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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IRF3415STRR	-	RFQ	7612	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			150 v	43A（TC）	10V	42mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
FD400R16KF4	453.2800	RFQ	26	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	底盘安装	模块				3100 w	标准	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	单菜器																						-	1600 v	400 a		3.7V @ 15V，400A				3 ma	不	65 NF @ 25 V
IKQ120N120CH7XKSA1	15.6900	RFQ	6015	Infineon技术	-	管子	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30
IRFSL59N10D	-	RFQ	7447	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFSL59N10D	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			100 v	59A（TC）	10V	25mohm @ 35.4a，10v	5.5V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±30V	2450 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IKW50N60TAFKSA1	-	RFQ	9630	Infineon技术	Trechstop®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ikw50n	标准		333 w		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240				400V，50a，7ohm，15V																143 ns			沟渠场停止	600 v	80 a	150 a	2V @ 15V，50a	2.6MJ	310 NC	26NS/299NS
BFR193FH6327XTSA1	0.5400	RFQ	9	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	BFR193			580MW		PG-TSFP-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					12.5db																			12V	80mA									NPN		70 @ 30mA，8v	8GHz			1db〜1.6dB @ 900MHz〜1.8GHz
BAT5406E6327HTSA1	0.5000	RFQ	27	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT5406		肖特基			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														1对公共阳极	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C （最大）
BAT64-05B5003	1.0000	RFQ	8644	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT64		肖特基			PG-SOT23-3-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														1对普通阴极	40 V	120mA	750 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C
IRF7422D2PBF	-	RFQ	9107	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001577350	Ear99	8541.29.0095	95			P通道			20 v	4.3a（ta）	2.7V，4.5V	90MOHM @ 2.2a，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	22 NC @ 4.5 V	±12V	610 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）
IRFR120NCTRLPBF	-	RFQ	1553	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			100 v	9.4A（TA）	10V	210MOHM @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	48W（TC）
IRLR9343-701PBF	-	RFQ	3226	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-4，DPAK （3 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）			i-pak（LF701）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			P通道			55 v	20A（TC）	4.5V，10V	105MOHM @ 3.4A，10V	1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 50 V	-	79W（TC）
IRFR1010Z	-	RFQ	2250	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR1010Z	Ear99	8541.29.0095	75			n通道			55 v	42A（TC）	10V	7.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 100µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IPC90R1K2C3X1SA1	-	RFQ	2127	Infineon技术	-	大部分	过时的				IPC90R						-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000469920	过时的	0000.00.0000	1							-
BSZ15DC02KDHXTMA1	1.3100	RFQ	9356	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ15DC02		MOSFET （金属 o化物）	2.5W		PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n和p通道互补					20V	5.1a，3.2a		55mohm @ 5.1a，4.5V	1.4V @ 110µA	2.8NC @ 4.5V		419pf @ 10V	逻辑水平门，2.5V
IRF6709S2TRPBF	-	RFQ	9888	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距S1			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™等距S1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001530266	Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道			25 v	12a（12a），39A（tc）	4.5V，10V	7.8mohm @ 12a，10v	2.35V @ 25µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	1010 PF @ 13 V	-	1.8W（ta），21W（21W）TC）
SPP06N80C3XKSA1	2.4000	RFQ	8	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP06N80		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			800 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 3.8A，10V	3.9V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	785 pf @ 100 V	-	83W（TC）
IRF7811A	-	RFQ	3635	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			n通道			28 V	11a（11a）	4.5V	10mohm @ 11a，10v	3V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±12V	1760 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
64-4092pbf	-	RFQ	8564	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRLU2705		MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道			55 v	28a（TC）	4V，10V	40mohm @ 17a，10v	2V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±16V	880 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IKW40N120CS7XKSA1	9.9200	RFQ	143	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW40N120	标准		357 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				600V，40a，4ohm，15V																175 ns			沟渠场停止	1200 v	82 a	120 a	2V @ 15V，40a	（2.55mj）（在），1.75MJ off）	230 NC	27NS/190NS
SI4435DY	-	RFQ	2560	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*SI4435DY	Ear99	8541.29.0095	95			P通道			30 V	8A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 8a，10v	1V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2320 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
FF450R33T3E3B5P2BPSA1	1.0000	RFQ	5778	Infineon技术	XHP™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF450R33			1000000 w	标准	AG-XHP100-6	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立																						沟渠场停止	3300 v	450 a		2.75V @ 15V，450a				5 ma	不	84 NF @ 25 V
IRLI2910	-	RFQ	3768	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB全盘	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLI2910	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			100 v	31a（TC）	4V，10V	26mohm @ 16a，10v	2V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±16V	3700 PF @ 25 V	-	63W（TC）
BCR 162F E6327	-	RFQ	6346	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-723	BCR 162			200兆		PG-TSFP-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																								50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
FF600R06ME3BOSA1	207.8930	RFQ	2000	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	不适合新设计	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF600R06			1650 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																						沟渠场停止	600 v	700 a		1.9V @ 15V，600A				5 ma	是的	39 NF @ 25 V
BFR 182 B6663	-	RFQ	6676	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFR 182			250MW		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	30,000					12db〜18dB																			12V	35mA									NPN		70 @ 10mA，8v	8GHz			0.9db〜1.3db @ 900MHz〜1.8GHz
SIGC109T120R3LEX1SA2	-	RFQ	8788	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	死	SIGC109	标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				-																			沟渠场停止	1200 v		300 a	2.1V @ 15V，100a	-		-
BC848CE6327	0.0300	RFQ	48	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	9,427																								30 V	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
6MS24017E33W32780NOSA1	-	RFQ	7446	Infineon技术	-	大部分	过时的										-			到达不受影响	448-6MS24017E3W32780NOSA1	Ear99	8541.29.0095	1
IRL6342TRPBF	0.5900	RFQ	43	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRL6342		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			30 V	9.9a（ta）	2.5V，4.5V	14.6mohm @ 9.9a，4.5V	1.1V @ 10µA	11 NC @ 4.5 V	±12V	1025 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRFR3706TRR	-	RFQ	3786	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			20 v	75A（TC）	2.8V，10V	9mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±12V	2410 pf @ 10 V	-	88W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²