RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FS75R12KT3GBOSA1	189.6000	RFQ	7	Infineon技术	Econopack™3	托盘	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FS75R12				355 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																																				沟渠场停止	1200 v	100 a		2.15V @ 15V，75a					5 ma	是的	5.3 nf @ 25 V
FP30R06W1E3BOMA1	49.0500	RFQ	24	Infineon技术	EasyPim™	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FP30R06				115 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器																																				沟渠场停止	600 v	37 a		2V @ 15V，30a					1 MA	是的	1.65 NF @ 25 V
IPD50N06S4L08ATMA1	-	RFQ	2686	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							60 V	50A（TC）	4.5V，10V	7.8mohm @ 50a，10v	2.2V @ 35µA	64 NC @ 10 V	±16V	4780 pf @ 25 V	-	71W（TC）
BFP182RE7764	-	RFQ	2266	Infineon技术	*	大部分	积极的													-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
IRG5U100HF12B	-	RFQ	3996	Infineon技术	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®62模块					780 w		标准	Powir®62	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001537342	Ear99	8541.29.0095	15	半桥																																				-	1200 v	180 a		3.5V @ 15V，100a					2 ma	不	12 nf @ 25 V
IRL3402	-	RFQ	3557	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3402	Ear99	8541.29.0095	50			n通道							20 v	85A（TC）	4.5V，7V	8mohm @ 51a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	78 NC @ 4.5 V	±10V	3300 PF @ 15 V	-	110W（TC）
IKD04N60RBTMA1	-	RFQ	2596	Infineon技术	Trechstop®	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准			75 w			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500						400V，4A，43OHM，15V																									43 ns						沟	600 v	8 a	12 a	2.1V @ 15V，4A	240µJ	27 NC	14NS/146NS
IKFW40N60DH3EXKSA1	7.4400	RFQ	8867	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKFW40	标准			111 w			pg-to247-3-ai	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30						400V，30a，10ohm，15V																									72 ns						沟渠场停止	600 v	34 a	90 a	2.7V @ 15V，30a	（870µJ）（在360µJ上）	107 NC	18NS/144NS
IRF7103TRPBF	0.9800	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF71			MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）									50V	3a		130MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	30nc @ 10V		290pf @ 25V	-
IRF9956TRPBF	0.7800	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF995			MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）									30V	3.5a		100mohm @ 2.2a，10v	1V @ 250µA	14NC @ 10V		190pf @ 15V	逻辑级别门
IRFH4255DTRPBF	-	RFQ	9910	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH4255			MOSFET （金属 o化物）	31W，38W			PQFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）									25V	64a，105a		3.2MOHM @ 30a，10V	2.1V @ 35µA	15nc @ 4.5V		1314pf @ 13V	逻辑级别门
BSM300GB120DLCHOSA1	317.6450	RFQ	6464	Infineon技术	-	托盘	上次购买		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM300				2500 w		标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																																				-	1200 v	625 a		2.6V @ 15V，300A					5 ma	不	21 nf @ 25 V
TD430N22KOFHPSA2	369.0900	RFQ	2	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TD430N22					系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2					300 MA															2.2 kV	800 a	2.2 v	14000a @ 50Hz	250 MA	430 a											1 sc，1二极管
IRF7752GTRPBF	-	RFQ	2665	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IRF775			MOSFET （金属 o化物）	1W			8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）									30V	4.6a		30mohm @ 4.6A，10V	2V @ 250µA	9NC @ 4.5V		861pf @ 25V	逻辑级别门
FP25R12U1T4BPSA1	129.7627	RFQ	6560	Infineon技术	SmartPIM1	托盘	不适合新设计		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FP25R12				190 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	三相逆变器																																				沟渠场停止	1200 v	39 a		2.25V @ 15V，25a					1 MA	是的	1.45 NF @ 25 V
IRL5602STRR	-	RFQ	6776	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			P通道							20 v	24A（TC）	2.5V，4.5V	42mohm @ 12a，4.5V	1V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±8V	1460 pf @ 15 V	-	75W（TC）
IPP60R120P7XKSA1	4.1600	RFQ	456	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R120			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							600 v	26a（TC）	10V	120mohm @ 8.2a，10v	4V @ 410µA	36 NC @ 10 V	±20V	1544 PF @ 400 V	-	95W（TC）
IDK05G65C5XTMA2	1.5789	RFQ	3805	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IDK05G65			SIC （碳化硅）				pg-to263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		没有恢复t> 500mA（IO）																										650 v		1.8 V @ 5 A	0 ns	830 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	5a	160pf @ 1V，1MHz
94-3316	-	RFQ	3726	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的			表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRLL014			MOSFET （金属 o化物）				SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	80			n通道							55 v	2A（TA）		140mohm @ 2a，10v	2V @ 250µA	14 NC @ 10 V		230 pf @ 25 V	-
SPP80N03S2L-06	-	RFQ	2319	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP80N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道							30 V	80A（TC）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 80A，10V	2V @ 80µA	68 NC @ 10 V	±20V	2530 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRF7470TR	-	RFQ	7374	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道							40 V	10a（10a）	2.8V，10V	13mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±12V	3430 PF @ 20 V	-	2.5W（TA）
IRFZ48VPBF	-	RFQ	2424	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							60 V	72A（TC）	10V	12MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	1985 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IPW60R041C6FKSA1	17.1000	RFQ	624	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW60R041			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道							600 v	77.5A（TC）	10V	41MOHM @ 44.4a，10V	3.5V @ 2.96mA	290 NC @ 10 V	±20V	6530 pf @ 10 V	-	481W（TC）
BCX71JE6433HTMA1	0.0529	RFQ	1592年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCX71				330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																						45 v	100 ma							20NA（ICBO）			PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	250 @ 2mA，5v	250MHz
BCR166WH6327XTSA1	-	RFQ	7860	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SC-70，SOT-323	BCR166				250兆			PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																						50 V	100 ma							100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	160 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
BF2040RE6814	0.0700	RFQ	9	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	8 V		表面安装	TO-253-4，TO-253AA			1GHz	MOSFET				PG-SOT143-4	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道			50µA			15 ma	-	23dB																	1.6dB																			5 v
IRF6713STRPBF	-	RFQ	9082	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺				MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™SQ	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001532360	Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道							25 v	22a（22a），95a（tc）	4.5V，10V	3mohm @ 22a，10v	2.4V @ 50µA	32 NC @ 4.5 V	±20V	2880 pf @ 13 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IRF7204Tr	-	RFQ	2200	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道							20 v	5.3a（ta）		60mohm @ 5.3a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V		860 pf @ 10 V	-
BAS7004E6327HTSA1	0.3700	RFQ	27	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS7004			肖特基				PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									1对系列连接	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C （最大）
IPG20N04S412AATMA1	1.3500	RFQ	28	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	IPG20N			MOSFET （金属 o化物）	41W			PG-TDSON-8-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）									40V	20a		12.2mohm @ 17a，10v	4V @ 15µA	18NC @ 10V		1470pf @ 25V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²