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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IQE050N08NM5ATMA1	2.7900	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IQE050N	MOSFET （金属 o化物）				PG-TSON-8-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		80 V	16a（16a），101A（tc）	6V，10V	5mohm @ 20a，10v	3.8V @ 49µA	43.2 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 40 V	-	2.5W（TA），100W（TC）
IRFC240NB	-	RFQ	1279	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死		MOSFET （金属 o化物）				死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC240NB	过时的		1		-		200 v	-	-	-	-		-		-	-
64-4095pbf	-	RFQ	9281	Infineon技术	-	管子	过时的	-	-	-		-				-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1		-			-	-	-	-		-		-	-
2SC0435T2F117HPSA2	-	RFQ	9054	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
FF17MR12W1M1HPB11BPSA1	148.8400	RFQ	30	Infineon技术	COOLSIC™	托盘	积极的	-	底盘安装	模块	FF17MR12	MOSFET （金属 o化物）	-			ag-easy1b	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	-			1200V（1.2kV）	-		-	-	-		-	-
BC846AE6327	0.0200	RFQ	357	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						45 v	100 ma		15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	250MHz
IAUTN06S5N008GATMA1	7.0000	RFQ	7867	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				1,800
F423MR12W1M1B11BOMA1	154.6400	RFQ	1	Infineon技术	EasyPack™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F423MR12		20兆		标准	Ag-Easy1bm-2	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	全桥																				沟	1200 v	50 a	-		是的	3.68 NF @ 800 V
IRFR7540TRLPBF	-	RFQ	9339	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR7540	MOSFET （金属 o化物）				D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001565094	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	90A（TC）	6V，10V	4.8mohm @ 66a，10v	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4360 pf @ 25 V	-	140W（TC）
ETD630N16P60HPSA1	293.4200	RFQ	8272	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜135°C（TC）	底盘安装	模块	ETD630			系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2			300 MA											1.6 kV	700 a	2 v	19800a @ 50Hz	250 MA	635 a	1 sc，1二极管
irli2910pbf	-	RFQ	8281	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		100 v	31a（TC）	4V，10V	26mohm @ 16a，10v	2V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±16V	3700 PF @ 25 V	-	63W（TC）
Auirls3036-7p	-	RFQ	5986	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	240a（TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 180a，10v	2.5V @ 250µA	160 NC @ 4.5 V	±16V	11270 PF @ 50 V	-	380W（TC）
auirfz48z	-	RFQ	7427	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）				TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001516066	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		55 v	61A（TC）	10V	11mohm @ 37a，10v	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1720 PF @ 25 V	-	91W（TC）
IPD05N03LA g	-	RFQ	6405	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD05N	MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-11	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	50A（TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 30a，10v	2V @ 50µA	25 NC @ 5 V	±20V	3110 PF @ 15 V	-	94W（TC）
STT800N18P55XPSA1	399.5800	RFQ	5324	Infineon技术	-	托盘	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块	STT800			1相控制器 -scr			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1			300 MA											1.8 kV		2 v	6300a @ 60Hz	200 ma		2 scr
IPF019N12NM6ATMA1	3.5501	RFQ	8992	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				IPDQ65						-	rohs3符合条件						1,000
ipuh6n03la g	-	RFQ	5717	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	ipuh6n	MOSFET （金属 o化物）				P-TO251-3-1	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		25 v	50A（TC）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 30µA	19 nc @ 5 V	±20V	2390 pf @ 15 V	-	71W（TC）
SPP80N10L	-	RFQ	2547	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP80N	MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		100 v	80A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 58a，10v	2V @ 2mA	240 NC @ 10 V	±20V	4540 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IPD06P004NATMA1	-	RFQ	9150	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD06P	MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001727898	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		60 V	16.4a（TC）	10V	90MOHM @ 16.4a，10V	4V @ 710µA	27 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 30 V	-	63W（TC）
IRF5850TR	-	RFQ	4759	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	IRF58	MOSFET （金属 o化物）	960MW			6-TSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001564468	Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	2.2a		135mohm @ 2.2a，4.5V	1.2V @ 250µA	5.4NC @ 4.5V		320pf @ 15V	逻辑级别门
IRL3715ZPBF	-	RFQ	2546	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		20 v	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	870 pf @ 10 V	-	45W（TC）
IRFZ44VZSPBF	1.1439	RFQ	5081	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	57A（TC）	10V	12mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	92W（TC）
BCX56H6327XTSA1	0.1920	RFQ	2292	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX56		2 w			PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																						80 V	1 a		100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
SSP08N50C3	-	RFQ	1253	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IRLR3714ZPBF	-	RFQ	7036	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		20 v	37A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	7.1 NC @ 4.5 V	±20V	560 pf @ 10 V	-	35W（TC）
AUIRFP4568	11.6800	RFQ	37	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AUIRFP4568	MOSFET （金属 o化物）				TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		150 v	171a（TC）	10V	5.9MOHM @ 103A，10V	5V @ 250µA	227 NC @ 10 V	±30V	10470 pf @ 50 V	-	517W（TC）
IRFS4610pbf	-	RFQ	2252	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 44a，10v	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	190w（TC）
IRLHM620TR2PBF	-	RFQ	9524	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-vqfn裸露的垫子		MOSFET （金属 o化物）				PQFN（3x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道		20 v	26a（26a），40a（tc）		2.5MOHM @ 20A，4.5V	1.1V @ 50µA	78 NC @ 4.5 V		3620 PF @ 10 V	-
IRL540NSTRLPBF	2.3900	RFQ	54	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL540	MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	36a（TC）	4V，10V	44mohm @ 18a，10v	2V @ 250µA	74 NC @ 5 V	±16V	1800 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），140W（TC）
IRF2804STRR	-	RFQ	9562	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		40 V	75A（TC）	10V	2mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 25 V	-	330W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²