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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IGCM04G60HAXKMA1	10.1100	RFQ	22	Infineon技术	CIPOS™	管子	积极的			通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT	IGCM04								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	14	3期									4 a	600 v	2000vrms
IDD06SG60CXTMA1	-	RFQ	8824	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IDD06SG60			SIC （碳化硅）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		没有恢复t> 500mA（IO）																													600 v		2.3 V @ 6 A	0 ns	50 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	6a	130pf @ 1V，1MHz
IMIC40V01X6SA1	-	RFQ	5706	Infineon技术	*	托盘	过时的														-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001131320	过时的	0000.00.0000	1
PTFA191001EV4R250XTMA1	-	RFQ	4687	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍线		PTFA191001		1.96GHz	ldmos				H-36248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250				10µA			900 MA	44DBM	17dB																				-																			30 V
BFR182E6327HTSA1	0.3800	RFQ	5	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BFR182				250MW			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000									12db〜18dB																																12V	35mA										NPN	70 @ 10mA，8v	8GHz	0.9db〜1.3db @ 900MHz〜1.8GHz
BAW 56W H6327	-	RFQ	1845年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323		Baw 56			标准				PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																												1对公共阳极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
IRFS4010TRLPBF	3.8000	RFQ	52	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IRFS4010			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道										100 v	180a（TC）	10V	4.7MOHM @ 106A，10V	4V @ 250µA	215 NC @ 10 V	±20V	9575 PF @ 50 V	-	375W（TC）
IST007N04NM6AUMA1	3.7300	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn		IST007			MOSFET （金属 o化物）				PG-HSOF-5-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道										40 V	54A（TA），440A （TC）	6V，10V	0.7MOHM @ 100A，10V	3.3V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±20V	7900 PF @ 20 V	-	3.8W（TA），250W（TC）
IRF7313TRPBFXTMA1	0.3739	RFQ	8553	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）					MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）			PG-DSO-8-902	-	rohs3符合条件			448-IRF7313TRPBFXTMA1TR			4,000	2 n通道												30V	6.5A（TA）		29mohm @ 5.8A，10V	1V @ 250µA	33nc @ 10V		650pf @ 25V	标准
BSC0923NDIATMA1	1.5800	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSC0923			MOSFET （金属 o化物）	1W			PG-Tison-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）												30V	17a，32a		5mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	10NC @ 4.5V		1160pf @ 15V	逻辑级别门，4.5V驱动器
IRG4BC40K	-	RFQ	1954年	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			标准			160 w			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC40K	Ear99	8541.29.0095	50						480V，25a，10ohm，15V																																		-	600 v	42 a	84 a	2.6V @ 15V，25a	620µJ（在）上，330µJ（OFF）	120 NC	30NS/140NS
T533N80TOHXPSA1	5.0000	RFQ	8381	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜120°C	夹紧	TO-200AC		T533N80					单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	4					100 ma																			864 a		10500a @ 50Hz		790 a											1 scr
IRAMS10UP60B-3	-	RFQ	8581	Infineon技术	Imotion™	管子	过时的			通过洞	23-Powersip模块，19条线索，形成铅	IGBT									下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	3期									10 a	600 v	2000vrms
IPS70R1K4P7SAKMA1	0.7300	RFQ	8811	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		IPS70R1			MOSFET （金属 o化物）				pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道										700 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 700mA，10V	3.5V @ 40µA	4.7 NC @ 10 V	±16V	158 pf @ 400 V	-	22.7W（TC）
IRG4BC30FDPBF	-	RFQ	6890	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			标准			100 W			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000						480V，17a，23ohm，15v																												42 ns						-	600 v	31 a	124 a	1.8V @ 15V，17a	630µJ（在）上，1.39mj off）	51 NC	42NS/230NS
IRF3709	-	RFQ	2582	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3709	Ear99	8541.29.0095	50			n通道										30 V	90A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±20V	2672 PF @ 16 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
IRL1004PBF	3.4800	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IRL1004			MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道										40 V	130a（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 78A，10V	1V @ 250µA	100 NC @ 4.5 V	±16V	5330 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRF3710L	-	RFQ	5515	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA					MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3710L	Ear99	8541.29.0095	50			n通道										100 v	57A（TC）	10V	23mohm @ 28a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3130 PF @ 25 V	-	200W（TC）
BAW56W-E6327	-	RFQ	3501	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323		BAW56			标准				PG-SOT323-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	12,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																												1对公共阳极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C
FS45MR12W1M1PB11BPSA1	-	RFQ	8589	Infineon技术	*	托盘	在sic中停产														-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30
TD61N16KOFHPSA1	-	RFQ	7616	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		TD61N16					系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	15					200 ma																		1.6 kV	120 a	1.4 v	1550a @ 50Hz	120 MA	76 a											1 sc，1二极管
IPP50R299CPXKSA1	-	RFQ	6483	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP50R			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道										550 v	12A（TC）	10V	299MOHM @ 6.6a，10V	3.5V @ 440µA	31 NC @ 10 V	±20V	1190 pf @ 100 V	-	104W（TC）
BSM75GAR120DN2HOSA1	-	RFQ	7463	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块		BSM75GAR120				235 w		标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																																							沟渠场停止	1200 v	30 a		2.2V @ 15V，15a					400 µA	不	1 nf @ 25 V
SGW10N60AFKSA1	-	RFQ	5466	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		SGW10N	标准			92 w			PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240						400V，10a，25ohm，15V																																		npt	600 v	20 a	40 a	2.4V @ 15V，10a	320µJ	52 NC	28NS/178NS
IPP037N08N3GXKSA1	2.8700	RFQ	3	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP037			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道										80 V	100A（TC）	6V，10V	3.75MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 155µA	117 NC @ 10 V	±20V	8110 PF @ 40 V	-	214W（TC）
BSC090亿	-	RFQ	3207	Infineon技术	*	大部分	积极的														-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IMT65R260M1HXUMA1	7.0100	RFQ	9708	Infineon技术	COOLSIC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	8-Powersfn					sicfet （碳化硅）				PG-HSOF-8-1	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			-										650 v	-	18V	-	-		-		-	-
IRD3CH16DF6	-	RFQ	7260	Infineon技术	-	大部分	过时的						IRD3CH16								下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540428	Ear99	8541.10.0080	1
IAUA120N04S5N014AUMA1	2.7400	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn					MOSFET （金属 o化物）				PG-HSOF-5-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道										40 V	120A（TC）	7V，10V	1.4mohm @ 60a，10v	3.4V @ 60µA	82 NC @ 10 V	±20V	4828 PF @ 25 V	-	136W（TC）
IRF1010ESTRLPBF	2.1300	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IRF1010			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道										60 V	84A（TC）	10V	12mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3210 PF @ 25 V	-	200W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²