mn				MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™Mn	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道							80 V	（12a）（TA），68a tc（TC）	10V	9.5MOHM @ 12A，10V	4.9V @ 150µA	50 NC @ 10 V	±20V	2060 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRF7468	-	RFQ	4428	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7468	Ear99	8541.29.0095	95		n通道							40 V	9.4A（TA）	4.5V，10V	15.5MOHM @ 9.4a，10V	2V @ 250µA	34 NC @ 4.5 V	±12V	2460 pf @ 20 V	-	2.5W（TA）
BC847BWE6327	0.0200	RFQ	84	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323					250兆		PG-SOT323-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1																																		45 v	100 ma							15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	250MHz
IRL3715ZSTRL	-	RFQ	8268	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道							20 v	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	870 pf @ 10 V	-	45W（TC）
irlu3715zpbf	-	RFQ	9231	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道							20 v	49A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	810 pf @ 10 V	-	40W（TC）
IRFU3709	-	RFQ	8044	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			IPAK（TO-251AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU3709	Ear99	8541.29.0095	75		n通道							30 V	90A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	41 NC @ 4.5 V	±20V	2672 PF @ 16 V	-	120W（TC）
BDP948E6327HTSA1	-	RFQ	1616年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BDP948				5 w		PG-SOT223-4-10	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																		45 v	3 a							100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	85 @ 500mA，1V	100MHz
D711N68TXPSA1	-	RFQ	3738	Infineon技术	-	托盘	过时的			底盘安装	DO-200AB，B-PUK	D711N68			标准			-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	6	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																									6800 v	1.9 V @ 1200 A	50 ma @ 6800 V	-40°C〜160°C	1070a	-
AUIRFP4568	11.6800	RFQ	37	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AUIRFP4568			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道							150 v	171a（TC）	10V	5.9MOHM @ 103A，10V	5V @ 250µA	227 NC @ 10 V	±30V	10470 pf @ 50 V	-	517W（TC）
BSC046N02KSGAUMA1	1.6700	RFQ	19	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC046			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道							20 v	（19a（ta），80a tc（TC）	2.5V，4.5V	4.6mohm @ 50a，4.5V	1.2V @ 110µA	27.6 NC @ 4.5 V	±12V	4100 PF @ 10 V	-	2.8W（TA），48W（tc）
IPA60R099C6XKSA1	4.8603	RFQ	8409	Infineon技术	coolmos™	管子	上次购买		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R099			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道							600 v	37.9a（TC）	10V	99mohm @ 18.1a，10v	3.5V @ 1.21MA	119 NC @ 10 V	±20V	2660 pf @ 100 V	-	35W（TC）
IRG4BC40UPBF	-	RFQ	8163	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRG4BC40	标准			160 w		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					480V，20A，10欧姆，15V																												-	600 v	40 a	160 a	2.1V @ 15V，20A	320µJ（在）上，350µJ（350µJ）	100 NC	34NS/110NS
ISC058N04NM5ATMA1	1.2100	RFQ	28	Infineon技术	Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC058N			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8 FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道							40 V	（17a）（63a ta）（TC）	7V，10V	5.8mohm @ 31a，10v	3.4V @ 13µA	16 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 20 V	-	（3w（ta），42W（42W）TC）
BC 818K-25 E6327	-	RFQ	7385	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC 818				500兆		PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																		25 v	500 MA							100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	170MHz
MMBTA56LT1HTSA1	0.0655	RFQ	5228	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA56				330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																		80 V	500 MA							100NA	PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²