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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BCR08PNH6327XTSA1	0.0975	RFQ	4156	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR08			250MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																										50V	100mA						-			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	170MHz	2.2kohms	47kohms
ND104N12KHPSA1	-	RFQ	2130	Infineon技术	-	托盘	过时的		底盘安装	模块	ND104N12		标准			BG-PB20-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	15		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）															1200 v				20 ma @ 1200 V	-40°C〜135°C	104a	-
IPB65R145CFD7AATMA1	2.8389	RFQ	7458	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB65R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			650 v	17a（TC）	10V	145mohm @ 8.5a，10v	4.5V @ 420µA	36 NC @ 10 V	±20V	1694 PF @ 400 V	-	98W（TC）
FS300R12KE4BOSA1	761.0925	RFQ	9340	Infineon技术	Econopack™+ b	托盘	不适合新设计	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS300R12			1600 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4	三相逆变器																								沟渠场停止	1200 v	450 a		2.1V @ 15V，300A				3 ma	是的	18.5 nf @ 25 V
FS400R07A1E3BOMA1	-	RFQ	6590	Infineon技术	Hybridpack™1	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS400R07			1250 w	标准	Ag-Hybrid1-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001283950	Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器																								沟渠场停止	650 v	500 a		1.9V @ 15V，400A				1 MA	是的	26 NF @ 25 V
FZ1800R17HP4B9HOSA2	1.0000	RFQ	6841	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FZ1800			11500 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																								沟	1700 v	1800 a		2.25V @ 15V，1800a				5 ma	不	145 NF @ 25 V
IRFH4253DTRPBF	2.6300	RFQ	6	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH4253		MOSFET （金属 o化物）	31W，50W		PQFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）					25V	64a，145a		3.2MOHM @ 30a，10V	2.1V @ 35µA	15nc @ 4.5V		1314pf @ 13V	逻辑级别门
IRF7705	-	RFQ	5309	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）			8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7705	Ear99	8541.29.0095	95			P通道			30 V	8A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	2774 PF @ 25 V	-	1.5W（TC）
BSF083N03LQG	0.3900	RFQ	6	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-wdson			MOSFET （金属 o化物）			MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			30 V	（13a）（ta），53a （TC）	4.5V，10V	8.3mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1800 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），36W （TC）
FS450R17KE3BOSA1	1.0000	RFQ	8567	Infineon技术	Econopack™+	托盘	不适合新设计	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FS450R17			2250 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4	全桥																								沟渠场停止	1700 v	605 a		2.45V @ 15V，450a				3 ma	是的	40.5 nf @ 25 V
BAT5405WH6327XTSA1	0.5000	RFQ	116	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BAT5405		肖特基			PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														1对普通阴极	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C （最大）
62-0219pbf	-	RFQ	2375	Infineon技术	*	管子	积极的				62-0219						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001569166	Ear99	8541.29.0095	95
IRG4PH20KD	-	RFQ	6902	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PH20	标准		60 W		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4PH20KD	Ear99	8541.29.0095	25				800V，5A，50OHM，15V																51 ns					-	1200 v	11 a	22 a	4.3V @ 15V，5A	620µJ（在）上，300µJ（OFF）	28 NC	50NS/100NS
BSP149L6906HTSA1	-	RFQ	1062	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			200 v	660ma（ta）	0V，10V	1.8OHM @ 660mA，10V	1V @ 400µA	14 NC @ 5 V	±20V	430 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
IRF9953PBF	-	RFQ	8936	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF995		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001565680	Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）					30V	2.3a		250MOHM @ 1A，10V	1V @ 250µA	12nc @ 10V		190pf @ 15V	-
IDH05S120AKSA1	-	RFQ	1530	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	过时的		通过洞	TO-220-2	IDH05		SIC （碳化硅）			PG-TO220-2-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）															1200 v		1.8 V @ 5 A	0 ns	120 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	5a	250pf @ 1V，1MHz
IRF3315STRLPBF	-	RFQ	3506	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			150 v	21a（TC）	10V	82MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
IPP80P04P4L06AKSA1	-	RFQ	8678	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80p		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			P通道			40 V	80A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 80A，10V	2.2V @ 150µA	104 NC @ 10 V	+5V，-16V	6580 pf @ 25 V	-	88W（TC）
BCX53E6327HTSA1	-	RFQ	2972	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX53			2 w		PG-SOT89	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																										80 V	1 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	125MHz
BFR 705L3RH E6327	-	RFQ	1213	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	BFR 705			40MW		PG-TSLP-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000					25DB																					4.7V	10mA									NPN		160 @ 7mA，3v	39GHz			0.5db〜0.8dB @ 1.8GHz〜6GHz
IRL3715TRR	-	RFQ	4726	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
D740N42TXPSA1	-	RFQ	5913	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	DO-200AB，B-PUK	D740N42		标准			-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）															4200 v		1.45 V @ 700 A		70 mA @ 4200 V	-40°C〜160°C	750a	-
IRG7CH23K10EF	-	RFQ	9368	Infineon技术	-	大部分	过时的				IRG7CH						下载		不适用	到达不受影响	SP001545918	过时的	0000.00.0000	1
SPP80P06PBKSA1	-	RFQ	2489	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp80p		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			P通道			60 V	80A（TC）	10V	23mohm @ 64a，10v	4V @ 5.5mA	173 NC @ 10 V	±20V	5033 PF @ 25 V	-	340W（TC）
SPB80N03S2-03	-	RFQ	5617	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SPB80N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			30 V	80A（TC）	10V	3.1MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	7020 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IPB097N08N3 g	-	RFQ	8627	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB097N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			80 V	70A（TC）	6V，10V	9.7MOHM @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2410 PF @ 40 V	-	100W（TC）
BAS5202VH6433XTMA1	0.4100	RFQ	10	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-79，SOD-523	BAS5202		肖特基			PG-SC79-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															45 v		600 mv @ 200 ma		10 µA @ 45 V	150°C （最大）	750mA	10pf @ 10V，1MHz
IPU60R2K0C6BKMA1	-	RFQ	7215	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU60R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道			600 v	2.4A（TC）	10V	2ohm @ 760mA，10v	3.5V @ 60µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 100 V	-	22.3W（TC）
IDH05G65C5XKSA2	1.8247	RFQ	5789	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	不适合新设计		通过洞	TO-220-2	IDH05G65		SIC （碳化硅）			pg-to220-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001632972	Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）															650 v		1.7 V @ 5 A	0 ns	90 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	5a	160pf @ 1V，1MHz
BSP299H6327XUSA1	-	RFQ	5316	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			500 v	400mA（TA）	10V	4ohm @ 400mA，10v	4V @ 1mA		±20V	400 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²