RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IRF7807D2TRPBF	-	RFQ	6160	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道						30 V	8.3a（ta）	4.5V	25mohm @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±12V		Schottky 二极管（孤立）	2.5W（TA）
MMBT2907ALT1HTSA1	0.3800	RFQ	69	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBT2907		330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																	60 V	600 MA	10NA（ICBO）	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
IRFSL4410pbf	-	RFQ	6574	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001550234	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						100 v	88A（TC）	10V	10mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	200W（TC）
IRFS4610pbf	-	RFQ	2252	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						100 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 44a，10v	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	190w（TC）
T1410N02TOFXPSA1	-	RFQ	3693	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜140°C	底盘安装	DO-200AB，B-PUK		T1410N			单身的		下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				300 MA															600 v	2500 a	1.5 v	23000a @ 50Hz	250 MA	1490 a								1 scr
IPC302N08N3X2SA1	-	RFQ	7395	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产					IPC302N					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	2,000										-
T1590N26TOFVTXPSA1	740.0050	RFQ	7672	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	do-200AD		T1590N26			单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2				300 MA															2.8 kV	3200 a	3 V	32000a @ 50Hz	300 MA	1590 a								1 scr
ipb26cne8n g	-	RFQ	3863	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB26C	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						85 v	35A（TC）	10V	26mohm @ 35a，10v	4V @ 39µA	31 NC @ 10 V	±20V	2070 pf @ 40 V	-	71W（TC）
IPL60R650P6SATMA1	1.6500	RFQ	1925年	Infineon技术	Coolmos™P6	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		IPL60R650	MOSFET （金属 o化物）			8-thinpak（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						600 v	6.7A（TC）	10V	650MOHM @ 2.4A，10V	4.5V @ 200µA	12 nc @ 10 V	±20V	557 PF @ 100 V	-	56.8W（TC）
SPP80N10L	-	RFQ	2547	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		SPP80N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						100 v	80A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 58a，10v	2V @ 2mA	240 NC @ 10 V	±20V	4540 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IRF5850TR	-	RFQ	4759	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		IRF58	MOSFET （金属 o化物）	960MW		6-TSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001564468	Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）								20V	2.2a		135mohm @ 2.2a，4.5V	1.2V @ 250µA	5.4NC @ 4.5V		320pf @ 15V	逻辑级别门
IRL3715ZPBF	-	RFQ	2546	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						20 v	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	870 pf @ 10 V	-	45W（TC）
SPA12N50C3XKSA1	-	RFQ	7330	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		SPA12N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						560 v	11.6A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	3.9V @ 500µA	49 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	33W（TC）
IRF6802SDTRPBF	-	RFQ	6639	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距SA		IRF6802	MOSFET （金属 o化物）	1.7W		DirectFet™SA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001530826	Ear99	8541.29.0095	4,800	2 n 通道（双）								25V	16a		4.2MOHM @ 16a，10v	2.1V @ 35µA	13nc @ 4.5V		1350pf @ 13V	逻辑级别门
T4051N85TOHXPSA1	-	RFQ	8163	Infineon技术	-	托盘	过时的					T4051N					-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001206790	Ear99	8541.30.0080	1
BC80825E6433	0.0200	RFQ	151	Infineon技术	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BC80825E6433-448			1
IRLBD59N04Etrlp	-	RFQ	4703	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA			MOSFET （金属 o化物）			TO-263-5	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						40 V	59A（TC）	5V，10V	18mohm @ 35a，10v	2V @ 250µA	50 NC @ 5 V	±10V	2190 pf @ 25 V	-	130W（TC）
IRFBL3703	-	RFQ	8683	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		表面安装	超级d2-pak			MOSFET （金属 o化物）			超级d2-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						30 V	260a（TC）	7V，10V	2.5MOHM @ 76A，10V	4V @ 250µA	209 NC @ 10 V	±20V	8250 pf @ 25 V	-	3.8W（300W），300W （TC）
IRAM136-0461G	-	RFQ	8417	Infineon技术	Imotion™	管子	过时的		通过洞	23-Powerssip模块，22个线索，形成铅	IGBT						下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	3期					9.4 a	600 v	2000vrms
IPD06P004NATMA1	-	RFQ	9150	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD06P	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001727898	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道						60 V	16.4a（TC）	10V	90MOHM @ 16.4a，10V	4V @ 710µA	27 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 30 V	-	63W（TC）
IPA50R800CE	-	RFQ	4490	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		IPA50R	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						500 v	5A（TC）	13V	800MOHM @ 1.5A，13V	3.5V @ 130µA	12.4 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 100 V	-	26.4W（TC）
AUIRFP4568	11.6800	RFQ	37	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		AUIRFP4568	MOSFET （金属 o化物）			TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道						150 v	171a（TC）	10V	5.9MOHM @ 103A，10V	5V @ 250µA	227 NC @ 10 V	±30V	10470 pf @ 50 V	-	517W（TC）
IDH06SG60CXKSA1	-	RFQ	3382	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2		IDH06SG60	SIC （碳化硅）			PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）																							600 v	2.3 V @ 6 A	0 ns	50 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	6a	130pf @ 1V，1MHz
IRLR7807ZCTRRP	-	RFQ	4811	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						30 V	43A（TC）	4.5V，10V	13.8mohm @ 15a，10v	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	780 pf @ 15 V	-	40W（TC）
T1220N26TOFVTXPSA1	469.4200	RFQ	6330	Infineon技术	-	托盘	上次购买	-40°C〜125°C	夹紧	TO-200AC		T1220N26			单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	4				500 MA															2.8 kV	2625 a	2 v	25000a @ 50Hz	250 MA	1220 a								1 scr
BSO4420	-	RFQ	1976年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						30 V	13A（TA）	4.5V，10V	7.8mohm @ 13a，10v	2V @ 80µA	33.7 NC @ 5 V	±20V	2213 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
BCR116E6393HTSA1	-	RFQ	1521年	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				200兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000010750	Ear99	8541.21.0075	3,000																																	50 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150MHz
IRF2807ZPBF	2.0300	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IRF2807	MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100			n通道						75 v	75A（TC）	10V	9.4mohm @ 53a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	170W（TC）
BCX56H6327XTSA1	0.1920	RFQ	2292	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA		BCX56		2 w		PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																	80 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
BFG 193 E6433	-	RFQ	1768年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		BFG 193		600MW		PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000					10.5db〜16dB																												12V	80mA		NPN		70 @ 30mA，8v	8GHz	1db〜1.6dB @ 900MHz〜1.8GHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²