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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IPB120N06S402ATMA1	-	RFQ	9217	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		IPB120N	MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						60 V	120A（TC）	10V	2.4MOHM @ 100A，10V	4V @ 140µA	195 NC @ 10 V	±20V	15750 PF @ 25 V	-	188W（TC）
IRFZ44VZSPBF	1.1439	RFQ	5081	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						60 V	57A（TC）	10V	12mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	92W（TC）
IRL3303S	-	RFQ	8194	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3303S	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						30 V	38A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 20a，10v	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±16V	870 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），68w（tc）
BAS 40-05 B5003	-	RFQ	8600	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAS 40	肖特基				PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																							1对普通阴极	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	150°C （最大）
T1960N20TOFVTXPSA1	-	RFQ	5081	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	do-200AD		T1960N			单身的			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				300 MA															2.2 kV	4100 a	2.5 v	40000A @ 50Hz	300 MA	1960 a										1 scr
BCR119SH6433XTMA1	-	RFQ	2863	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BCR119		250MW			PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																																				50V	100mA		-			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	150MHz	4.7kohms	-
BAS70-02W E6327	0.0200	RFQ	100	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-80			肖特基				PG-SCD80-2	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																								70 v		1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C	70mA	1.5pf @ 0v，1MHz
IRAMS06UP60B	-	RFQ	8653	Infineon技术	Imotion™	管子	过时的		通过洞	23-Powersip模块，19条线索，形成铅	IGBT							下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	3期					6 a	600 v	2000vrms
IRL540NL	-	RFQ	8042	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL540NL	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						100 v	36a（TC）	4V，10V	44mohm @ 18a，10v	2V @ 250µA	74 NC @ 5 V	±16V	1800 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），140W（TC）
TT104N12KOFAHPSA1	-	RFQ	7813	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜140°C	底盘安装	模块		TT104N			普通阳极 -scrs			下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	15				200 ma															1.2 kV	160 a	1.4 v	2050a @ 50Hz	120 MA	104 a										2 scr
IRLZ24NLPBF	-	RFQ	2759	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRLZ24NLPBF	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						55 v	18A（TC）	4V，10V	60mohm @ 11a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
BFS17PE6327HTSA1	0.0578	RFQ	2342	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BFS17		280MW			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					-																															15V	25mA					NPN		40 @ 2mA，1V	1.4GHz			3.5db〜5dB @ 800MHz
IRLR7821TRRPBF	-	RFQ	3992	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						30 V	65A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 15a，10v	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	75W（TC）
BAS 40-07 B6327	-	RFQ	6477	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-253-4，TO-253AA		BAS 40	肖特基				PG-SOT-143-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	30,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																							2独立	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	150°C （最大）
BAS 40-04 B5003	-	RFQ	4318	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAS 40	肖特基				PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																							1对系列连接	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	150°C （最大）
IPB80N06S2H5ATMA1	-	RFQ	1711年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		IPB80N	MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						55 v	80A（TC）	10V	5.2MOHM @ 80A，10V	4V @ 230µA	155 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IDY10S120XKSA1	-	RFQ	1301	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	过时的		通过洞	TO-247-3变体		IDY10S120	SIC （碳化硅）				PG-TO247HC-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	280		没有恢复t> 500mA（IO）																								1200 v		1.8 V @ 10 A	0 ns	120 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	5a	250pf @ 1V，1MHz
IRLS3036Trl7pp	4.0100	RFQ	6	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB		IRLS3036	MOSFET （金属 o化物）				D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						60 V	240a（TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 180a，10v	2.5V @ 250µA	160 NC @ 4.5 V	±16V	11270 PF @ 50 V	-	380W（TC）
AUIRF7759L2TR	10.6300	RFQ	2028	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8		AUIRF7759	MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™等距l8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道						75 v	375a（TC）	10V	2.3MOHM @ 96A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	12222 PF @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
IRLR3103TRLPBF	-	RFQ	7601	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001558904	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						30 V	55A（TC）	4.5V，10V	19mohm @ 33a，10v	1V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±16V	1600 pf @ 25 V	-	107W（TC）
IRLR3715ZTRPBF	-	RFQ	1469	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000			n通道						20 v	49A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	810 pf @ 10 V	-	40W（TC）
BCX5416H6327XTSA1	0.1920	RFQ	4134	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA		BCX5416		2 w			PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																				45 v	1 a		100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	100MHz
TD285N12KOFHPSA2	-	RFQ	3283	Infineon技术	-	托盘	过时的					TD285N12						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3
IGLD60R190D1AUMA1	-	RFQ	9890	Infineon技术	Coolgan™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-ldfn暴露垫		IGLD60	MOSFET （金属 o化物）				PG-LSON-8-1	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						600 v	10A（TC）	-	-	1.6V @ 960µA		-10V	157 PF @ 400 V	-	62.5W（TC）
DD230S18KHPSA1	-	RFQ	9946	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	模块			标准				模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1对系列连接	1800 v	261a	1.74 V @ 800 A		160 ma @ 1800 V	150°C
DF160R12W2H3FB11BPSA1	125.8700	RFQ	15	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		DF160R12		20兆		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																																		沟渠场停止	1200 v	40 a	1.7V @ 15V，20A	1 MA	是的	2.35 NF @ 25 V
BC848CE6327HTSA1	0.0418	RFQ	4683	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC848		330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																				30 V	100 ma		15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
IRF6646TR1PBF	-	RFQ	3727	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mn			MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™Mn	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						80 V	（12a）（TA），68a tc（TC）	10V	9.5MOHM @ 12A，10V	4.9V @ 150µA	50 NC @ 10 V	±20V	2060 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IDW15E65D2FKSA1	2.7700	RFQ	240	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-3		IDW15E65	标准				PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								650 v		2.3 V @ 15 A	47 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	30a	-
irlr3410pbf	-	RFQ	3715	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道						100 v	17a（TC）	4V，10V	105mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±16V	800 pf @ 25 V	-	79W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²