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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRG4BC20UDPBF	-	RFQ	4566	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W	TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		480V，6.5a，50ohm，15V											37 ns	-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	160µJ（在）上，130µJ（OFF）	27 NC	39NS/93NS
IRG4BC30WPBF	-	RFQ	5712	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		100 W	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		480V，12a，23ohm，15V												-	600 v	23 a	92 a	2.7V @ 15V，12A	（130µJ）（在130µJ上）	51 NC	25NS/99NS
IRFIZ48NPBF	-	RFQ	3572	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道		55 v	40a（TC）	10V	16mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	54W（TC）
IRG4BC30KD-SPBF	-	RFQ	4087	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG4BC30KD-SPBF	标准		100 W	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		480V，16a，23ohm，15v											42 ns	-	600 v	28 a	56 a	2.7V @ 15V，16a	600µJ（在）上，580µJ降低）	67 NC	60NS/160NS
IRG4BC40KPBF	-	RFQ	5341	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRG4BC40	标准		160 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		480V，25a，10ohm，15V												-	600 v	42 a	84 a	2.6V @ 15V，25a	620µJ（在）上，330µJ（OFF）	120 NC	30NS/140NS
IRL2910SPBF	-	RFQ	1667年	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		100 v	55A（TC）	4V，10V	26mohm @ 29a，10v	2V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±16V	3700 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRL2505SPBF	-	RFQ	9249	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		55 v	104a（TC）	4V，10V	8mohm @ 54a，10v	2V @ 250µA	130 NC @ 5 V	±16V	5000 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRFU4105ZPBF	-	RFQ	1090	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		55 v	30A（TC）	10V	24.5MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	48W（TC）
IRFU9024NPBF	1.0900	RFQ	5	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9024		MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	P通道		55 v	11A（TC）	10V	175mohm @ 6.6a，10v	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	38W（TC）
IRFR1010ZPBF	-	RFQ	7693	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道		55 v	42A（TC）	10V	7.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 100µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRG4RC10KPBF	-	RFQ	8737	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		38 w	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		480V，5A，100OHM，15V												-	600 v	9 a	18 a	2.62V @ 15V，5A	160µJ（在）上，100µJ（100µJ）	19 nc	11NS/51NS
IRFL1006PBF	-	RFQ	9766	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	80	n通道		60 V	1.6a（ta）	10V	220MOHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	160 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRLIZ24NPBF	-	RFQ	8511	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB全盘	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		55 v	14A（TC）	4V，10V	60mohm @ 8.4a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	26W（TC）
IRF3708SPBF	-	RFQ	4913	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		30 V	62A（TC）	2.8V，10V	12mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±12V	2417 PF @ 15 V	-	87W（TC）
IRF1010NPBF	1.7000	RFQ	10	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF1010		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		55 v	85A（TC）	10V	11MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	3210 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IRLI540NPBF	-	RFQ	2626	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道		100 v	23A（TC）	4V，10V	44mohm @ 12a，10v	2V @ 250µA	74 NC @ 5 V	±16V	1800 pf @ 25 V	-	54W（TC）
IRG4BC10KPBF	-	RFQ	8170	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		38 w	TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		480V，5A，100OHM，15V												-	600 v	9 a	18 a	2.62V @ 15V，5A	160µJ（在）上，100µJ（100µJ）	19 nc	11NS/51NS
IRF640NSPBF	-	RFQ	1663年	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		200 v	18A（TC）	10V	150mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1160 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRF9540NPBF	1.6300	RFQ	8	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9540		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	P通道		100 v	23A（TC）	10V	117mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	97 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRFS23N20DPBF	-	RFQ	5882	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		200 v	24A（TC）	10V	100mohm @ 14a，10v	5.5V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1960 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），170W（TC）
IRL3705ZSPBF	-	RFQ	1303	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		55 v	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2880 pf @ 25 V	-	130W（TC）
IRF5305pbf	1.7200	RFQ	44	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF5305		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	P通道		55 v	31a（TC）	10V	60mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRL3705ZL	-	RFQ	5706	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3705ZL	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		55 v	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2880 pf @ 25 V	-	130W（TC）
IRLU4343	-	RFQ	7179	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLU4343	Ear99	8541.29.0095	75	n通道		55 v	26a（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 4.7A，10V	1V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 50 V	-	79W（TC）
IRLR4343Tr	-	RFQ	6059	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道		55 v	26a（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 4.7A，10V	1V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 50 V	-	79W（TC）
IRF3711ZSTRR	-	RFQ	8460	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		20 v	92A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.45V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±20V	2150 pf @ 10 V	-	79W（TC）
IRF1404ZSTRL	-	RFQ	6923	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		40 V	180a（TC）	10V	3.7MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 25 V	-	220W（TC）
IRF540ZPBF	1.3500	RFQ	9	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF540		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		100 v	36a（TC）	10V	26.5MOHM @ 22a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	92W（TC）
IRF4104	-	RFQ	6372	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF4104	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		40 V	75A（TC）	10V	5.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRF3305	-	RFQ	9646	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3305	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	3650 pf @ 25 V	-	330W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²