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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IRL3102PBF	-	RFQ	7723	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道								20 v	61A（TC）	4.5V，7V	13mohm @ 37a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	58 NC @ 4.5 V	±10V	2500 pf @ 15 V	-	89W（TC）
IRL7833LPBF	-	RFQ	4311	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA					MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道								30 V	150a（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 38a，10v	2.3V @ 250µA	47 NC @ 4.5 V	±20V	4170 pf @ 15 V	-	140W（TC）
FD1000R33HE3KB60BPSA1	2.0000	RFQ	2095	Infineon技术	IHM-B	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		FD1000				1600000 w	标准	AG-IHVB190-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	双制动斩波器																														沟渠场停止	3300 v	1000 a		3.15V @ 15V，1KA				5 ma	不	190 NF @ 25 V
irlr3410pbf	-	RFQ	3715	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道								100 v	17a（TC）	4V，10V	105mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±16V	800 pf @ 25 V	-	79W（TC）
IRFP90N20DPBF	7.9600	RFQ	7382	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IRFP90			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道								200 v	94A（TC）	10V	23mohm @ 56A，10V	5V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±30V	6040 pf @ 25 V	-	580W（TC）
F3L300R07PE4BOSA1	297.5500	RFQ	5247	Infineon技术	Econopack™4	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块		F3L300				940 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三级逆变器																														沟渠场停止	650 v	300 a		1.95V @ 15V，300A				1 MA	是的	18.5 nf @ 25 V
IRF1407	-	RFQ	9780	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB					MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF1407S	Ear99	8541.29.0095	50			n通道								75 v	100A（TC）	10V	7.8mohm @ 78a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
ipi12cne8n g	-	RFQ	7445	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		IPI12C			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道								85 v	67A（TC）	10V	12.6mohm @ 67a，10v	4V @ 83µA	64 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 40 V	-	125W（TC）
IPU60R1K4C6BKMA1	-	RFQ	1895年	Infineon技术	coolmos™	大部分	在sic中停产	-55°C〜155°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		IPU60R			MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道								600 v	3.2A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.1A，10V	3.5V @ 90µA	9.4 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 100 V	-	28.4W（TC）
IPB120N06S402ATMA1	-	RFQ	9217	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		IPB120N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道								60 V	120A（TC）	10V	2.4MOHM @ 100A，10V	4V @ 140µA	195 NC @ 10 V	±20V	15750 PF @ 25 V	-	188W（TC）
IPB60R160C6ATMA1	4.7100	RFQ	1856年	Infineon技术	Coolmos™C6	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		IPB60R160			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道								600 v	23.8a（TC）	10V	160MOHM @ 11.3A，10V	3.5V @ 750µA	75 NC @ 10 V	±20V	1660 pf @ 100 V	-	176W（TC）
SIDC03D60F6X7SA1	-	RFQ	6036	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	死		SIDC03			标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					600 v		1.6 V @ 6 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	6a	-
DD104N18KHPSA2	124.7907	RFQ	4231	Infineon技术	DD104N	托盘	积极的		底盘安装	模块					标准			模块	-	rohs3符合条件			448-DD104N18KHPSA2	Ear99	8541.30.0080	15		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				1对系列连接	1800 v	104a	1.4 V @ 300 A		20 mA @ 1.8 kV	150°C
BFN38E6327	0.1200	RFQ	10	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA						1.5 w		PG-SOT223-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1,000																																300 v	200 ma						100NA（ICBO）				500mv @ 2mA，20mA	40 @ 10mA，10v	70MHz
IPW80R360P7XKSA1	3.7500	RFQ	7927	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IPW80R360			MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道								800 v	13A（TC）	10V	360MOHM @ 5.6A，10V	3.5V @ 280µA	30 NC @ 10 V	±20V	930 PF @ 500 V	-	84W（TC）
IPF011N08NM6ATMA1	3.5613	RFQ	7487	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的												-	rohs3符合条件						1,000
IRAMS12UP60A	-	RFQ	1051	Infineon技术	Imotion™	管子	过时的		通过洞	23-Powersip模块，19条线索，形成铅	IGBT								下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001537108	Ear99	8542.39.0001	80	3期							12 a	600 v	2000vrms
IPG20N06S4L14AATMA1	1.6000	RFQ	10	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn		IPG20N			MOSFET （金属 o化物）	50W		PG-TDSON-8-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）										60V	20a		13.7MOHM @ 17A，10V	2.2V @ 20µA	39nc @ 10V		2890pf @ 25V	逻辑级别门
IPU50R2K0CEBKMA1	-	RFQ	4861	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		IPU50R			MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道								500 v	2.4A（TC）	13V	2ohm @ 600mA，13v	3.5V @ 50µA	6 NC @ 10 V	±20V	124 pf @ 100 V	-	22W（TC）
ISS06P010LXTSA1	-	RFQ	6713	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					ISS06P							-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001728022	过时的	0000.00.0000	3,000
PTRA093302DC V1 R250	-	RFQ	9299	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的												下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250
IRF8915	-	RFQ	3254	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF89			MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF8915	Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）										20V	8.9a		18.3mohm @ 8.9a，10v	2.5V @ 250µA	7.4NC @ 4.5V		540pf @ 10V	逻辑级别门
BFS 483 E6327	-	RFQ	1632年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BFS 483				450MW		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							19db																									12V	65mA									2 NPN （双）		70 @ 15mA，8v	8GHz	0.9db〜1.4dB @ 900MHz〜1.8GHz
PTFA220081MV4S500XUMA1	-	RFQ	9006	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-				-	-			-	下载		3（168））	到达不受影响	SP000838882	Ear99	8541.29.0095	500	-			-		-	-														-
附件34555NOSA1	-	RFQ	9743	Infineon技术	-	大部分	过时的					附件3							-			到达不受影响	448-Accessory34555nosa1	Ear99	8542.39.0001	1
IGB10N60TATMA1	1.6700	RFQ	1	Infineon技术	Trechstop®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		IGB10	标准			110 w		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					400V，10a，23ohm，15V																										NPT，沟渠场停止	600 v	20 a	30 a	2.05V @ 15V，10A	430µJ	62 NC	12NS/215NS
IRFS4410	-	RFQ	5454	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB					MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道								100 v	96A（TC）	10V	10mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	250W（TC）
IRG4PC40KDPBF	-	RFQ	2633	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IRG4PC40	标准			160 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400					480V，25a，10ohm，15V																					42 ns					-	600 v	42 a	84 a	2.6V @ 15V，25a	950µJ（在）上，760µJ降低）	120 NC	53NS/110NS
IPL60R065C7AUMA1	9.6200	RFQ	2394	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN		IPL60R065			MOSFET （金属 o化物）			PG-VSON-4-1	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道								600 v	29A（TC）	10V	65mohm @ 15.9a，10v	4V @ 800µA	68 NC @ 10 V	±20V	2850 PF @ 400 V	-	180W（TC）
IRF7807VPBF	-	RFQ	6961	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）					MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001551538	Ear99	8541.29.0095	95			n通道								30 V	8.3a（ta）	4.5V	25mohm @ 7A，4.5V	3V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±20V		-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²