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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
TT170N18KOFHPSA1	-	RFQ	4896	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TT170N18				系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3				300 MA													1.8 kV	350 a	2 v	5200a @ 50Hz	200 ma	223 a								2 scr
FZ600R17KE3S4HOSA1	283.5000	RFQ	8118	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FZ600R17			3150 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																														沟渠场停止	1700 v	1200 a		2.45V @ 15V，600A				3 ma	不	54 NF @ 25 V
BSC012N06NSATMA1	4.0200	RFQ	4419	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC012		MOSFET （金属 o化物）				PG-TSON-8-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				60 V	36a（36a），306a（tc）	6V，10V	1.2MOHM @ 50a，10v	3.3V @ 147µA	143 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 30 V	-	214W（TC）
IPD65R380C6ATMA1	1.0436	RFQ	3322	Infineon技术	Coolmos™C6	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD65R380		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				650 v	10.6A（TC）	10V	380MOHM @ 3.2A，10V	3.5V @ 320µA	39 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 100 V	-	83W（TC）
IPC60R280E6UNSAWNX6SA1	-	RFQ	7251	Infineon技术	-	大部分	过时的				IPC60R							-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000857790	过时的	0000.00.0000	1								-
IPB180P04P403ATMA1	-	RFQ	1052	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB180		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道				40 V	180a（TC）	10V	2.8MOHM @ 100A，10V	4V @ 410µA	250 NC @ 10 V	±20V	17640 pf @ 25 V	-	150W（TC）
BCR146E6327HTSA1	0.0517	RFQ	5711	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR146			200兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																50 V	70 MA						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5V	150 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
IQE013N04LM6CGSCATMA1	3.1000	RFQ	2828	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	9-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）				PG-WHTFN-9-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000			n通道				40 V	31a（TA），205a（tc）	4.5V，10V	1.35MOHM @ 20A，10V	2V @ 51µA	41 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 20 V	-	2.5W（ta），107W（107W）TC）
BFP183WE6327BTSA1	-	RFQ	9914	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP183			450MW			PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						22DB																										12V	65mA									NPN		70 @ 15mA，8v	8GHz			0.9db〜1.4dB @ 900MHz〜1.8GHz
BCR116E6327HTSA1	0.3600	RFQ	8743	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR116			200兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																50 V	100 ma						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
IRGS4620DTRLPBF	-	RFQ	5735	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		标准		140 w			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001546246	Ear99	8541.29.0095	800					400V，12A，22OHM，15V																				68 ns						-	600 v	32 a	36 a	1.85V @ 15V，12A	（75µJ）（在），225µJ（225µJ）中	25 NC	31ns/83ns
SPB70N10L	-	RFQ	3325	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SPB70N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				100 v	70A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 50a，10v	2V @ 2mA	240 NC @ 10 V	±20V	4540 pf @ 25 V	-	250W（TC）
BSL214NL6327HTSA1	-	RFQ	5265	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL214		MOSFET （金属 o化物）	500MW			PG-TSOP6-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						20V	1.5a		140MOHM @ 1.5A，4.5V	1.2V @ 3.7µA	0.8NC @ 5V		143pf @ 10V	逻辑级别门
FZ1800R45HL4BPSA1	4.0000	RFQ	2	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FZ1800			4000 w		标准	AG-IHVB190	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	3独立																														沟渠场停止	4500 v	1800 a		2.8V @ 15V，1.8KA				5 ma	不	297 NF @ 25 V
IRFR18N15DTRRP	-	RFQ	9372	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001566908	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				150 v	18A（TC）	10V	125mohm @ 11a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±30V	900 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IPA60R600CPXKSA1	-	RFQ	4185	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-31	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道				600 v	6.1A（TC）	10V	600mohm @ 3.3a，10v	3.5V @ 220µA	27 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 100 V	-	28W（TC）
BC846PNE6327BTSA1	-	RFQ	2853	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC846			250MW			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																65V	100mA						15NA（icbo）			NPN，PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
BSP 51 E6327	-	RFQ	5006	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP 51			1.5 w			PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																60 V	1 a						10µA			npn-达灵顿	1.8V @ 1mA，1a	2000 @ 500mA，10V	200MHz
IPW60R040C7XKSA1	14.2100	RFQ	412	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW60R040		MOSFET （金属 o化物）				pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道				600 v	50A（TC）	10V	40mohm @ 24.9a，10V	4V @ 1.24mA	107 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 400 V	-	227W（TC）
IDD08SG60CXTMA2	5.4400	RFQ	2	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IDD08SG60		SIC （碳化硅）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		没有恢复t> 500mA（IO）																					600 v	2.1 V @ 8 A	0 ns	70 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	8a	240pf @ 1V，1MHz
BFP520FH6327XTSA1	0.5600	RFQ	6960	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP520			100MW			4-TSFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						22.5dB																										3.5V	40mA									NPN		70 @ 20mA，2V	45GHz			0.95dB @ 1.8GHz
IRLR4343Trl	-	RFQ	4877	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				55 v	26a（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 4.7A，10V	1V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 50 V	-	79W（TC）
AUIRFR8403	1.7700	RFQ	88	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR8403		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道				40 V	100A（TC）	10V	3.1MOHM @ 76A，10V	3.9V @ 100µA	99 NC @ 10 V	±20V	3171 PF @ 25 V	-	99W（TC）
IRLR8729TRLPBF	-	RFQ	4139	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR8729		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001552874	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				30 V	58A（TC）	4.5V，10V	8.9mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	55W（TC）
CHIPT0204GUE6327X6SA1	-	RFQ	7589	Infineon技术	*	大部分	上次购买				CHIPT0204							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000414074		0000.00.0000	1
BDP953E6327HTSA1	-	RFQ	6545	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BDP953			5 w			PG-SOT223-4-10	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																100 v	3 a						100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 200mA，2a	100 @ 500mA，1V	100MHz
IRFS3107Trl7pp	5.0200	RFQ	14	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB	IRFS3107		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道				75 v	240a（TC）	10V	2.6mohm @ 160a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 50 V	-	370W（TC）
IRF5210L	-	RFQ	5011	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF5210L	Ear99	8541.29.0095	50			P通道				100 v	40a（TC）	10V	60mohm @ 24a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRFU3704	-	RFQ	8423	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）				IPAK（TO-251AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU3704	Ear99	8541.29.0095	75			n通道				20 v	75A（TC）	10V	9.5Mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	1996 PF @ 10 V	-	90W（TC）
64-2116pbf	-	RFQ	1904年	Infineon技术	*	管子	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001562776	Ear99	8541.29.0095	50

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²