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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BCR 199F E6327	-	RFQ	2820	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SOT-723	BCR 199			250兆		PG-TSFP-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																50 V	70 MA						100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	200 MHz	47科姆斯
BAW101E6327	0.1200	RFQ	18	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAW101		标准			PG-SOT-143-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	2,623	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				2独立	300 v	250ma（dc）	1.3 V @ 100 mA	1 µs	150 NA @ 250 V	150°C （最大）
T2160N26TOFVTXPSA1	1.0000	RFQ	8317	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	do-200ae	T2160N26				单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2			300 MA												2.8 kV	4600 a	3 V	44000a @ 50Hz	300 MA	2400 a										1 scr
HFA08TB60PBF	-	RFQ	9438	Infineon技术	hexfred®	管子	过时的		通过洞	TO-220-2	HFA08		标准			TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					600 v		1.7 V @ 8 A	55 ns	5 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	8a	-
BAS125-04WE6327	0.0900	RFQ	33	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BAS125		肖特基			PG-SOT323-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度																				1对系列连接	25 v	100mA（dc）	950 MV @ 35 mA		150 na @ 25 V	150°C
BCR 158T E6327	-	RFQ	4802	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-75，SOT-416	BCR 158			250兆		PG-SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																50 V	100 ma						100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
IDK05G120C5XTMA1	5.4100	RFQ	603	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IDK05G120		SIC （碳化硅）			pg-to263-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	没有恢复t> 500mA（IO）																					1200 v		1.8 V @ 5 A		33 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	19.1a	301pf @ 1V，1MHz
IRLR8729TRLPBF	-	RFQ	4139	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR8729		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001552874	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	58A（TC）	4.5V，10V	8.9mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	55W（TC）
BFN 24 E6327	0.0700	RFQ	3849	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				360兆w		PG-SOT23-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																																250 v	200 ma						100NA（ICBO）		400mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	70MHz
IRF6668TR1	-	RFQ	6736	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mz			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MZ	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			80 V	55A（TC）	10V	15mohm @ 12a，10v	4.9V @ 100µA	31 NC @ 10 V	±20V	1320 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
T1410N04TOFXPSA1	227.5178	RFQ	3798	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜140°C	底盘安装	DO-200AB，B-PUK	T1410N04				单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	9			300 MA												600 v	2500 a	1.5 v	23000a @ 50Hz	250 MA	1490 a										1 scr
BAV74	0.0400	RFQ	58	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV74		标准			SOT-23-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度																				1对普通阴极	50 V	200mA	1 V @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 V	150°C （最大）
BAS4004E6433HTMA1	0.4200	RFQ	38	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS4004		肖特基			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度																				1对系列连接	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	150°C （最大）
BC847BL3E6327XTMA1	0.1136	RFQ	3301	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	BC847			250兆		PG-TSLP-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																																45 v	100 ma						15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	250MHz
IRF520NSPBF	-	RFQ	7146	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			100 v	9.7a（TC）	10V	200mohm @ 5.7a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），48W（tc）
IRGP4262D-EPBF	-	RFQ	2908	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		250 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001549768	Ear99	8541.29.0095	25				400V，24a，10ohm，15V																					170 ns						-	650 v	60 a	96 a	2.1V @ 15V，24a	（520µJ）（在），240µJ（240µJ）中	70 NC	24ns/73ns
IPP120N04S401AKSA1	-	RFQ	7125	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP120N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			40 V	120A（TC）	10V	1.9MOHM @ 100A，10V	4V @ 140µA	176 NC @ 10 V	±20V	14000 PF @ 25 V	-	188W（TC）
T940N18TOFXPSA1	210.4022	RFQ	5514	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	DO-200AB，B-PUK	T940N18				单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	9			300 MA												1.8 kV	1759 a	2.2 v	17500A @ 50Hz	250 MA	959 a										1 scr
IDW30S120FKSA1	-	RFQ	6351	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	过时的		通过洞	TO-247-3			SIC （碳化硅）			pg-to247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240	没有恢复t> 500mA（IO）																				1对普通阴极	1200 v	15A（DC）	1.8 V @ 30 A		305 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
IPT65R195G7XTMA1	3.9400	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT65R195		MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-8-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			650 v	14A（TC）	10V	195MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 240µA	20 nc @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 V	-	97W（TC）
IRFU3707ZPBF	-	RFQ	2810	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			IPAK（TO-251AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道			30 V	56A（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 15a，10v	2.25V @ 25µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1150 pf @ 15 V	-	50W（TC）
IRF7493TRPBF	1.6900	RFQ	6197	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7493		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			80 V	9.3A（TC）	10V	15mohm @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	1510 PF @ 25 V	-	2.5W（TC）
IRFZ48NLPBF	-	RFQ	4972	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			55 v	64A（TC）	10V	14mohm @ 32a，10v	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	1970 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），130w（tc）
SPD06N60C3BTMA1	-	RFQ	4377	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD06N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			650 v	6.2A（TC）	10V	750MOHM @ 3.9A，10V	3.9V @ 260µA	31 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRL540NL	-	RFQ	8042	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL540NL	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			100 v	36a（TC）	4V，10V	44mohm @ 18a，10v	2V @ 250µA	74 NC @ 5 V	±16V	1800 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），140W（TC）
IPP65R225C7XKSA1	3.0200	RFQ	47	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R225		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			650 v	11A（TC）	10V	225MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 240µA	20 nc @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 V	-	63W（TC）
IRL1104STRL	-	RFQ	6507	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			40 V	104a（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 62a，10v	1V @ 250µA	68 NC @ 4.5 V	±16V	3445 pf @ 25 V	-	2.4W（ta），167W（tc）
IRFU3706	-	RFQ	9878	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			IPAK（TO-251AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU3706	Ear99	8541.29.0095	75		n通道			20 v	75A（TC）	2.8V，10V	9mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±12V	2410 pf @ 10 V	-	88W（TC）
IRF9Z24NS	-	RFQ	9808	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9Z24NS	Ear99	8541.29.0095	50		P通道			55 v	12A（TC）	10V	175MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
IRLL2703TRPBF	-	RFQ	3246	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			30 V	3.9a（ta）	4V，10V	45mohm @ 3.9a，10v	2.4V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±16V	530 pf @ 25 V	-	1W（ta）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²