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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
AUIRFR48Z	-	RFQ	9266	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001522912	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		55 v	42A（TC）	10V	11mohm @ 37a，10v	4V @ 50µA	60 NC @ 10 V	±20V	1720 PF @ 25 V	-	91W（TC）
AUIRFR5305TR	2.8500	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR5305		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道		55 v	31a（TC）		65mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V		1200 pf @ 25 V	-
AUIRFR5410TRL	2.8900	RFQ	16	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR5410		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		100 v	13A（TC）	10V	205MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 25 V	-	66W（TC）
AUIRFR5505	-	RFQ	2088	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		55 v	18A（TC）	10V	110MOHM @ 9.6a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 25 V	-	57W（TC）
Auirfr5505trl	-	RFQ	1243	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001519572	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		55 v	18A（TC）	10V	110MOHM @ 9.6a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 25 V	-	57W（TC）
AUIRFS4610	-	RFQ	6402	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001522872	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 44a，10v	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	190w（TC）
Auirfu4104	-	RFQ	9512	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001518784	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	42A（TC）	10V	5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
Auirfz44vzstrl	-	RFQ	5438	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001522838	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		60 V	57A（TC）	10V	12mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	92W（TC）
AUIRGP50B60PD1	-	RFQ	5778	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AUIRGP50	标准		390 w	TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			390V，33a，3.3孔，15V											42 ns	npt	600 v	75 a	150 a	2.85V @ 15V，50a	（255µJ）（在），375µj（（（（（）	205 NC	30NS/130NS
AUIRRR3636TRL	1.5173	RFQ	4197	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRRR3636		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520624	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	50A（TC）		6.8mohm @ 50a，10v	2.5V @ 100µA	49 NC @ 4.5 V		3779 PF @ 50 V	-	143W（TC）
Auirrr3915trl	-	RFQ	4634	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520744	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		55 v	30A（TC）		14mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	92 NC @ 10 V		1870 pf @ 25 V	-	120W（TC）
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AUIRF7316Q	-	RFQ	3189	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIRF7316		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001522678	Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）			30V	-		58MOHM @ 4.9A，10V	3V @ 250µA	34NC @ 10V		710pf @ 25V	逻辑级别门
AUIRFP2907	-	RFQ	2978	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001516710	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		75 v	90A（TC）	10V	4.5MOHM @ 125A，10V	4V @ 250µA	620 NC @ 10 V	±20V	13000 PF @ 25 V	-	470W（TC）
AUIRFR024N	-	RFQ	3717	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR024		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		55 v	17a（TC）	10V	75mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	45W（TC）
AUIRFR2407	-	RFQ	1923年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520320	Ear99	8541.29.0095	75		n通道		75 v	42A（TC）	10V	26mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	110W（TC）
AUIRFS3004	-	RFQ	5909	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AUIRFS3004		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-3（TO-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		40 V	195a（TC）	10V	1.75MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	380W（TC）
AUIRFS3006-7P	-	RFQ	1124	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	240a（TC）	10V	2.1MOHM @ 168A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	8850 pf @ 50 V	-	375W（TC）
AUIRFS3107-7P	-	RFQ	7617	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		75 v	240a（TC）	10V	2.6mohm @ 160a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 50 V	-	370W（TC）
AUIRFS3307Z	-	RFQ	1679年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001519782	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	120A（TC）	10V	5.8MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	110 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 50 V	-	230W（TC）
AUIRFS4410Z	-	RFQ	3887	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS4410		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520704	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	97A（TC）	10V	9mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4820 PF @ 50 V	-	230W（TC）
Auirfu1010z	-	RFQ	5339	Infineon技术	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			-		TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001516086	Ear99	8541.29.0095	75		-			42A（TC）		-	-				-	-
auirfz24ns	-	RFQ	7214	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	Auirfz24		MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	17a（TC）	10V	70mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
Auirfz44n	-	RFQ	8422	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		55 v	49A（TC）	10V	17.5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 25 V	-	94W（TC）
auirfz46nl	-	RFQ	5932	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001521774	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		55 v	39A（TC）	10V	16.5MOHM @ 28A，10V	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1696 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），107W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²