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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IPP120N04S401AKSA1	-	RFQ	7125	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP120N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						40 V	120A（TC）	10V	1.9MOHM @ 100A，10V	4V @ 140µA	176 NC @ 10 V	±20V	14000 PF @ 25 V	-	188W（TC）
BDP947E6327HTSA1	-	RFQ	3443	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BDP947			5 w			PG-SOT223-4-10	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																		45 v	3 a			100NA（ICBO）		NPN	500mv @ 200mA，2a	100 @ 500mA，1V	100MHz
Auirru3114z	-	RFQ	4822	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Auirru3114		MOSFET （金属 o化物）				pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001516750	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						40 V	130a（TC）	4.5V，10V	4.9MOHM @ 42A，10V	2.5V @ 100µA	56 NC @ 4.5 V	±16V	3810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRF520NSTRRPBF	-	RFQ	4441	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						100 v	9.7a（TC）	10V	200mohm @ 5.7a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），48W（tc）
D1961SH45TXPSA1	2.0000	RFQ	3114	Infineon技术	-	托盘	积极的			底盘安装	do-200ae	D1961SH45		标准				-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								4500 v	2.5 V @ 2500 A	150 ma @ 4500 V	0°C〜140°C	2380a	-
IPB034N03LGATMA1	-	RFQ	9919	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB034		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 15 V	-	94W（TC）
T1190N16TOFVTXPSA1	309.6600	RFQ	1	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C	夹紧	TO-200AC	T1190N16				单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	4					500 MA														1.8 kV	2800 a	2 v	22500A @ 50Hz	250 MA	1190 a								1 scr
4PS03012S43G30699NOSA1	-	RFQ	3042	Infineon技术	Primestack™	托盘	过时的		-25°C〜55°C	底盘安装	模块	4PS03012					标准	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1	全桥																																-			-			不
BG5120KE6327	0.0900	RFQ	879	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	8 V		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		-	MOSFET				SOT-363	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			10µA		10 MA	-	30dB																	1.1db												5 v
AUIRFS8407	-	RFQ	3206	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AUIRFS8407		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						40 V	195a（TC）	10V	1.8mohm @ 100a，10v	4V @ 150µA	225 NC @ 10 V	±20V	7330 PF @ 25 V	-	230W（TC）
1SD210F2MBN750H65ONPSA1	-	RFQ	4406	Infineon技术	-	托盘	过时的												-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
ETT630N18P60HPSA1	312.3400	RFQ	7	Infineon技术	-	托盘	积极的		135°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2					300 MA														1.8 kV	700 a	2 v	16800a，20000a	250 MA	628 a								2 scr
ipd80r1k4ceatma1	1.5800	RFQ	7369	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD80R1		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						800 v	3.9a（TC）	10V	1.4OHM @ 2.3a，10V	3.9V @ 240µA	23 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 100 V	-	63W（TC）
SIDC07D60E6X1SA1	-	RFQ	7862	Infineon技术	-	大部分	过时的			表面安装	死	SIDC07D60		标准				锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								600 v	1.25 V @ 15 A	250 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	15a	-
BSS127H6327XTSA2	0.3800	RFQ	6010	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS127		MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道						600 v	21ma（ta）	4.5V，10V	500ohm @ 16mA，10v	2.6V @ 8µA	1 NC @ 10 V	±20V	28 PF @ 25 V	-	500MW（TA）
T4161N80TOHPRXPSA1	-	RFQ	4473	Infineon技术	-	托盘	过时的					T4161N							-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001035836	Ear99	8541.30.0080	1
irfr3710ztrr	-	RFQ	8926	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001575918	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						100 v	42A（TC）	10V	18mohm @ 33a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	2930 PF @ 25 V	-	140W（TC）
BSS169L6906HTSA1	-	RFQ	6501	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道						100 v	170mA（TA）	0V，10V	6ohm @ 170mA，10v	1.8V @ 50µA	2.8 NC @ 7 V	±20V	68 pf @ 25 V	耗尽模式	360MW（TA）
auirfz34n	-	RFQ	7893	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001521138	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						55 v	29A（TC）	10V	40mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IPB14N03LA g	-	RFQ	6208	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB14N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						25 v	30A（TC）	4.5V，10V	13.6mohm @ 30a，10v	2V @ 20µA	8.3 NC @ 5 V	±20V	1043 PF @ 15 V	-	46W（TC）
IRF7854pbf	-	RFQ	6395	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001551588	Ear99	8541.29.0095	95			n通道						80 V	10a（10a）	10V	13.4mohm @ 10a，10v	4.9V @ 100µA	41 NC @ 10 V	±20V	1620 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
TDB6HK240N16PBOSA1	173.8300	RFQ	8145	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜130°C（TJ）	底盘安装	模块	TDB6HK240				桥梁，三相-scr/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	6					220 MA														1.6 kV	240 a	2 v	1800a @ 50Hz	100 ma	140 a								3 scr，3个二极管
BSS225H6327FTSA1	0.6600	RFQ	5692	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BSS225		MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						600 v	90mA（ta）	4.5V，10V	45ohm @ 90mA，10v	2.3V @ 94µA	5.8 NC @ 10 V	±20V	131 PF @ 25 V	-	1W（ta）
T2480N22TOFVTXPSA1	-	RFQ	4737	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	do-200ae	T2480N				单身的			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1					300 MA														2.8 kV	5100 a	2.5 v	47500A @ 50Hz	250 MA	2490 a								1 scr
IRF7403PBF	-	RFQ	7528	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001563614	Ear99	8541.29.0095	95			n通道						30 V	8.5a（ta）	4.5V，10V	22mohm @ 4a，10v	1V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IPB720P15LMATMA1	6.0400	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB720p		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道						150 v	4.6a（ta），41A（tc）	4.5V，10V	72MOHM @ 37A，10V	2V @ 5.55mA	224 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 75 V	-	3.8W（300W），300W （TC）
IPB50R199CP	-	RFQ	9067	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1,000			n通道						500 v	17a（TC）		199mohm @ 9.9a，10V	3.5V @ 660µA	45 NC @ 10 V	±20V	1800 PF @ 100 V	-	139W（TC）
BSC091N03MSCGATMA1	0.2700	RFQ	24	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-6	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道						30 V	（12A）（ta），44A （TC）	4.5V，10V	9.1mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1500 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），28W（tc）
IPB80N06S2H5ATMA1	-	RFQ	1711年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						55 v	80A（TC）	10V	5.2MOHM @ 80A，10V	4V @ 230µA	155 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IPU04N03LB g	-	RFQ	7376	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU04N		MOSFET （金属 o化物）				P-TO251-3-1	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道						30 V	50A（TC）	4.5V，10V	4.3MOHM @ 50a，10v	2V @ 70µA	40 NC @ 5 V	±20V	5200 PF @ 15 V	-	115W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²