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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
T1410N02TOFXPSA1	-	RFQ	3693	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜140°C	底盘安装	DO-200AB，B-PUK		T1410N				单身的		下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				300 MA															600 v	2500 a	1.5 v	23000a @ 50Hz	250 MA	1490 a										1 scr
IPC302N08N3X2SA1	-	RFQ	7395	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产					IPC302N						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	2,000										-
T1220N26TOFVTXPSA1	469.4200	RFQ	6330	Infineon技术	-	托盘	上次购买	-40°C〜125°C	夹紧	TO-200AC		T1220N26				单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	4				500 MA															2.8 kV	2625 a	2 v	25000a @ 50Hz	250 MA	1220 a										1 scr
T1590N26TOFVTXPSA1	740.0050	RFQ	7672	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	do-200AD		T1590N26				单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2				300 MA															2.8 kV	3200 a	3 V	32000a @ 50Hz	300 MA	1590 a										1 scr
IRLBD59N04Etrlp	-	RFQ	4703	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA				MOSFET （金属 o化物）			TO-263-5	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						40 V	59A（TC）	5V，10V	18mohm @ 35a，10v	2V @ 250µA	50 NC @ 5 V	±10V	2190 pf @ 25 V	-	130W（TC）
IRLZ44ZL	-	RFQ	6602	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLZ44ZL	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						55 v	51A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 31a，10v	3V @ 250µA	36 NC @ 5 V	±16V	1620 PF @ 25 V	-	80W（TC）
AUIRFR4615	-	RFQ	5676	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		AUIRFR4615		MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						150 v	33A（TC）	10V	42MOHM @ 21a，10v	5V @ 100µA	26 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 50 V	-	144W（TC）
BCP 69-16 E6327	-	RFQ	5579	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		BCP 69			3 W		PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																				20 v	1 a						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，1V	100MHz
IRFB260NPBF	3.3600	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IRFB260		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						200 v	56A（TC）	10V	40mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	4220 PF @ 25 V	-	380W（TC）
IRF2807ZPBF	2.0300	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IRF2807		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100			n通道						75 v	75A（TC）	10V	9.4mohm @ 53a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	170W（TC）
IDH06SG60CXKSA1	-	RFQ	3382	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2		IDH06SG60		SIC （碳化硅）			PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）																								600 v		2.3 V @ 6 A	0 ns	50 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	6a	130pf @ 1V，1MHz
IRLR7807ZCTRRP	-	RFQ	4811	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						30 V	43A（TC）	4.5V，10V	13.8mohm @ 15a，10v	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	780 pf @ 15 V	-	40W（TC）
IRF7241TRPBF	0.9700	RFQ	22	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF7241		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道						40 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	41MOHM @ 6.2A，10V	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3220 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
ipb26cne8n g	-	RFQ	3863	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB26C		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						85 v	35A（TC）	10V	26mohm @ 35a，10v	4V @ 39µA	31 NC @ 10 V	±20V	2070 pf @ 40 V	-	71W（TC）
IRLR7833TRPBF	1.2500	RFQ	4	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IRLR7833		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						30 V	140a（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	4010 PF @ 15 V	-	140W（TC）
BSO4420	-	RFQ	1976年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						30 V	13A（TA）	4.5V，10V	7.8mohm @ 13a，10v	2V @ 80µA	33.7 NC @ 5 V	±20V	2213 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRAM136-0461G	-	RFQ	8417	Infineon技术	Imotion™	管子	过时的		通过洞	23-Powerssip模块，22个线索，形成铅	IGBT							下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	3期					9.4 a	600 v	2000vrms
IPU80R2K0P7AKMA1	1.1100	RFQ	4726	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		IPU80R2		MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道						800 v	3A（TC）	10V	2ohm @ 940mA，10v	3.5V @ 50µA	9 NC @ 10 V	±20V	175 PF @ 500 V	-	24W（TC）
IPD06N03LA g	-	RFQ	2751	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD06N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						25 v	50A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 30a，10v	2V @ 40µA	22 NC @ 5 V	±20V	2653 PF @ 15 V	-	83W（TC）
BSP613PH6327XTSA1	1.4100	RFQ	12	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		BSP613		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道						60 V	2.9a（ta）	10V	130MOHM @ 2.9a，10V	4V @ 1mA	33 NC @ 10 V	±20V	875 PF @ 25 V	-	1.8W（TA）
IRGSL30B60KPBF	-	RFQ	7289	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			标准		370 w		TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001541980	Ear99	8541.29.0095	1,000					400V，30a，10ohm，15V																														npt	600 v	78 a	120 a	2.35V @ 15V，30a	（350µJ）（825µJ降），OFF）	102 NC	46NS/185NS
D740N46TXPSA1	-	RFQ	6255	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	DO-200AB，B-PUK		D740N46		标准			-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								4600 v		1.45 V @ 700 A		70 mA @ 4600 V	-40°C〜160°C	750a	-
IPP085N06LGAKSA1	0.7800	RFQ	15	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		通过洞	TO-220-3		IPP085N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						60 V	80A（TC）		8.5MOHM @ 80A。10V	2V @ 125µA	104 NC @ 10 V		3500 PF @ 30 V	-
PX8143HDMG018XTMA1	-	RFQ	1501	Infineon技术	-	托盘	过时的					PX8143HD						-	rohs3符合条件		到达不受影响		过时的		1
IRF2805LPBF	-	RFQ	8677	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						55 v	135a（TC）	10V	4.7MOHM @ 104A，10V	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	5110 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IDW30E60AFKSA1	-	RFQ	4097	Infineon技术	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3		IDW30E60		标准			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000547582	Ear99	8541.10.0080	240		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								600 v		2 V @ 30 A	143 ns	40 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	60a	-
IPP60R099C6XKSA1	7.5300	RFQ	1337	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP60R099		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						600 v	37.9a（TC）	10V	99mohm @ 18.1a，10v	3.5V @ 1.21MA	119 NC @ 10 V	±20V	2660 pf @ 100 V	-	278W（TC）
DD82S08KHPSA1	-	RFQ	4461	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	模块				标准			模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	15		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1对系列连接	800 v	96a	1.55 V @ 300 A		40 ma @ 800 V	150°C
IRF2907ZLPBF	-	RFQ	1633年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001576784	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						75 v	160a（TC）	10V	4.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IAUC60N04S6N050HATMA1	1.6000	RFQ	4254	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		IAUC60		MOSFET （金属 o化物）	52W（TC）		PG-TDSON-8-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（半桥）								40V	60a（TJ）		5mohm @ 30a，10v	3V @ 13µA	17NC @ 10V		1027pf @ 25V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²