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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
AUIRGP4063D	-	RFQ	1609年	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AUIRGP4063	标准		330 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			400V，48a，10ohm，15V											115 ns	沟	600 v	100 a	144 a	1.9V @ 15V，48a	（625µJ）（在），1.28mj off）	140 NC	60NS/145NS
AUIRGP4066D1	-	RFQ	7462	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AUIRGP4066	标准		454 w	TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			400V，75A，10欧姆，15V											240 ns	沟	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	4.24mj（在）上，2.17MJ off）	225 NC	50NS/200NS
AUIRGPS4067D1	-	RFQ	7390	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Auirgps4067	标准		750 w	SUPER-247™to-274AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001512434	Ear99	8541.29.0095	25			400V，120A，4.7OHM，15V											360 ns	沟	600 v	240 a	360 a	2.05V @ 15V，120a	8.2mj（在）上，2.9mj off）	360 NC	69NS/198NS
Auirgr4045d	-	RFQ	7674	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRGR4045	标准		77 w	TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			400V，6A，47OHM，15V											74 ns	沟	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
Auirl1404S	-	RFQ	6910	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		40 V	160a（TC）	4.3V，10V	4mohm @ 95a，10v	3V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
AUIRR2203N	-	RFQ	4411	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		30 V	75A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 60a，10v	1V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±16V	3290 pf @ 25 V	-	180W（TC）
AUIRR3705Z	-	RFQ	2305	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001519682	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		55 v	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2880 pf @ 25 V	-	130W（TC）
auirll014n	-	RFQ	6502	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001520450	Ear99	8541.29.0095	80		n通道		55 v	2A（TA）	4V，10V	140mohm @ 2a，10v	2V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±16V	230 pf @ 25 V	-	1W（ta）
Auirlr120n	-	RFQ	3129	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001521880	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		100 v	10A（TC）	4V，10V	185mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±16V	440 pf @ 25 V	-	48W（TC）
Auirlr3105	-	RFQ	1950年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520418	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		55 v	25A（TC）	5V，10V	37mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±16V	710 PF @ 25 V	-	57W（TC）
Auirls4030-7p	-	RFQ	3077	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	190a（TC）	4.5V，10V	3.9MOHM @ 110A，10V	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	11490 pf @ 50 V	-	370W（TC）
Auirlsl3036	-	RFQ	5178	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	Auirlsl303		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001521854	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	195a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 165a，10v	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	11210 PF @ 50 V	-	380W（TC）
auirrz44zl	-	RFQ	7525	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			-		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		-			51A（TC）	4.5V，10V	-	-		±16V		-	-
IRFS3307ZTRRPBF	2.9100	RFQ	800	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS3307		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		75 v	120A（TC）	10V	5.8MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	110 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IRFS4510pbf	-	RFQ	7092	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001576206	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	61A（TC）	10V	13.9mohm @ 37a，10v	4V @ 100µA	87 NC @ 10 V	±20V	3180 pf @ 50 V	-	140W（TC）
IRFU4510pbf	1.9100	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU4510		MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		100 v	56A（TC）	10V	13.9mohm @ 38a，10v	4V @ 100µA	81 NC @ 10 V	±20V	3031 PF @ 50 V	-	143W（TC）
IRFB7440pbf	1.7300	RFQ	1	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB7440		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	120A（TC）	6V，10V	2.5MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 100µA	135 NC @ 10 V	±20V	4730 PF @ 25 V	-	143W（TC）
AUIRF3315STRL	-	RFQ	2477	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520192	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		150 v	21a（TC）	10V	82MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
AUIRF7313QTR	2.4100	RFQ	9744	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIRF7313		MOSFET （金属 o化物）	2.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）			30V	6.9a		29mohm @ 6.9a，10V	3V @ 250µA	33nc @ 10V		755pf @ 25V	逻辑级别门
AUIRF7319QTR	-	RFQ	4004	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIRF7319		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520168	Ear99	8541.29.0095	4,000	n和p通道			30V	6.5a，4.9a		29mohm @ 5.8A，10V	3V @ 250µA	33nc @ 10V		650pf @ 25V	逻辑级别门
AUIRF7341QTR	-	RFQ	1975年	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIRF7341		MOSFET （金属 o化物）	2.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）			55V	5.1a		50MOHM @ 5.1A，10V	3V @ 250µA	44NC @ 10V		780pf @ 25V	逻辑级别门
AUIRF7416QTR	-	RFQ	8954	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道		30 V	10a（10a）	4.5V，10V	20mohm @ 5.6a，10v	2.04V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
AUIRFR2407TRL	-	RFQ	4734	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR2407		MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		75 v	42A（TC）		26mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V		2400 PF @ 25 V	-	110W（TC）
Auirfr4615trl	1.5729	RFQ	1422	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR4615		MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		150 v	33A（TC）	10V	42MOHM @ 21a，10v	5V @ 100µA	26 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 50 V	-	144W（TC）
AUIRFR4620TRL	3.2600	RFQ	5	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR4620		MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		200 v	24A（TC）	10V	78mohm @ 15a，10v	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 50 V	-	144W（TC）
auirfs3006-7trl	4.2330	RFQ	8438	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001521716	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		60 V	240a（TC）		2.1MOHM @ 168A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V		8850 pf @ 50 V	-	375W（TC）
auirfs4010-7trl	4.4141	RFQ	4085	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001518838	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	190a（TC）		4mohm @ 110a，10v	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V		9830 PF @ 50 V	-	380W（TC）
auirfz24nstrl	-	RFQ	9576	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	Auirfz24		MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		55 v	17a（TC）	10V	70mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
Auirgr4045dtrl	-	RFQ	6363	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRGR4045	标准		77 w	TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001511556	Ear99	8541.29.0095	3,000			400V，6A，47OHM，15V											74 ns	沟	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
IRFSL4510pbf	-	RFQ	1214	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	61A（TC）	10V	13.9mohm @ 37a，10v	4V @ 100µA	87 NC @ 10 V	±20V	3180 pf @ 50 V	-	140W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²