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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BCR116E6327HTSA1	0.3600	RFQ	8743	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BCR116			200兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																				50 V	100 ma						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
IQE046N08LM5CGATMA1	2.7200	RFQ	8312	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	9-POWERTDFN		IQE046		MOSFET （金属 o化物）				PG-TTFN-9-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				5,000			n通道						80 V	15.6A（ta），99a （TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 20a，10v	2.3V @ 47µA	38 NC @ 10 V	±20V	3250 pf @ 40 V	-	2.5W（TA），100W（TC）
FS100R17KS4F	-	RFQ	7922	Infineon技术	Econopack™3	大部分	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块		FS100R17			960 w		标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000900382	Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																																		-	1700 v	100 a		4.7V @ 15V，100a				1 MA	是的	7 nf @ 25 V
T2510N06TOFVTXPSA1	418.0050	RFQ	2101	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AC		T2510N06				单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	4				300 MA															600 v	4900 a	1.5 v	46000a @ 50Hz	250 MA	2510 a										1 scr
DD89N18KHPSA1	-	RFQ	7769	Infineon技术	-	托盘	过时的		底盘安装	模块		DD89N18		标准				模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	15		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1对普通阴极	1800 v	89a	1.5 V @ 300 A		20 ma @ 1800 V	-40°C〜150°C
IRF7834TRPBF	-	RFQ	3427	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道						30 V	（19a ta）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 19a，10v	2.25V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	3710 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRF4104S	-	RFQ	6017	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF4104S	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						40 V	75A（TC）	10V	5.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRF7457TRPBF	-	RFQ	5349	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道						20 v	15A（TA）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	42 NC @ 4.5 V	±20V	3100 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
FP30R06KE3BPSA1	100.0700	RFQ	13	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		FP30R06			125 w		三相桥梁整流器	Ag-Econo2c	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																																		沟渠场停止	600 v	37 a		2V @ 15V，30a				1 MA	是的	1.65 NF @ 25 V
IKW50N65H5AXKSA1	-	RFQ	5409	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		ikw50n	标准		270 w			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001187522	Ear99	8541.29.0095	240					400V，25a，12ohm，15V																								58 ns						沟	650 v	80 a	150 a	2.1V @ 15V，50a	（450µJ）（在160µJ上）	116 NC	21NS/173NS
SPI07N60S5HKSA1	-	RFQ	7945	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		SPI07N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	5.5V @ 350µA	35 NC @ 10 V	±20V	970 pf @ 25 V	-	83W（TC）
IRF5802	-	RFQ	1440	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6				MOSFET （金属 o化物）				Micro6™tsop-6）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100			n通道						150 v	900mA（ta）	10V	1.2OHM @ 540mA，10V	5.5V @ 250µA	6.8 NC @ 10 V	±30V	88 pf @ 25 V	-	2W（TA）
BSP129L6327HTSA1	-	RFQ	6906	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						240 v	350mA（ta）	0V，10V	6ohm @ 350mA，10v	1V @ 108µA	5.7 NC @ 5 V	±20V	108 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
BSZ097N10NS5ATMA1	1.8800	RFQ	23	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSZ097		MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						100 v	8a（8a ta），40a tc（TC）	6V，10V	9.7mohm @ 20a，10v	3.8V @ 36µA	28 NC @ 10 V	±20V	2080 pf @ 50 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
irlr3715ztrr	-	RFQ	4605	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						20 v	49A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	810 pf @ 10 V	-	40W（TC）
IPP65R420CFDXKSA1	1.4606	RFQ	7166	Infineon技术	coolmos™	管子	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP65R420		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						650 v	8.7A（TC）	10V	420MOHM @ 3.4A，10V	4.5V @ 340µA	32 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 100 V	-	83.3W（TC）
SPD07N20	-	RFQ	1200	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		SPD07N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						200 v	7A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 1mA	31.5 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	40W（TC）
BTS282ZE3230AKSA2	6.7900	RFQ	8370	Infineon技术	tempfet®	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-7		BTS282		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO220-7-12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						49 v	80A（TC）	4.5V，10V	6.5mohm @ 36a，10v	2V @ 240µA	232 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	温度传感二极管	300W（TC）
BCX5116E6327HTSA1	0.0900	RFQ	13	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					2 w			PG-SOT89-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																				45 v	1 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	125MHz
IPB80N03S4L-03	-	RFQ	3176	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道						30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 80A，10V	2.2V @ 45µA	75 NC @ 10 V	±16V	5100 PF @ 25 V	-	94W（TC）
IRFU3710Z-701P	-	RFQ	3217	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）				IPAK（TO-251AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道						100 v	42A（TC）	10V	18mohm @ 33a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	2930 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRF7338TRPBF	-	RFQ	5915	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF733		MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n和p通道								12V	6.3a，3a		34mohm @ 6a，4.5V	1.5V @ 250µA	8.6nc @ 4.5V		640pf @ 9V	逻辑级别门
IRF450	-	RFQ	5978	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				MOSFET （金属 o化物）				TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100			n通道						500 v	12A（TC）	10V	500mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IRG4CC30UB	-	RFQ	7464	Infineon技术	-	大部分	过时的	-	表面安装	死		irg4cc	标准					死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					-																														-	600 v			2.2V @ 15V，6a	-		-
BAT60AE6327HTSA1	0.4400	RFQ	104	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-76，SOD-323		BAT60		肖特基				pg-sod323-3d	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								10 v		370 mv @ 1 A		2.6 ma @ 8 V	150°C （最大）	3a	35pf @ 5V，1MHz
FS150R12N2T7B15BPSA1	233.9900	RFQ	13	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块		FS150R12			20兆		标准	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	完整的桥梁逆变器																																		沟渠场停止	1200 v	150 a		1.8V @ 15V，150a				12 µA	是的	30.1 NF @ 25 V
IST007N04NM6AUMA1	3.7300	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn		IST007		MOSFET （金属 o化物）				PG-HSOF-5-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						40 V	54A（TA），440A （TC）	6V，10V	0.7MOHM @ 100A，10V	3.3V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±20V	7900 PF @ 20 V	-	3.8W（TA），250W（TC）
IRFR3103Tr	-	RFQ	4923	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						400 v	1.7A（TA）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IPA50R280CFD7	0.9400	RFQ	6778	Infineon技术	-	大部分	过时的												-				2156-IPA50R280CFD7			291
IRAMX16UP60B-2	-	RFQ	2104	Infineon技术	Imotion™	管子	过时的		通过洞	23-Powersip模块，19条线索，形成铅	IGBT								下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	3期					16 a	600 v	2000vrms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²