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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	电流 -最大	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IRF3709SPBF	-	RFQ	6297	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道								30 V	90A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±20V	2672 PF @ 16 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
DF1000R17IE4BOSA1	710.6400	RFQ	1196	Infineon技术	PrimePack™3	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	DF1000				6250 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单身的																																			-	1700 v			2.45V @ 15V，1000a							5 ma	是的	81 NF @ 25 V
SPD26N06S2L-35	-	RFQ	4335	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD26N			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-11	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道								55 v	30A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 13a，10v	2V @ 26µA	24 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IRG7PH42UD-EPBF	-	RFQ	1463年	Infineon技术	-	管子	过时的					irg7ph								下载		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
IPI60R165CPAKSA1	2.5626	RFQ	6503	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI60R165			MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道								650 v	21a（TC）	10V	165mohm @ 12a，10v	3.5V @ 790µA	52 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 100 V	-	192W（TC）
BSP171PH6327XTSA1	0.8900	RFQ	3302	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP171			MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道								60 V	1.9a（ta）	4.5V，10V	300MOHM @ 1.9a，10V	2V @ 460µA	20 nc @ 10 V	±20V	460 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IPDD60R045CFD7XTMA1	11.6200	RFQ	7552	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-powersop模块	ipdd60			MOSFET （金属 o化物）				PG-HDSOP-10-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,700			n通道								600 v	61A（TC）		45mohm @ 18a，10v	4.5V @ 900µA	79 NC @ 10 V	±20V	3194 PF @ 400 V	-	379W（TC）
IPB80P04P4L08ATMA1	-	RFQ	5447	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB80P			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道								40 V	80A（TC）	4.5V，10V	7.9MOHM @ 80a，10V	2.2V @ 120µA	92 NC @ 10 V	±16V	5430 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IPB80N06S209ATMA1	-	RFQ	7122	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB80N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道								55 v	80A（TC）	10V	8.8mohm @ 50a，10v	4V @ 125µA	80 NC @ 10 V	±20V	2360 pf @ 25 V	-	190w（TC）
IKQ50N120CH3XKSA1	12.6600	RFQ	237	Infineon技术	-	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKQ50N120	标准			652 w			PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30							600V，50a，10ohm，15V																													-	1200 v	100 a	200 a	2.35V @ 15V，50a	3MJ（在）上，1.9MJ（OFF）	235 NC	34NS/297NS
IRFI7440GPBF	-	RFQ	6468	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道								40 V	95A（TC）	10V	2.5MOHM @ 57A，10V	3.9V @ 100µA	132 NC @ 10 V	±20V	4549 PF @ 25 V	-	42W（TC）
IRF6623Tr1pbf	-	RFQ	9338	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距St				MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™st	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道								20 v	16a（16A），55a（tc）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1360 pf @ 10 V	-	1.4W（ta），42W（（（（（（（
IRFS4310pbf	-	RFQ	3003	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001578288	Ear99	8541.29.0095	50			n通道								100 v	130a（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 50 V	-	300W（TC）
PTFB191501FV1R250XTMA1	-	RFQ	1210	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFB191501		1.99GHz	ldmos				H-37248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250				-				1.2 a	150W	18db																	-																	30 V
IKW40N65H5FKSA1	5.5400	RFQ	2877	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW40N65	标准			255 w			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30							400V，20a，15ohm，15V																							62 ns						-	650 v	74 a	120 a	2.1V @ 15V，40a	（390µJ）（在120µJ上）	95 NC	22NS/165NS
IPA50R140CP	-	RFQ	3700	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）				PG-TO220-3-111	下载					Ear99	8542.39.0001	80			n通道								500 v	23A（TC）	10V	140mohm @ 14a，10v	3.5V @ 930µA	64 NC @ 10 V	±20V	2540 pf @ 100 V	-	34W（TC）
IRL3715ZCSTRLP	-	RFQ	6283	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道								20 v	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	870 pf @ 10 V	-	45W（TC）
IPP040N06N3GXKSA1	2.0100	RFQ	500	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP040			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道								60 V	90A（TC）	10V	4MOHM @ 90A，10V	4V @ 90µA	98 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 30 V	-	188W（TC）
TD150N24KOFHPSA1	-	RFQ	8773	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TD150N					系列连接 -SCR/二极管			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3						300 MA															2.6 kV	350 a	2 v	4500A @ 50Hz	200 MA	223 a									1 sc，1二极管
BSM100GAL120DLCKHOSA1	-	RFQ	5137	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM100				835 w		标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单菜器																																			-	1200 v	205 a		2.6V @ 15V，100a							5 ma	不	6.5 nf @ 25 V
IRFP054N	-	RFQ	6994	Infineon技术	Hexfet®	包	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）				TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP054N	Ear99	8541.29.0095	25			n通道								55 v	81A（TC）	10V	12MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	170W（TC）
IPA075N15N3GXKSA1	7.8100	RFQ	7900	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA075			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道								150 v	43A（TC）	8V，10V	7.5MOHM @ 43A，10V	4V @ 270µA	93 NC @ 10 V	±20V	7280 pf @ 75 V	-	39W（TC）
BC860CWE6327HTSA1	-	RFQ	1368	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC860				250兆			PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																					45 v	100 ma									15NA（icbo）				PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
2N7002H6327XTSA2	0.3300	RFQ	173	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002			MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道								60 V	300mA（TA）	4.5V，10V	3ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	0.6 NC @ 10 V	±20V	20 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
BAR64-03WE6327	1.0000	RFQ	4531	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）		SC-76，SOD-323								PG-SOD323-2-1	下载					Ear99	8541.10.0070	1					100 ma															250兆														0.35pf @ 20V，1MHz											PIN-单	150V				1.35OHM @ 100mA，100MHz
IRFR3504TRLPBF	-	RFQ	5510	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道								40 V	30A（TC）	10V	9.2MOHM @ 30a，10V	4V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRF7379TRPBF	-	RFQ	7519	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF737			MOSFET （金属 o化物）	2.5W			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n和p通道										30V	5.8a，4.3a		45MOHM @ 5.8A，10V	1V @ 250µA	25nc @ 10V		520pf @ 25V	-
D3041N65TXPSA1	2.0000	RFQ	2325	Infineon技术	-	托盘	积极的			底盘安装	do-200ae	D3041N65			标准				-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																										6500 v	1.7 V @ 4000 A		100 ma @ 6500 V	-40°C〜160°C	4090a	-
AIKQ100N60CTXKSA1	15.3400	RFQ	4358	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AIKQ100	标准			714 w			PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30							400V，100A，3.6ONM，15V																													沟渠场停止	600 v	160 a	400 a	2V @ 15V，100a	3.1mj（在）上，2.5MJ off）	610 NC	30NS/290NS
irlu3110zpbf	1.8400	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRLU3110			MOSFET （金属 o化物）				IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道								100 v	42A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 38a，10v	2.5V @ 100µA	48 NC @ 4.5 V	±16V	3980 pf @ 25 V	-	140W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²